企业商机
SIP封装基本参数
  • 品牌
  • 云茂
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • B***GA,CSP,QFP/PFP,MCM,SDIP,SOP/SOIC,PLCC,TSOP,TQFP,PQFP,SMD,DIP
SIP封装企业商机

系统级封装(SiP)技术种类繁多,裸片与无源器件贴片,植球——将焊锡球置于基板焊盘上,用于电气连接,回流焊接(反面)——通过控制加温熔化焊料达到器件与基板间的,键合,塑封(Molding)——注入塑封材料包裹和保护裸片及器件,减薄——通过研磨将多余的塑封材料去除,BGA植球——进行成品的BGA(球栅阵列封装)植球,切割——将整块基板切割为多个SiP成品。通过测试后的芯片成品,将被集成在各类智能产品内,较终应用在智能生活的各个领域。系统级封装(SiP)技术是通过将多个裸片(Die)及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。贵州陶瓷封装市场价格

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SiP技术特点:制造工艺,SiP的制造涉及多种工艺,包括:基板技术:提供电气连接和物理支持的基板,可以是有机材料(如PCB)或无机材料(如硅、陶瓷)。芯片堆叠:通过垂直堆叠芯片来节省空间,可能使用通过硅孔(TSV)技术来实现内部连接。焊接和键合:使用焊球、金线键合或铜线键合等技术来实现芯片之间的电气连接。封装:较终的SiP模块可能采用BGA(球栅阵列)、CSP(芯片尺寸封装)或其他封装形式。SiP 封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。贵州陶瓷封装市场价格先进封装对于精度的要求非常高,因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小,而封装密度却越来越大。

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无引线缝合(Wireless Bonding):1、定义,不使用金线连接芯片电极和封装基板的方法。2、分类;3、TAB,① 工艺流程,使用热棒工具,将划片后的芯片Al焊盘(通过电镀工艺形成Au凸点)与TAB引脚(在聚酰亚胺胶带开头处放置的Cu引脚上镀金而成)进行热黏合,使其键合到一起。② 特色,TAB引线有规则地排列在聚酰亚胺带上,以卷轴的形式存放。4、FCB,FCB工艺流程:① 在芯片电极上形成金球凸点;② 将芯片翻转朝下,与高性能LSI专门使用的多层布线封装基板的电极对齐,然后加热连接;③ 注入树脂以填满芯片与封装基板之间的间隙(底部填充);④ 在芯片背面贴上散热片,在封装基板外部引脚挂上锡球。

异形元件处理,Socket / 层叠型等异形元件,因便携式产品的不断发展,功能集成越来越多,势必要求在原SIP工艺基础上,增加更多功能模块,传统的电容电阻已无法满足多功能集成化要求,因此需要引入异形元件进行扩展,因此如何在精密化的集成基板上,进行异形元件的贴装,给工艺带来不小挑战,这就要求设备精度高,稳定性好,处理更智能化方可满足。成本,前期投入大,回报周期长,工艺复杂,人工成本高,产品良率低,耗损大。需要大型,稳定,利润率较大的项目方能支撑SIP技术的持续运行。SiP是理想的解决方案,综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的优势,降低成本,缩短上市时间。

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除了2D和3D的封装结构外,另一种以多功能性基板整合组件的方式,也可纳入SiP的范围。此技术主要是将不同组件内藏于多功能基板中,亦可视为是SiP的概念,达到功能整合的目的。不同的芯片,排列方式,与不同内部结合技术搭配,使SiP 的封装形态产生多样化的组合,并可按照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。SiP技术路线表明,越来越多的半导体芯片和封装将彼此堆叠,以实现更深层次的3D封装。图2.19 是8芯片堆叠SiP,将现有多芯片封装结合在一个堆叠中。微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。现在用于生产200mm和300mm微晶片的焊接设备可处理厚度为50um的晶片,因此允许更密集地堆叠芯片。SiP (System in Package, 系统级封装)主要应用于消费电子、无线通信、汽车电子等领域。贵州陶瓷封装市场价格

消费电子目前SiP在电子产品里应用越来越多,尤其是 TWS 耳机、智能手表、UWB 等消费电子领域。贵州陶瓷封装市场价格

汽车汽车电子是 SiP 的重要应用场景。汽车电子里的 SiP 应用正在逐渐增加。以发动机控制单元(ECU)举例,ECU 由微处理器(CPU)、存储器(ROM、RAM)、输入/输出接口(I/O)、模数转换器(A/D)以及整形、驱动等大规模集成电路组成。各类型的芯片之间工艺不同,目前较多采用 SiP 的方式将芯片整合在一起成为完整的控制系统。另外,汽车防抱死系统(ABS)、燃油喷射控制系统、安全气囊电子系统、方向盘控制系统、轮胎低气压报警系统等各个单元,采用 SiP 的形式也在不断增多。贵州陶瓷封装市场价格

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SiP是使用成熟的组装和互连技术,把各种集成电路器件(IC、MOS等)以及各类无源元件如电阻、电容等集成到一个封装体内,实现整机系统的功能。由于SiP电子产品向高密度集成、功能多样化、小尺寸等方向发展,传统的失效分析方法已不能完全适应当前技术发展的需要。为了满足SiP产品的失效分析,实现内部互连结构和芯片内部结构中失效点的定位,分析技术必须向高空间分辨率、高电热测试灵敏度以及高频率的方向发展。典型的SiP延用COB工艺,将电路板的主要器件塑封(COB),再把COB器件以元器件贴片到FPC软板上。随着SiP模块成本的降低,且制造工艺效率和成熟度的提高。贵州模组封装方式系统集成封装(System ...

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