天津陶瓷封装型式

晶圆级封装（WLP）：1、定义，在晶圆原有状态下重新布线，然后用树脂密封，再植入锡球引脚，然后划片将其切割成芯片，从而制造出真实芯片大小的封装。注：重新布线是指在后段制程中，在芯片表面形成新的布线层。2、优势，传统封装中，将芯片装进封装中的时候，封装的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技术的优势是能够实现几乎与芯片尺寸一样大小的封装。不只芯片是批量化制造，而且封装也是批量化制造，可以较大程度上降低成本。WLP技术使用倒装焊技术（FCB），所以被称为FBGA（Flip Chip类型的BGA），芯片被称为晶圆级CSP（Chip Size Package）。工艺流程，晶圆级封装工艺流程：① 再布线工程（形成重新布线层的层间绝缘膜[中间介质层]）；② 形成通孔和重新布线层（用来连接芯片和外部端子）；③ 形成铜柱，并在铜柱上面生成凸点；④ 用树脂密封，再形成焊球并用划片机切割成所需的芯片。汽车电子里的 SiP 应用正在逐渐增加。天津陶瓷封装型式

系统级封装的优势，SiP和SoC之间的主要区别在于，SoC 将所需的每个组件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用异构组件并将它们连接到一个或多个芯片载波封装中。例如，SoC将CPU，GPU，内存接口，HDD和USB连接，RAM / ROM和/或其控制器集成到单个芯片上，然后将其封装到单个芯片中。相比之下，等效的SiP将采用来自不同工艺节点（CMOS，SiGe，功率器件）的单独芯片，将它们连接并组合成单个封装到单个基板（PCB）上。考虑到这一点，很容易看出，与类似的SoC相比，SiP的集成度较低，因此SiP的采用速度很慢。然而，较近，2.5D 和 3D IC、倒装芯片技术和封装技术的进步为使用 SiP 提供的可能性提供了新的视角。有几个主要因素推动了当前用SiP取代SoC的趋势：浙江陶瓷封装哪家好封装基板的分类有很多种，目前业界比较认可的是从增强材料和结构两方面进行分类。

SiP还具有以下更多优势：降低成本 – 通常伴随着小型化，降低成本是一个受欢迎的副作用，尽管在某些情况下SiP是有限的。当对大批量组件应用规模经济时，成本节约开始显现，但只限于此。其他可能影响成本的因素包括装配成本、PCB设计成本和离散 BOM（物料清单）开销，这些因素都会受到很大影响，具体取决于系统。良率和可制造性 – 作为一个不断发展的概念，如果有效地利用SiP专业知识，从模塑料选择，基板选择和热机械建模，可制造性和产量可以较大程度上提高。

SiP的未来趋势和事例。人们可以将SiP总结为由一个衬底组成，在该衬底上将多个芯片与无源元件组合以创建一个完整的功能单独封装，只需从外部连接到该封装即可创建所需的产品。由于由此产生的尺寸减小和紧密集成，SiP在MP3播放器和智能手机等空间受限的设备中非常受欢迎。另一方面，如果只要有一个组件有缺陷，整个系统就会变得无法正常工作，从而导致制造良率下降。尽管如此，推动SiP更多开发和生产的主要驱动力是早期的可穿戴设备，移动设备和物联网设备市场。在当前的SiP限制下，需求仍然是可控的，其数量低于成熟的企业和消费类SoC市场。SiP 在应用终端产品领域（智能手表、TWS、手机、穿戴式产品、智能汽车）的爆发点也将愈来愈近。

合封芯片、芯片合封和SiP系统级封装经常被提及的概念。但它们是三种不同的技术，还是同一种技术的不同称呼？本文将帮助我们更好地理解它们的差异。合封芯片与SiP系统级封装的定义，首先合封芯片和芯片合封都是一个意思，合封芯片是一种将多个芯片（多样选择）或不同的功能的电子模块（LDO、充电芯片、射频芯片、mos管）封装在一起的定制化芯片，从而形成一个系统或者子系统。以实现更复杂、更高效的任务。合封芯片可定制组成方式包括CoC封装技术、SiP封装技术等。除了2D与3D的封装结构外，另一种以多功能性基板整合组件的方式，也可纳入SiP的涵盖范围。贵州MEMS封装方式

SiP 封装优势：缩短产品研制和投放市场的周期。天津陶瓷封装型式

SMT制程在SIP工艺流程中的三部分都有应用：1st SMT PCB贴片 + 3rd SMT FPC贴镍片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效机理，主要失效模式：(1) 焊接异常：IC引脚锡渣、精密电阻连锡。Ø 原因分析：底部UF (Underfill底部填充）胶填充不佳，导致锡进入IC引脚或器件焊盘间空洞造成短路。(2) 机械应力损伤：MOS芯片、电容裂纹。Ø 原因分析：(1) SiP注塑后固化过程产生的应力;（2）设备/治具产生的应力。(3) 过电应力损伤：MOS、电容等器件EOS损伤。Ø 原因分析：PCM SiP上的器件受电应力损伤（ESD、测试设备浪涌等）。天津陶瓷封装型式