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    导致VT1管进入饱和状态，VT1可能会发烧，严重时会烧坏VT1。如果VD1出现击穿故障，会导致VT1管基极直流偏置电压下降，三极管VT1直流工作电流减小，VT1管放大能力减小或进入截止状态。二极管控制电路及故障处理二极管导通之后，它的正向电阻大小随电流大小变化而有微小改变，正向电流愈大，正向电阻愈小；反之则大。利用二极管正向电流与正向电阻之间的特性，可以构成一些自动控制电路。如图9-43所示是一种由二极管构成的自动控制电路，又称ALC电路（自动电平控制电路），它在磁性录音设备中（如卡座）的录音电路中经常应用。图9-43二极管构成的自动控制电路1．电路分析准备知识说明二极管的单向导电特性只是说明了正向电阻小、反向电阻大，没有说明二极管导通后还有哪些具体的特性。二极管正向导通之后，它的正向电阻大小还与流过二极管的正向电流大小相关。尽管二极管正向导通后的正向电阻比较小（相对反向电阻而言），但是如果增加正向电流，二极管导通后的正向电阻还会进一步下降，即正向电流愈大，正向电阻愈小，反之则大。不熟悉电路功能对电路工作原理很不利，在了解电路功能的背景下能有的放矢地分析电路工作原理或电路中某元器件的作用。 整流二极管都是面结型，因此结电容较大，使其工作频率较低，一般为3kHZ以下。湖南哪里有西门康SEMIKRON二极管推荐货源

    所以依据这一点可以确定这一电路是为了稳定电路中A点的直流工作电压。3）电路中有多只元器件时，一定要设法搞清楚实现电路功能的主要元器件，然后围绕它进行展开分析。分析中运用该元器件主要特性，进行合理解释。二极管温度补偿电路及故障处理众所周知，PN结导通后有一个约为（指硅材料PN结）的压降，同时PN结还有一个与温度相关的特性：PN结导通后的压降基本不变，但不是不变，PN结两端的压降随温度升高而略有下降，温度愈高其下降的量愈多，当然PN结两端电压下降量的值对于，利用这一特性可以构成温度补偿电路。如图9-42所示是利用二极管温度特性构成的温度补偿电路。图9-42二极管温度补偿电路对于初学者来讲，看不懂电路中VT1等元器件构成的是一种放大器，这对分析这一电路工作原理不利。在电路分析中，熟悉VT1等元器件所构成的单元电路功能，对分析VD1工作原理有着积极意义。了解了单元电路的功能，一切电路分析就可以围绕它进行展开，做到有的放矢、事半功倍。1．需要了解的深层次电路工作原理分析这一电路工作原理需要了解下列两个深层次的电路原理。1）VT1等构成一种放大器电路，对于放大器而言要求它的工作稳定性好。 广东西门康SEMIKRON二极管销售一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。

    把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。二极管特性曲线整流二极管常用参数编辑（1）大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。（2）高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V（3）大反向电流IR：它是二极管在高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。（4）击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时。

    2CP1554硅二极管Ir≤≤,≤,2CP1555硅二极管Ir≤≤,≤,[1]整流二极管高频整流二极管的特性与参数编辑开关电源中的整流二极管必须具有正向压降低、快速恢复的特点，还应具有足够大的输出功率，可以采用以下三种类型的整流二极管：快速恢复整流二极管;超快速恢复整流二极管;肖特基整流二极管。快速恢复和超快恢复整流二极管具有适中的和较高的正向电压降，其范围是从～。这两种整流二极管还具有较高的截止电压参数。因此，它们特别适合于在小功率的、输出电压在12V左右的辅助电源电路中使用。由于现代的开关电源工作频率都在20kHz以上，比起一般的整流二极管，快速恢复整流二极管和超快速恢复整流二极管的反向恢复时间莎Ⅱ减小到了毫微秒级，因此，提高了电源的效率。据经验，在选择快速恢复整流二极管时，其反向恢复时间至少应该是开关晶体管的上升时间的1/3。这两种整流二极管还减少了开关电压尖峰，而这种尖峰直接影响输出直流电压的纹波。另外，虽然某些称为软恢复型整流二极管的噪声较小，但是它们的反向恢复时间较长，反向电流也较大，因而使得开关损耗增大，并不能满足开关电源的工作要求。 面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用。

    则指给定反向漏电流条件下的电压值。（5）高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。（6）反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间。（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。整流二极管损坏原因编辑（1）防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。（2）运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作。 当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。江苏进口西门康SEMIKRON二极管推荐货源

二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。湖南哪里有西门康SEMIKRON二极管推荐货源

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。 湖南哪里有西门康SEMIKRON二极管推荐货源