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    请参阅图1～图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一如图1所示，本实施例提供一种合封整流桥的封装结构1，所述合封整流桥的封装结构1包括：塑封体11，设置于所述塑封体11边缘的多个管脚，以及设置于所述塑封体11内的整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压供电基岛13及信号地基岛14。如图1所示，所述塑封体11呈长方形，用于将引线框架及器件整合在一起，并保护内部器件。在本实施例中，所述塑封体11采用sop8的外型尺寸，以此可与现有塑封体共用，进而减小成本。在实际使用中，可根据需要采用其他外型尺寸，不以本实施例为限。如图1所示，各管脚设置于所述塑封体11的边缘。具体地，在本实施例中，所述合封整流桥的封装结构1包括火线管脚l、零线管脚n、高压供电管脚hv、信号地管脚gnd、漏极管脚drain及采样管脚cs。作为本实施例的一种实现方式。 整流桥作为一种功率元器件，非常广。应用于各种电源设备。福建进口英飞凌infineon整流桥模块工厂直销

    本实用新型涉及半导体器件领域，特别是涉及一种合封整流桥的封装结构及电源模组。背景技术：目前照明领域led驱动照明正在大规模代替节能灯的应用，由于用量十分巨大，对于成本的要求比较高。随着系统成本的一再降低，主流的拓扑架构基本已经定型，很难再从外圈节省某个元器件，同时芯片工艺的提升对于高压模拟电路来说成本节省有限，基本也压缩到了。目前的主流的小功率交流led驱动电源方案一般由整流桥、芯片(含功率mos器件)、高压续流二极管、电感、输入输出电容等元件组成，系统中至少有三个不同封装的芯片，导致芯片的封装成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何节省封装成本，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种合封整流桥的封装结构及电源模组，用于解决现有技术中芯片封装成本高的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种合封整流桥的封装结构，所述合封整流桥的封装结构至少包括：塑封体，设置于所述塑封体边缘的火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚、漏极管脚、采样管脚。 福建进口英飞凌infineon整流桥模块工厂直销电容的容量越大，其波形越平缓，利用电容的充放电使输出电压的脉动幅度变小。这就是二极管的全桥整流电路。

    使模块具有有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。3、电力半导体芯片：超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护，并在模块制作过程中再涂有RTV硅橡胶，并灌封有弹性硅凝胶和环氧树脂，这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线，而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点，FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极)，并利用DBC基板的刻蚀图形，使焊接简化。同时，所有主电极的引出端子都焊在DBC基板上，这样使连线减少，模块可靠性提高。4、外壳：壳体采用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的，并加有40％玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料组成，它能很好地解决与铜底板、主电极之间的热胀冷缩的匹配问题，通过环氧树脂的浇注固化工艺或环氧板的间隔，实现上下壳体的结构连接，以达到较高的防护强度和气闭密封，并为主电极引出提供支撑。3整流桥模块的优点整流桥模块有着体积小、重量轻、结构紧凑、外接线简单、便于维护和安装等优点。

    大多数的整流全桥上均标注有“+”、“一”、“～”符号(其中“+”为整流后输出电压的正极，“一”为输出电压的负极，两个“～”为交流电压输入端)，很容易确定出各电极。检测时，可通过分别测量“+”极与两个“～”极、“一”极与两个“～”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常，即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成，检测时，可用万用表的R×lok挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kfl，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表Rl挡测量。正常时，其正向电阻值(黑表笔接正极)为～，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为无穷大或均接近O，则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端肖特基二极管应先测出其公共端，判别出是共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、厦向电阻值。整流桥堆全桥的极性判别方法极性的判别1)外观判别法。 整流桥一般带有足够大的电感性负载，因此整流桥不出现电流断续。

    因此我们可以用散热器的基板温度的数值来代替整流桥的壳温，这样不在测量上易于实现，还不会给终的计算带来不可容忍的误差。折叠仿真分析整流桥在强迫风冷时的仿真分析前面本文从不同情形下的传热途径着手，用理论的方法分析了整流桥在三种不同冷却方式下的传热过程，在此本文通过仿真软件详细的整流桥模型来对带有散热器、强迫风冷下的整流桥散热问题进行进一步的阐述。图5、仿真计算模型如上图是仿真计算的模型外型图。在该模型中，通过解剖一整流桥后得到的相关尺寸参数来进行仿真分析模型的建立。其仿真分析结果如下所示:图6、整流桥散热器基板温度分布有上图可以看出，整流桥散热器的基板温度分布相对而言还是比较均匀的，约70℃左右。即使在四个二极管正下方的温度与整流桥壳体背面与散热器相接触的外边缘，也只有5℃左右的温差。这主要是由于散热器基板是一有一定厚度且导热性能较好的铝板，它能够有效地把整流桥背面的不均匀温度进行均匀化。整流桥壳体正面表面的温度分布。从上图可以看出，整流桥壳体正面的温度分布是极不均匀的，在热源(二极管)的正上方其表面温度达到109℃，然而在整流桥的中间位置，远离热源处却只有75℃，其表面的温差可达到34℃左右。 整流桥是将数个整流二极管封在一起组成的桥式整流器件，主要作用是把交流电转换为直流电，也就是整流。福建进口英飞凌infineon整流桥模块工厂直销

对于单相桥式全波整流器，在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作。福建进口英飞凌infineon整流桥模块工厂直销

    所述变压器的第二线圈一端经由所述二极管d及所述第五电容c5连接所述第二线圈的另一端。如图6所示，所述二极管d的正极连接所述变压器的第二线圈，负极连接所述第五电容c5。如图6所示，所述负载连接于所述第五电容c5的两端。具体地，在本实施例中，所述负载为led灯串，所述led灯串的正极连接所述二极管d的负极，负极连接所述第五电容c5与所述变压器的连接节点。如图6所示，所述第三采样电阻rcs3的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs，另一端接地。本实施例的电源模组为隔离场合的小功率led驱动电源应用，适用于两绕组flyback(3w～25w)。实施例四本实施例提供一种合封整流桥的封装结构，与实施例一～三的不同之处在于，所述合封整流桥的封装结构1还包括电源地管脚bgnd，所述整流桥的第二输出端不连接所述信号地管脚gnd，而连接所述电源地管脚bgnd，相应地，所述整流桥的设置方式也做适应性修改，在此不一一赘述。如图7所示，本实施例还提供一种电源模组，所述电源模组与实施例二的不同之处在于，所述电源模组中的合封整流桥的封装结构1采用本实施例的合封整流桥的封装结构1，还包括第六电容c6及第二电感l2。具体地。 福建进口英飞凌infineon整流桥模块工厂直销