北京IPM封装测试

突破「微小化」竞争格局，凭借异质整合微小化优势，系统级封装能集成不同制程技术节点 (technology node)，不同功能、不同供货商，甚至是不同半导体原材料的组件，整体可为产品节省约30-40%的空间，也能依据需求客制模块外型并一定程度简化系统主板设计，让主板、天线及机构的设计整合上更加有弹性。同时，相较于IC制程的开发限制，系统整合模块可以在系统等级功能就先进行验证与认证，加速终端产品开发，集中系统产品研发资源。 SiP技术是全球封测业者较看重的焦点，系统级封装(SiP)技术的突破正在影响产业供应链、改变竞争格局。云茂电子从Wi-Fi模块产品就开始进行布局、站稳脚步，积累多年在射频、穿戴式装置等产品的丰富制程经验，透过「一站式系统级封装服务」协助客户实现构想。 SiP 封装所有元件在一个封装壳体内，缩短了电路连接，见笑了阻抗、射频、热等损耗影响。北京IPM封装测试

2.5D SIP，2.5D本身是一种在客观世界并不存在的维度，因为其集成密度超越了2D，但又达不到3D集成密度，取其折中，因此被称为2.5D。其中的表示技术包括英特尔的EMIB、台积电的CoWos、三星的I-Cube。在先进封装领域，2.5D是特指采用了中介层（interposer）的集成方式，中介层目前多采用硅材料，利用其成熟的工艺和高密度互连的特性。物理结构：所有芯片和无源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和无源器件安装在中介层上，在XY平面的上方有中介层的布线和过孔，在XY平面的下方有基板的布线和过孔。电气连接：中介层可提供位于中介层上芯片的电气连接。虽然理论上讲，中介层可以有TSV也可以没有TSV，但在进行高密度互连时，TSV几乎是不可或缺的，中介层中的TSV通常被称为2.5D TSV。重庆系统级封装方案SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的优势。

SiP具有以下优势：降低成本 – 通常伴随着小型化，降低成本是一个受欢迎的副作用，尽管在某些情况下SiP是有限的。当对大批量组件应用规模经济时，成本节约开始显现，但只限于此。其他可能影响成本的因素包括装配成本、PCB设计成本和离散 BOM（物料清单）开销，这些因素都会受到很大影响，具体取决于系统。良率和可制造性 – 作为一个不断发展的概念，如果有效地利用SiP专业知识，从模塑料选择，基板选择和热机械建模，可制造性和产量可以较大程度上提高。

SiP封装工艺介绍，SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式进行区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。相对于2D封装，采用堆叠的3D封装技术又可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加了可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力。而内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先进的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介层）将裸晶通过TSV（硅穿孔工艺）与基板结合。SIP与SOC，SOC(System On a Chip，系统级芯片)是将原本不同功能的IC，整合到一颗芯片中。

为了在 SiP 应用中得到一致的优异细间距印刷性能，锡膏的特性如锡粉尺寸、助焊剂系统、流变性、坍塌特性和钢网寿命都很重要，都需要被仔细考虑。合适的钢网技术、设计和厚度，配合印刷时使用好的板支撑系统对得到一致且优异的锡膏转印效率也是很关键的。回流曲线需要针对不同锡膏的特性进行合适的设计来达到空洞较小化。从目前的01005元件缩小到008004，甚至于下一代封装的0050025，锡膏的印刷性能变得非常关键。从使用 3 号粉或者 4 号粉的传统表面贴装锡膏印刷发展到更为复杂的使用 5、6 号粉甚至 7 号粉的 SiP 印刷工艺。新的工艺钢网开孔更小且钢网厚度更薄，对可接受的印刷锡膏体积的差异要求更为严格。除了必须要印刷更小和更薄的锡膏沉积，相邻焊盘的间隙也更小了。有些厂家已经开始尝试50 μm 的焊盘间隙。SiP涉及许多类型的封装技术，如超精密表面贴装技术（SMT）、封装堆叠技术，封装嵌入式技术等。湖南MEMS封装方式

SOC与SIP都是将一个包含逻辑组件、内存组件、甚至包含无源组件的系统，整合在一个单位中。北京IPM封装测试

硅中介层具有TSV集成方式为2.5D集成技术中较为普遍的方式，芯片一般用MicroBump与中介层连接，硅基板做中介层使用Bump与基板连接，硅基板的表面采用RDL接线，TSV是硅基板上、下表面的电连接通道，该2.5D集成方式适用于芯片尺寸相对较大的场合，当引脚密度较大时，通常采用Flip Chip方式将Die键合到硅基板中。硅中介层无TSV的2.5D集成结构一般如下图所示，有一颗面积较大的裸芯片直接安装在基板上，该芯片和基板的连接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip两种方式。大芯片上方由于面积较大，可以安装多个较小的裸芯片，但是小芯片无法直接连接到基板，所以需要插入一块中介层，若干裸芯片安装于中介层之上，中介层具有RDL布线可以从中介层边缘引出芯片信号，再经Bond Wire 与基板相连。这种中介层一般无需TSV，只需在interposer的上层布线来实现电气互连，interposer采用Bond Wire和封装基板连接。北京IPM封装测试

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