北京IPM封装技术

SIP工艺解析：引线键合，在塑料封装中使用的引线主要是金线，其直径一般0.025mm～0.032mm。引线的长度常在1.5mm～3mm之间，而弧圈的高度可比芯片所在平面高0.75mm。键合技术有热压焊、热超声焊等。等离子清洗，清洗的重要作用之一是提高膜的附着力。等离子体处理后的基体表面，会留下一层含氯化物的灰色物质，可用溶液去掉。同时清洗也有利于改善表面黏着性。液态密封剂灌封，将已贴装好芯片并完成引线键合的框架带置于模具中，将塑封料的预成型块在预热炉中加热，并进行注塑。SiP技术路线表明，越来越多的半导体芯片和封装将彼此堆叠，以实现更深层次的3D封装。北京IPM封装技术

SiP还具有以下更多优势：可靠性 – 由于SiP与使用分立元件（如IC或无源器件）的PCB系统非常相似，因此它们至少具有相同的预期故障概率。额外的可靠性来自所涉及的封装，这可以增强系统并为设备提供更长的使用寿命。一个例子是使用模塑来封装系统，从而保护焊点免受物理应力的影响。天线集成 – 在许多无线应用（蓝牙、WiFi）中，都需要天线。在系统级封装解决方案中，天线可以集成到封装中，与RF IC的距离非常短，从而确保无线解决方案的更高性能。但是，对于完整的视图，我们必须承认SiP也可能有一些缺点。江苏陶瓷封装市价通信SiP在无线通信领域的应用较早，也是应用较为普遍的领域。

不同类别芯片进行3D集成时，通常会把两个不同芯片竖直叠放起来，通过TSV进行电气连接，与下面基板相互连接，有时还需在其表面做RDL，实现上下TSV连接。4D SIP，4D集成定义主要是关于多块基板的方位和相互连接方式，因此在4D集成也会包含2D，2.5D，3D的集成方式。物理结构：多块基板采用非平行的方式进行安装，且每一块基板上均设有元器件，元器件的安装方式具有多样性。电气连接：基板间采用柔性电路或焊接的方式相连，基板中芯片的电气连接多样化。

面对客户在系统级封装产品的设计需求，云茂电子具备完整的数据库，可在整体微小化的基础上，提供料件及设计的较佳解，接着开始进行电路布局(Layout) 与构装(Structure)设计。经过封装技术，将整体电路及子系统塑封在一个光「芯片」大小的模块。 高密度与高整合的模块化设计前期的模拟与验证特别至关重要，云茂电子提供包含载板设计和翘曲仿真、电源/讯号完整性分析(PI/SI)、热流模拟分析(Thermal)等服务确保模块设计质量。实验室内同时也已经为系统整合验证建置完整设备，协助客户进行模块打件至主板后的射频校准测试与通讯协议验证，并提供系统级功能性与可靠度验证。 SIP技术具有一系列独特的技术优势，满足了当今电子产品更轻、更小和更薄的发展需求。

几种类型的先进封装技术：首先就是 SiP，随着 5G 的部署加快，这类封装技术的应用范围将越来越普遍。其次是应用于 Chiplet SiP 的 2.5D/3D 封装，以及晶圆级封装，并且利用晶圆级技术在射频特性上的优势推进扇出型（Fan-Out）封装。很多半导体厂商都有自己的 SiP 技术，命名方式各有不同。比如，英特尔叫 EMIB、台积电叫 SoIC。这些都是 SiP 技术，差别就在于制程工艺。在智能手机领域，除射频模块外，通用单元电路小型化需求正推升 SiP 技术的采用率；可穿戴领域，已经有在耳机和智能手表上应用 SiP 技术。SiP 封装优势：缩短产品研制和投放市场的周期。广西系统级封装定制

SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术。北京IPM封装技术

SIP工艺解析，引线键合封装工艺工序介绍：圆片减薄，为保持一定的可操持性，Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄，才适用于切割、组装，一般需要研磨到200um左右，一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。圆片切割，圆片减薄后，可以进行划片，划片前需要将晶元粘贴在蓝膜上，通过sawwing工序，将wafer切成一个 一个 单独的Dice。目前主要有两种方式：刀片切割和激光切割。芯片粘结，贴装的方式可以是用软焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中较常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。北京IPM封装技术

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