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艾赛斯IXYS二极管模块基本参数
  • 品牌
  • 艾赛斯IXYS
  • 型号
  • 二极管模块
艾赛斯IXYS二极管模块企业商机

    二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件[1]。它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开[2]。二极管是早诞生的半导体器件之一,其应用非常广。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能[3]。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中,都可以找到二极管的踪迹[3]。中文名二极管外文名Diode特性单向导电性应用家用电器、工业控制电路等类别半导体器件组成材料硅、硒、锗等目录1结构组成2工作原理▪PN结形成原理▪PN结单向导电性3主要分类▪点接触型二极管▪面接触型二极管▪平面型二极管▪稳压管▪光电二极管▪发光二极管4特性参数▪伏安特性▪正向特性▪反向特性▪击穿特性▪反向电流▪动态电阻▪电压温度系数▪高工作频率▪大整流电流▪高反向工作电压5检测方法▪小功率晶体二极管▪双向触发二极管▪瞬态电压抑制二极管▪高频变阻二极管▪变容二极管▪单色。 当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。河南哪里有艾赛斯IXYS二极管模块联系方式

艾赛斯IXYS二极管模块

    二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(VaricapDiode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体(“Cat‘sWhisker”Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(ThermionicValves)”)。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。代理艾赛斯IXYS二极管模块货源充足IXYS先后收购了ZILOG,WESTCODE,DEI,CLARE.MWT等公司。

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    电路中电流增加很快,灯泡发光。随着电流增大,二极管VD两端电压维持在0.6~0.7V之间不再增加。由此可见,在正向偏置情况下,二极管表现出不同电压下具有不同的电阻值。为了准确描述这个物理现象,可以记录每个电压下对应的电流,从而描绘成曲线,可得到图(b)所示的二极管正向电流、电压关系特性在图(b)所示正向特性中,当正向电压较小时,正向电流几乎为零(曲线OA段),这时二极管并未真正导通,这一段所对应的电压称为二极管的死区电压或阈值电压,通常硅管约为0.5V,锗管约为0.2V。当正向电压大于死区电压后,正向电流迅速增加,这时二极管才真正导通,由图(b)可见,在A点以后曲线很陡,说明二极管两端电压几乎恒定,硅管约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3v。2.反向偏置与截止状态二极管阳极接低电位,阴极接高电位,连接电路如图(a)所示,这种连接称为二极管的反向偏置。此时调节串联在电路中的电阻大小发现,即使二极管两端反向电压较高时,电路中仍然几乎没有电流,灯泡不发光。当二极管两端反向电压到达足够大时(对于各种二极管该电压数值不同),二极管会突然导通,并造成二极管的长久损坏。同样可将反向偏置情况下的二极管电流与电压关系描绘成曲线。

    稳压源,放大器以及电子仪器的保护电路等瞬态电压抑制二极管又称瞬变电压抑制二极管,双向击穿二极管,简称TVS。瞬态抑制二极管不会被击穿,它能够在电压极高时降低电阻,使电流分流或控制其流向,从而保护电路元件在瞬间电压过高的情况下不被烧毁。双向触发二极管又称二端交流器件DIAC或双向二极管。常用来出发双向晶闸管,还可构成过压保护电路等。变阻二极管变阻二极管是利用PN结之间等效电阻可变的原理制成的,主要应用于10-1000MHz高频电路或开关电源等电路,做可调衰减器,起限幅,保护等作用。隧道二极管又称江崎二极管,它是以隧道效应电流为主要电流分量的二极管,结构简单,变化速度快,功耗小。在高速脉冲计数中有广泛应用。可用隧道二极管构成双稳电路,单稳电路,多谐振荡器,以及用作整形和分频。双基极二极管又称单节晶体管,是具有一个PN结的三端负阻器件。广泛应用于各种振荡器,定时器和控制器电路中磁敏二极管磁敏二极管可以在较弱的磁场作用下,产生较高的输出电压,并随着磁场方向的改变同步输出变化的正、负电压。在磁力探测,电流测量,无触点开关,位移测量,转速测量,无刷直流电机的自动控制等方面得到广泛应用。温敏二极管在一定偏置电流下。 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。

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    正向导电,反向不导电)晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因)。当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因)。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。 二极管是常用的电子元件之一,他比较大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过。河南哪里有艾赛斯IXYS二极管模块联系方式

IXYS公司拥有超过2,500个分布于通讯,交通运输,工业,医疗和消费类公司的客户群,是一个全球性半导体供应商。河南哪里有艾赛斯IXYS二极管模块联系方式

    1、比较高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了比较高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。2、反向电流反向电流是指二极管在规定的温度和比较高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。3、比较大整流电流是指二极管长期连续工作时允许通过的比较大正向电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管比较大整流电流值。 河南哪里有艾赛斯IXYS二极管模块联系方式

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重庆艾赛斯IXYS二极管模块厂家电话 2024-06-28

二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。二极管的主要参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:1、额定正向工作电流是指二极管长期连续工作时允许通过的大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。2、高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,...

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