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英飞凌infineon整流桥模块基本参数
  • 品牌
  • 英飞凌
  • 型号
  • 整流桥模块
英飞凌infineon整流桥模块企业商机

    本实用新型涉及半导体器件领域,特别是涉及一种合封整流桥的封装结构及电源模组。背景技术:目前照明领域led驱动照明正在大规模代替节能灯的应用,由于用量十分巨大,对于成本的要求比较高。随着系统成本的一再降低,主流的拓扑架构基本已经定型,很难再从外圈节省某个元器件,同时芯片工艺的提升对于高压模拟电路来说成本节省有限,基本也压缩到了。目前的主流的小功率交流led驱动电源方案一般由整流桥、芯片(含功率mos器件)、高压续流二极管、电感、输入输出电容等元件组成,系统中至少有三个不同封装的芯片,导致芯片的封装成本高,基本上占到了芯片成本的一半左右,因此,如何节省封装成本,已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素:鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种合封整流桥的封装结构及电源模组,用于解决现有技术中芯片封装成本高的问题。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种合封整流桥的封装结构,所述合封整流桥的封装结构至少包括:塑封体,设置于所述塑封体边缘的火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚、漏极管脚、采样管脚。 整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接,两只的为半桥,四只的则称全桥。湖南代理英飞凌infineon整流桥模块厂家电话

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    所述功率开关管可通过所述信号地基岛14及所述信号地管脚gnd实现散热。需要说明的是,所述控制芯片12可根据设计需要设置在不同的基岛上。当设置于所述信号地基岛14上时所述控制芯片12的衬底与所述信号地基岛14电连接,散热效果好。当设置于其他基岛上时所述控制芯片12的衬底与该基岛绝缘设置,包括但不限于绝缘胶,以防止短路,散热效果略差。具体设置方式可根据需要进行设定,在此不一一赘述。本实施例的合封整流桥的封装结构采用两基岛架构,将整流桥,功率开关管及逻辑电路集成在一个引线框架内,其中,一个引线框架是指形成于同一塑封体中的管脚、基岛、金属引线及其他金属连接结构;由此,本实施例可降低封装成本。如图2所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组包括:所述合封整流桥的封装结构1,一电容c1,负载及一采样电阻rcs1。如图2所示,所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线,零线管脚n连接零线,信号地管脚gnd接地。如图2所示,所述一电容c1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端接地。如图2所示,所述负载连接于所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv与漏极管脚drain之间。具体地,在本实施例中。 江西英飞凌infineon整流桥模块服务电话在直流输出引脚铜板间有两块连接铜板,他们分别与输入引**流输入导线)相连。

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    n型二极管的下层为n型掺杂区,上层为p型掺杂区,下层底面镀银,上层顶面镀铝;第三整流二极管dz3及第四整流二极管dz4为p型二极管,p型二极管的下层为p型掺杂区,上层为n型掺杂区,下层底面镀银,上层顶面镀铝。所述一整流二极管dz1的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于高压供电基岛13上,正极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第二整流二极管dz2的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上,正极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管脚l。所述第三整流二极管dz3的正极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于信号地基岛14上,负极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第四整流二极管dz4的正极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述信号地基岛14上,负极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管脚l。需要说明的是,所述整流二极管可以是由单一pn结构成的二极管,也可以是通过其他形式等效得到的二极管结构,包括但不限于mos管,在此不一一赘述。需要说明的是,本实用新型中所述的“连接至管脚”包括但不限于通过金属引线直接连接管脚(金属引线的一端设置在管脚上),还包括通过金属引线连接与管脚连接的导电部件。

    1、铝基导热底板:其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道,并作为整个模块的结构基础。因此,它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接,又因它们之间热线性膨胀系数铝为16.7×10-6/℃,DBC约不5.6×10-6/℃)相差较大,为此,除需采用掺磷、镁的铜银合金外,并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯,这种存在s一定弧度的焊成品,能在模块装置到散热器上时,使它们之间有充分的接触,从而降低模块的接触热阻,保证模块的出力。2、DBC基板:它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成,它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性,并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4.2×10-6/℃,DBC为5.6×10-6/℃),因而可以与硅芯片直接焊接,从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时,DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形,以用作主电路端子和控制端子的焊接支架,并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘,使模块具有有效值为2.5kV以上的绝缘耐压。3、电力半导体芯片:超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护,并在模块制作过程中再涂有RTV硅橡胶,并灌封有弹性硅凝胶和环氧树脂。 整流桥可以有4个单独的二极管连接而成。

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    负极连接所述高压续流二极管的负极;所述高压续流二极管的正极通过基岛或引线连接所述漏极管脚;所述逻辑电路的高压端口连接所述高压供电管脚。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型还提供一种电源模组,所述电源模组至少包括:上述合封整流桥的封装结构,一电容,负载及一采样电阻;所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线,零线管脚连接零线,信号地管脚接地;所述一电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端接地;所述负载连接于所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚与漏极管脚之间;所述一采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚,另一端接地。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型还提供一种电源模组,所述电源模组至少包括:上述合封整流桥的封装结构,第二电容,第三电容,一电感,负载及第二采样电阻;所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线,零线管脚连接零线,信号地管脚接地;所述第二电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端接地;所述第三电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端经由所述一电感连接所述合封整流桥的封装结构的漏极管脚。 为降低开关电源中500kHz以下的传导噪声,有时用两只普通硅整流管与两只快恢复二极管组成整流桥。河北英飞凌infineon整流桥模块哪家好

多组三相整流桥相互连接,使得整流桥电路产生的谐波相互抵消。湖南代理英飞凌infineon整流桥模块厂家电话

    b)整流桥自带散热器。1、整流桥不带散热器对于整流桥不带散热器而采用强迫风冷这种情况,其分析的过程同自然冷却一样,只不过在计算整流桥外壳向环境间散热的热阻和PCB板与环境间的传热热阻时,对其换热系数的选择应该按照强迫风冷情形来进行,其数值通常为20~30W/m2C。也即是:于是可以得到整流桥壳体表面的传热热阻和通过引脚的传热热阻为:于是整流桥的结-环境的总热阻为:由上述整流桥不带散热器的强迫对流冷却分析中可以看出,通过整流桥壳体表面的散热途径与通过引脚进行散热的热阻是相当的,一方面我们可以通过增加其冷却风速的大小来改变整流桥的换热状况,另一方面我们也可以采用增大PCB板上铜的覆盖率来改善PCB板到环境间的换热,以实现提高整流桥的散热能力。2、整流桥自带散热器当整流桥自带散热器进行强迫风冷来实现其散热目的时,该种情况下的散热途径对比整流桥自然冷却和带散热器的强迫风冷散热这两种散热途径,可以发现其根本的差异在于:散热器的作用地改善了整流桥壳体与环境间的散热热阻。如果忽约散热器与整流桥间的接触热阻,则结合整流桥不带散热器的传热分析,我们可以得到整流桥带散热器进行冷却的各散热途径热阻分别如下:。 湖南代理英飞凌infineon整流桥模块厂家电话

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上海英飞凌infineon整流桥模块 2024-09-28

因此我们可以用散热器的基板温度的数值来代替整流桥的壳温,这样不在测量上易于实现,还不会给终的计算带来不可容忍的误差。折叠仿真分析整流桥在强迫风冷时的仿真分析前面本文从不同情形下的传热途径着手,用理论的方法分析了整流桥在三种不同冷却方式下的传热过程,在此本文通过仿真软件详细的整流桥模型来对带有散热器、强迫风冷下的整流桥散热问题进行进一步的阐述。图5、仿真计算模型如上图是仿真计算的模型外型图。在该模型中,通过解剖一整流桥后得到的相关尺寸参数来进行仿真分析模型的建立。其仿真分析结果如下所示:图6、整流桥散热器基板温度分布有上图可以看出,整流桥散热器的基板温度分布相对而言还是比较均匀的,约70℃左右。...

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