HMC451LC3TR功能超紧凑型SC70和TSOT封装低温系数8引线SOIC:3ppm/°C典型5-铅SC70:9ppm/°C最大值5-铅TSOT:9ppm/°C最大值初始精度±0.1%不需要外部电容器低噪声10µVp-p，0.1Hz至10.0Hz（ADR02）操作范围广ADR01:12.0V至36.0VADR02:7.0伏至36.0伏ADR03:4.5V至36.0VADR06:5.0V至36.0V高输出电流10mA宽温度范围：−40°C至+125°CADR01/ADR02/ADR03引脚与行业标准REF01/REF02/REF03兼容ADR01、ADR02、ADR03、ADR06SOIC（A级）合格用于汽车应用应用程序精密数据采集系统高分辨率转换器工业过程控制系统精密仪器自动电池监测PCMCIA卡该品牌的IC芯片的欠压锁定特性防止了系统在电源不稳定的情况下运行。ADMP421ACEZ-RL
ADXL354BEZ-RL7是一款由AnalogDevices制造的加速度传感器。它具有±2g和±4g的量程范围，可以检测X、Y、Z三个轴向的加速度，具有，输出类型为模拟电压，工作电压范围是。其封装为14-CLCC，可以在-40°C~125°C的温度范围内正常工作1。ADXL354BEZ-RL7常应用于各种数据采集、振动分析、运动监测等系统中。ADXL354BEZ-RL7是一款由AnalogDevices制造的加速度传感器。它具有±2g和±4g的量程范围，可以检测X、Y、Z三个轴向的加速度，具有，输出类型为模拟电压，工作电压范围是。其封装为14-CLCC，可以在-40°C~125°C的温度范围内正常工作1。ADXL354BEZ-RL7常应用于各种数据采集、振动分析、运动监测等系统中。 AD2S1210ASTZ-RL7ADI的IC芯片设计精良，能够确保在各种环境条件下稳定运行。
HMC1118LP3DETR是一款由HittiteMicrowave公司制造的宽带压控振荡器（VCO）。它具有频率范围从2.5GHz到11.5GHz，调谐电压为±12V，输出功率为+13dBm，相位噪声为-85dBc/Hz@10kHz，具有+3dBm的内置功率限制功能等特点。它使用三个端子进行连接，包括一个接地端子、一个用于调谐电压输入的端子和用于信号输出的端子。该芯片采用标准表面贴装封装，适用于多种无线通信系统，如无线局域网（WLAN）、长期演进（LTE）和全球定位系统（GPS）等。总之，HMC1118LP3DETR是一款宽带压控振荡器，具有宽频率范围、低相位噪声和调谐电压可调等特点，适用于多种无线通信系统。
AD9361BBCZ是一款高性能、高度集成的射频（RF）收发器，适用于70MHz至6GHz的宽频率范围应用。它提供了一个完整的单芯片解决方案，可实现高性能的信号接收和发送，同时保持低功耗和紧凑的封装尺寸。该芯片的主要特点包括：高性能、低噪声接收器，可实现高动态范围的信号接收。支持多种频率标准和调制方案。支持多点协作定位（LP-CO篱笆）功能，可以作为卫星导航接收器使用。支持输出信号功率高达+22dBm的高功率发射器。可编程衰减器可以灵活控制发射功率电平。具有I2C、SPI、GPIO和其他数字接口，便于与主机处理器进行通信和控制。总之，AD9361BBCZ是一款高性能、高度集成的RF收发器芯片，适用于无线通信应用领域。ADI的IC芯片的出色噪声抑制使其在嘈杂环境中也能保持稳定。
AD8314ARMZ是一款由AnalogDevices制造的低成本、完整的射频信号测量与控制子系统，工作频率范围为100MHz至，典型动态范围为45dB，主要用于各种蜂窝手机和其他无线设备。与采用分立式二极管检波器的方案相比，AD8314ARMZ能够提供更宽的动态范围和更高的精度，并且在整个工作温度范围内的温度稳定性尤为出色。它本质上是一种电压响应装置，具有高灵敏度，允许在低功率水平下进行控制，从而减少需要耦合到探测器的功率。总之，AD8314ARMZ是一款低成本、完整的射频信号测量与控制子系统，具有宽动态范围、高精度和出色的温度稳定性等特点，适用于各种蜂窝手机和其他无线设备的射频信号测量和控制。 ADI的IC芯片设计简洁大方，易于集成到各种设备中。AD8029AKS
ADI品牌的IC芯片在提高设备便携性的同时，还能保证出色的性能和稳定性。ADMP421ACEZ-RL
HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAsIC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器，在接近直流的情况下工作，使得它非常适合各种RF和IF应用。在DC到3.8GHz频率下运行，插入损耗低于2.0dB典型值。衰减器位值为0.5(LSB)、1、2、4、8和16dB，总衰减为31.5dB。衰减精度非常高，典型步长误差为±0.25dB，IIP3为+54dBm。使用六个TTL/CMOS控制输入来选择每个衰减状态。需要+5V的单个Vdd偏置1。它主要应用在3G基础设施和接入点蜂窝、测试设备和传感器GSM、WCDMA和TD-SCDMA等中。ADMP421ACEZ-RL
