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艾赛斯IXYS二极管模块基本参数
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  • 艾赛斯IXYS
  • 型号
  • 二极管模块
艾赛斯IXYS二极管模块企业商机

    二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。二极管的主要参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:1、额定正向工作电流是指二极管长期连续工作时允许通过的大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。2、高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。3、反向电流反向电流是指二极管在规定的温度和高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25时反向电流若为250uA,温度升高到35,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75时,它的反向电流已达8mA。 二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路。陕西代理艾赛斯IXYS二极管模块代理商

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被长久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。 浙江艾赛斯IXYS二极管模块货源充足二极管常见的功能是允许电流沿一个方向(称为二极管的正向)通过,而沿相反的方向(反向)阻止电流通过。

    在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。4、肖特基二极管的作用及其接法-续流肖特基二极管并联在线两端,当流过线圈中的电流消失时,线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉.从而保护了电路中的其它原件的安全.续流二极管在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端,当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失,此时残余电动势通过一个肖特基二极管释放,起这种作用的二极管叫续流二极管。电感线圈、继电器、可控硅电路等都会用到续流二极管防止反向击穿现象。凡是电路中的继电器线圈两端和电磁阀接口两端都要接续流二极管。接法如上面的图,肖特基二极管的负极接线圈的正极,肖特基二极管的正极接线圈的负极。不过,你要清楚,续流二极管并不是利用肖特基二极管的反方向耐压特性,而是利用肖特基二极管的单方向正向导通特性。5、肖特基二极管的作用及其接法-检波检波(也称解调)肖特基二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来,广应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中,其工作频率较高,处理信号幅度较弱。

    二极管的两根引脚分别称为阳极和阴极,由P型半导体一侧引出的电极称为阳极,由N型半导体一侧引出的电极称为阴极。在二极管符号中,三角形底边一端为阳极,另一端为阴极。符号形象地表示了二极管电流流动的方向,即电流只能从阳极流向阴极,而不允许反方向流动。二极管是将PN结封装起来,并分别引出电极制成的。所谓PN结是将半导体材料(硅或锗)利用特殊工艺制成P型半导体和N型半导体,并将这两块半导体用专门技术结合起来,在它们的交界面上就会形成一个称为PN结的特殊结构。这个PN结对来自两个方向的电流呈现不同的性质,在外加电压足够大时(一般约0.3~0.6V),电流只能从阳极(P型半导体一侧)流向阴极(N型半导体一侧),反方向是不能导通的。二极管的电流、电压关系是指管内流过的电流与其两端所加电压之间的关系。对二极管施加正向电压和反向电压两种情况时,对应有二极管的导通状态和截止状态。1.正向偏置与导通状态二极管阳极接高电位,阴极接低电位,连接电路如图(a)所示,这种连接称为二极管的正向偏置。此时调节串联在电路中的电阻大小可以发现,当二极管VD两端正向电压较低时(小于0.5V),电路中几乎没有电流,灯泡也不发光;当二极管两端正向电压大于0.5V后。 二极管可以被视为止回阀的电子版本。这种单向行为称为整流,用于将交流电(ac)转换为直流电(dc)。

    检波肖特基二极管在电子电路中用来把调制在高频电磁波上的低频信号(如音频信号)检出来。一般高频检波电路选用锗点接触型检波二极管。它的结电容小,反向电流小,工作频率高。6、肖特基二极管的作用及其接法-变容变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管",是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容肖特基二极管的电容量一般较小,其大值为几十皮法到几百皮法,大区容与小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。当外加顺向偏压时,有大量电流产生,PN(正负极)结的耗尽区变窄,电容变大,产生扩散电容效应;当外加反向偏压时,则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生,所以在应用上均供给反向偏压。肖特基二极管应用SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流,在高速计算机中被广采用。 二极管是双端子电子元件,传导电流主要在一个方向(非对称电导)。福建代理艾赛斯IXYS二极管模块代理商

变容二极管(VaricapDiode)则用来当作电子式的可调电容器。陕西代理艾赛斯IXYS二极管模块代理商

    二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(VaricapDiode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体(“Cat‘sWhisker”Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(ThermionicValves)”)。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。陕西代理艾赛斯IXYS二极管模块代理商

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