DDR-致性测试探测和夹具
DDR的信号速率都比较高,要进行可靠的测量,通常推荐的探头连接方式是使用焊接式 探头。还有许多很难在PCB板上找到相应的测试焊盘的情况(比如釆用盲埋孔或双面BGA 焊接的情况),所以Agilent还提供了不同种类的BGA探头,通过对板子做重新焊接将BGA 的Adapter焊接在DDR的memory chip和PCB板中间,并将信号引出。DDR3的 BGA探头的焊接例子。
DDR是需要进行信号完整性测试的总线中复杂的总线,不仅走线多、探测困难,而且 时序复杂,各种操作交织在一起。本文分别从时钟、地址、命令、数据总线方面介绍信号完 整性一致性测试的一些要点和方法,也介绍了自动化测试软件和测试夹具,但是真正测试DDR 总线仍然是一件比较有挑战的事情。 D9050DDRC DDR5 发射机合规性测试软件.福建校准DDR一致性测试

按照存储信息方式的不同,随机存储器又分为静态随机存储器SRAM(Static RAM)和 动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM运行速度较快、时延小、控制简单,但是 SRAM每比特的数据存储需要多个晶体管,不容易实现大的存储容量,主要用于一些对时 延和速度有要求但又不需要太大容量的场合,如一些CPU芯片内置的缓存等。DRAM的 时延比SRAM大,而且需要定期的刷新,控制电路相对复杂。但是由于DRAM每比特数据存储只需要一个晶体管,因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特点,目前已经成为大 容量RAM的主流,典型的如现在的PC、服务器、嵌入式系统上用的大容量内存都是DRAM。福建校准DDR一致性测试DDR 设计、测试、验证和一致性测试。

JEDEC组织发布的主要的DDR相关规范,对发布时间、工作频率、数据 位宽、工作电压、参考电压、内存容量、预取长度、端接、接收机均衡等参数做了从DDR1 到 DDR5的电气特性详细对比。可以看出DDR在向着更低电压、更高性能、更大容量方向演 进,同时也在逐渐采用更先进的工艺和更复杂的技术来实现这些目标。以DDR5为例,相 对于之前的技术做了一系列的技术改进,比如在接收机内部有均衡器补偿高频损耗和码间 干扰影响、支持CA/CS训练优化信号时序、支持总线反转和镜像引脚优化布线、支持片上 ECC/CRC提高数据访问可靠性、支持Loopback(环回)便于IC调测等。
克劳德高速数字信号测试实验室
DDR SDRAM即我们通常所说的DDR内存,DDR内存的发展已经经历了五代,目前 DDR4已经成为市场的主流,DDR5也开始进入市场。对于DDR总线来说,我们通常说的 速率是指其数据线上信号的快跳变速率。比如3200MT/s,对应的工作时钟速率是 1600MHz。3200MT/s只是指理想情况下每根数据线上比较高传输速率,由于在DDR总线 上会有读写间的状态转换时间、高阻态时间、总线刷新时间等,因此其实际的总线传输速率 达不到这个理想值。 用于 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 调试和验证的总线解码器。

我们看到,在用通用方法进行的眼图测试中,由于信号的读写和三态都混在一起,因此很难对信号质量进行评估。要进行信号的评估,第1步是要把读写信号分离出来。传统上有几种方法用来进行读写信号的分离,但都存在一定的缺陷。可以利用读写Preamble的宽度不同用脉冲宽度触发,但由于JEDEC只规定了WritePreamble宽度的下限,因此不同芯片间Preamble的宽度可能是不同的,而且如果Read/Write的Preamble的宽度一样,则不能进行分离。也可以利用读写信号的幅度不同进行分离,如图7-138中间 的图片所示,但是如果读写信号幅度差别不大,则也不适用6还可以根据RAS、CAS、CS、 WE等控制信号来分离读写,但这种方法要求通道数多于4个,只 有带数字通道的MSO示波器才能满足要求,比如Agilent的MS09000A系列或者 MSOX90000A系列,对于用户示波器的要求比较高。DDR眼图读写分离的传统方法。福建校准DDR一致性测试
DDR时钟总线的一致性测试。福建校准DDR一致性测试
DDR总线上需要测试的参数高达上百个,而且还需要根据信号斜率进行复杂的查表修 正。为了提高DDR信号质量测试的效率,比较好使用御用的测试软件进行测试。使用自动 测试软件的优点是:自动化的设置向导避免连接和设置错误;优化的算法可以减少测试时 间;可以测试JEDEC规定的速率,也可以测试用户自定义的数据速率;自动读/写分离技 术简化了测试操作;能够多次测量并给出一个统计的结果;能够根据信号斜率自动计算建 立/保持时间的修正值。福建校准DDR一致性测试
DDR 规范的 DC 和 AC 特性 对于任何一种接口规范的设计,首先要搞清楚系统中传输的是什么样的信号,也就是驱动器能发出什么样的信号,接收器能接受和判别什么样的信号,用术语讲,就是信号的DC和AC特性要求。 在DDR规范文件JEDEC79R2.pdf的第51页[TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDCOPERATINGCONDITIONS]中对DDR的DC有明确要求:VCC=+2.5V+0.2V,Vref=+1.25V±0.05V,VTT=Vref±0.04V. 在我们的实际设计中,除了要精确设计供电电源模块之外,还需要对整个电源系统...