HMC451LC3TR是一款高效GaAsPHEMTMMIC中等功率放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装1。该放大器具有5至20GHz的工作范围，提供19dB增益、+21dBm饱和功率和21%PAE（+）。50Ω匹配放大器无需任何外部元件，且RFI/O经过隔直，非常适合用作线性增益模块或HMCSMT混频器驱动器1。HMC451LC3TR是一款高效GaAsPHEMTMMIC中等功率放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装1。该放大器具有5至20GHz的工作范围，提供19dB增益、+21dBm饱和功率和21%PAE（+）。50Ω匹配放大器无需任何外部元件，且RFI/O经过隔直，非常适合用作线性增益模块或HMCSMT混频器驱动器1。该品牌的IC芯片具有很长的使用寿命，减少了更换成本。AD5560JSVUZ-REEL
AD9380KSTZ-150是一款由AnalogDevices制造的高性能、四通道、直接数字频率合成器（DDS）IC芯片，采用小型28引脚SSOP封装。该芯片的主要特点包括高性能、高分辨率、高速频率合成、直接数字频率合成（DDS）、频率捷变、宽带宽、低相位噪声、低相位失真和内置可编程放大器（PGA）。它利用先进的DDS技术，实现高精度、高速频率合成和捷变，以及低相位噪声和失真的信号生成。AD9380KSTZ-150的主要应用领域包括通信系统、无线电、雷达、电子战、信号处理等，用于实现高性能频率合成器、信号生成、捷变器和信号处理等功能。总之，AD9380KSTZ-150是一款高性能、四通道、直接数字频率合成器IC芯片，具有高精度、高速频率合成、捷变、宽带宽、低相位噪声和失真等特点，适用于多种通信和信号处理等领域的复杂应用中，用于实现高性能频率合成和信号生成。 ADR435ARMZ-REEL7无论是从性能还是可靠性考虑，ADI品牌的IC芯片都是一个值得信赖的选择。
ADM3057EBRWZ-RL是一款由AnalogDevices（亚德诺）制造的开关模式升压型DC/DC转换器，采用SOIC-20封装方式12。ADM3057EBRWZ-RL具有固定5.0V输出电压，可连续调整输出电压，输入电压为40V，小启动电压为4.5V，转换效率为92%，具有过热和过电流保护等特点1。该芯片主要应用于空间受限的、需要高效率DC/DC转换的应用中，如便携式电子设备、电信和网络设备、工业自动化、测试和测量设备等。ADM3057EBRWZ-RL是一款由AnalogDevices（亚德诺）制造的开关模式升压型DC/DC转换器，采用SOIC-20封装方式12。ADM3057EBRWZ-RL具有固定5.0V输出电压，可连续调整输出电压，输入电压为40V，小启动电压为4.5V，转换效率为92%，具有过热和过电流保护等特点1。该芯片主要应用于空间受限的、需要高效率DC/DC转换的应用中，如便携式电子设备、电信和网络设备、工业自动化、测试和测量设备等。
ADM7172ACPZ-1.8-R7是一款由AnalogDevices制造的电流模式、高效率、降压型开关转换器。采用可调节输出电压，输出电流可达1A，开关频率高达4MHz，输入电压为40V，小启动电压为2.5V，转换效率为94%，具有过热和过电流保护等特点。该芯片主要应用于空间受限的、需要高效率DC/DC转换的应用中，如便携式电子设备、电信和网络设备、工业自动化、测试和测量设备等。ADM7172ACPZ-1.8-R7是一款由AnalogDevices制造的电流模式、高效率、降压型开关转换器。采用可调节输出电压，输出电流可达1A，开关频率高达4MHz，输入电压为40V，启动电压为2.5V，转换效率为94%，具有过热和过电流保护等特点。该芯片主要应用于空间受限的、需要高效率DC/DC转换的应用中，如便携式电子设备、电信和网络设备、工业自动化、测试和测量设备等。ADI的IC芯片在减少功耗的同时，还能保持出色的性能。
AD9910BSVZ-REEL是一款高性能、14位、1GSPS的直接数字频率合成器（DDS）芯片，采用100-TQFP封装。它可以产生1GHz的频率输出，同时具有14位的分辨率和32位的字宽调谐。该芯片具有以下特点1：高性能、高速的DDS引擎频率调谐范围宽分辨率高达14位工作温度范围宽，可在-40°C至+85°C之间正常工作采用表面贴装封装，便于在电路板上进行安装和调试总之，AD9910BSVZ-REEL是一款高性能、高分辨率的DDS芯片，适用于多种信号生成和控制应用。在高精度的数据采集和处理方面，ADI的IC芯片具有无可比拟的优势。AD5560JSVUZ-REEL
ADI的IC芯片采用防抖动设计，能够提高设备的稳定性和性能。AD5560JSVUZ-REEL
HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAsIC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器，在接近直流的情况下工作，使得它非常适合各种RF和IF应用。在DC到3.8GHz频率下运行，插入损耗低于2.0dB典型值。衰减器位值为0.5(LSB)、1、2、4、8和16dB，总衰减为31.5dB。衰减精度非常高，典型步长误差为±0.25dB，IIP3为+54dBm。使用六个TTL/CMOS控制输入来选择每个衰减状态。需要+5V的单个Vdd偏置1。它主要应用在3G基础设施和接入点蜂窝、测试设备和传感器GSM、WCDMA和TD-SCDMA等中。AD5560JSVUZ-REEL
