“纳米制造”路线图强调了未来纳米表面制造的发展。问卷调查探寻了纳米表面制备所面临的机遇。调查中提出的问题旨在获取纳米表面特征的相关信息：这种纳米表面结构可以是形貌化、薄膜化的改良表面区域，也可以是具有相位调制或一定晶粒尺寸的涂层。这类结构构建于众多固体材料表面，如金属、陶瓷、玻璃、半导体和聚合物等。总结了调查结果与发现，并阐明了未来纳米表面制造的前景。纳米表面可产生自材料的消解、沉积、改性或形成过程。这导致制备出的纳米表面带有纳米尺度所特有的新的化学、物理和生物特性（比如催化作用、磁性质、电性质、光学性质或抗细菌性）。在纳米科学许多已有的和新兴的子领域中，表面工程已经实现了从基础科学向现实应用的转变，比如材料科学、光学、微电子学、动力工程学、传感系统和生物工程学等。微纳加工技术可以制造出高度定制化的产品，满足不同客户的需求，提高产品的竞争力和市场占有率。云浮镀膜微纳加工
微纳加工当中，GaN材料的刻蚀一般采用光刻胶来做掩膜，但是刻蚀GaN和光刻胶，选择比接近1:1，如果需要刻蚀深度超过3微米以上的都需要采用厚胶来做掩膜。对于刻蚀更深的GaN,那就需要采用氧化硅来做刻蚀的掩模，刻蚀GaN的气体对于刻蚀氧化硅刻蚀比例可以达到8:1。应用于MEMS制作的衬底可以说是各种各样的，如硅晶圆、玻璃晶圆、塑料、还其他的材料。硅晶圆包括氧化硅片、SOI硅片、高阻硅片等，硅片晶圆包括单晶石英玻璃、高硼硅玻璃、光学玻璃、光敏玻璃等。塑料材料包括PMMA、PS、光学树脂等材料。其他材料包括陶瓷、AlN材料、金属等材料。焦作微纳加工工艺流程微纳加工的特点在于其精细度和精度，这使得制造出来的产品具有极高的性能和可靠性。
纳米压印技术已经有了许多方面的进展。起初的纳米压印技术是使用热固性材料作为转印介质填充在模板与待加工材料之间，转移时需要加高压并加热来使其固化。后来人们使用光刻胶代替热固性材料，采用注入式代替压印式加工，避免了高压和加热对加工器件的损坏，也有效防止了气泡对加工精度的影响。而模板的选择也更加多样化。原来的刚性模板虽然能获得较高的加工精度，但只能应用于平面加工。研究者们提出了使用弹性模量较高的PDMS作为模板材料，开发了软压印技术。这种柔性材料制成的模板能够贴合不同形貌的表面，使得加工不再局限于平面，对颗粒、褶皱等影响加工质量的因素也有了更好的容忍度。
在微纳加工过程中，有许多因素会影响加工质量和精度，下面将从这些方面详细介绍如何保证微纳加工的质量和精度。质量管理：质量管理是保证微纳加工质量和精度的重要手段。质量管理包括质量控制、质量保证和质量改进等方面。在微纳加工过程中，需要建立完善的质量管理体系，制定相应的质量标准和流程，确保加工质量和精度的要求得到满足。同时，还需要进行质量培训和技术交流，提高操作人员的技术水平和质量意识。微纳加工的质量和精度保证需要从材料选择、加工设备、工艺参数、加工控制、质量检测和质量管理等方面进行综合考虑。微纳加工可以制造出非常美观和时尚的器件和结构，这使得电子产品可以具有更高的美观性和时尚性。
微纳加工氧化工艺是在高温下，衬底的硅直接与O2发生反应从而生成SiO2，后续O2通过SiO2层扩散到Si/SiO2界面，继续与Si发生反应增加SiO2薄膜的厚度，生成1个单位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445单位厚度的Si衬底；相对CVD工艺而言，氧化工艺可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于与其他材料制作更加牢固可靠的结构层，提高MEMS器件的可靠性。同时致密的SiO2薄膜有利于提高与其它材料的湿法刻蚀选择比，提高刻蚀加工精度，制作更加精密的MEMS器件。同时氧化工艺一般采用传统的炉管设备来制作，成本低，产量大，一次作业100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以内。湿法刻蚀较普遍、也是成本较低的刻蚀方法！宿州量子微纳加工
微纳加工的产品具有极高的精度和一致性，使得生产出的产品具有极高的品质和可靠性。云浮镀膜微纳加工
在光刻图案化工艺中，需要优先将光刻胶涂在硅片上形成一层薄膜。接着在复杂的曝光装置中，光线通过一个具有特定图案的掩模投射到光刻胶上。曝光区域的光刻胶发生化学变化，在随后的化学显影过程中被去除。较后掩模的图案就被转移到了光刻胶膜上。而在随后的蚀刻或离子注入工艺中，会对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀，较后洗去剩余光刻胶。这时光刻胶的图案就被转移到下层的薄膜上，这种薄膜图案化的过程经过多次迭代，联同其他多个物理过程，便产生集成电路。云浮镀膜微纳加工
