真空镀膜：溅射镀膜：溅射镀膜是指在真空条件下，利用获得功能的粒子（如氩离子）轰击靶材料表面，使靶材表面原子获得足够的能量而逃逸的过程称为溅射。在真空条件下充入氩气(Ar)，并在高电压下使氩气进行辉光放电，可使氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)。氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。被溅射的靶材沉积到基材表面，就称作溅射镀膜。溅射镀膜中的入射离子，一般采用辉光放电获得，在10-2Pa～10Pa范围。真空镀膜中离子镀的镀层组织致密、无小孔、无气泡、厚度均匀。江苏光电器件真空镀膜
电子束蒸发与热蒸发的区别在于：电子束蒸发是用一束电子轰击物体，产生高能量进行蒸发， 热蒸发通过加热完成这一过程。与热蒸发相比，电子束蒸发提供了高能量；但将薄膜的厚度控制在 5nm 量级将是困难的。在这种情况下，带有厚度监控器的良好热蒸发器将更合适。 与热蒸发相比，电子束蒸发具有许多优点 1、电子束蒸发可以将材料加热到比热蒸发更高的温度。这允许高温材料和难熔金属（例如钨、钽或石墨）的非常高的沉积速率和蒸发。 2、电子束蒸发可以沉积更薄、纯度更高的薄膜。坩埚的水冷将电子束加热严格限制在由源材料占据的区域，从而消除了相邻组件的任何不必要的污染。 3、电子束蒸发源有各种尺寸和配置，包括单腔或多腔。金属真空镀膜加工厂广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能性薄膜。
真空蒸发镀膜是在真空室中，加热蒸发容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到衬底或者基片表面，凝结形成固态薄膜的方法。真空蒸发镀膜法，设备比较简单、容易操作、制成的薄膜纯度高、质量好、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在一定温度下，在真空当中，蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现出的压力， 称为该物质的饱和蒸气压。此时蒸发物表面液相、气相处于动态平衡，即到达液相表面的分子全部粘接而不离开，并与从液相都气相的分子数相等。物质的饱和蒸气压随温度的上升而增大，在一定温度下，各种物质的饱和蒸气压不相同，且具有恒定的数值。相反，一定的饱和蒸气压必定对应一定的物质的温度。
在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中，由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下，200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备，因此该技术降低了基材的温度负荷。等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材，辐射和离子轰击可能损坏基材。另一方面，在远程等离子法中，等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材，也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而，为保证化学反应在被激发的粒子真正抵达基材表面时才开始进行，需精心设计工艺过程。真空镀膜机光学镀膜主要有两种：一种是抗反射膜、另一种是加硬膜。
真空镀膜：众所周知，在某些材料的表面上，只要镀上一层薄膜，就能使材料具有许多新的、良好的物理和化学性能。20世纪70年代，在物体表面上镀膜的方法主要有电镀法和化学镀法。前者是通过通电，使电解液电解，被电解的离子镀到作为另一个电极的基体表面上，因此这种镀膜的条件，基体必须是电的良导体，而且薄膜厚度也难以控制。后者是采用化学还原法，必须把膜材配制成溶液，并能迅速参加还原反应，这种镀膜方法不仅薄膜的结合强度差，而且镀膜既不均匀也不易控制，同时还会产生大量的废液，造成严重的污染。因此，这两种被人们称之为湿式镀膜法的镀膜工艺受到了很大的限制。真空镀膜的主要功能包括赋予被镀件表面高度金属光泽和镜面效果。河南真空镀膜多少钱
真空镀膜中等离子体增强化学气相沉积可在较低温度下形成固体膜。江苏光电器件真空镀膜
PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子增强化学气相沉积，等离子体是物质分子热运动加剧，相互间的碰撞会导致气体分子产生电离，物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。使用等离子体增强气相沉积法（PECVD）可在低温（200-350℃）沉积出良好的氧化硅薄膜，已被广泛应用于半导体器件工艺当中。在LED工艺当中，因为PECVD生长出的氧化硅薄膜具有结构致密，介电强度高、硬度大等优点，而且氧化硅薄膜对可见光波段吸收系数很小，所以氧化硅被用于芯片的绝缘层和钝化层。江苏光电器件真空镀膜
