真空镀膜：各种镀膜技术都需要有一个蒸发源或靶子，以便把蒸发制膜的材料转化成气体。由于源或靶的不断改进，扩大了制膜材料的选用范围，无论是金属、金属合金、金属间化合物、陶瓷或有机物质，都可以蒸镀各种金属膜和介质膜，而且还可以同时蒸镀不同材料而得到多层膜。蒸发或溅射出来的制膜材料，在与待镀的工件生成薄膜的过程中，对其膜厚可进行比较精确的测量和控制，从而保证膜厚的均匀性。每种薄膜都可以通过微调阀精确地控制镀膜室中残余气体的成分和质量分数，从而防止蒸镀材料的氧化，把氧的质量分数降低到较小的程度，还可以充入惰性气体等，这对于湿式镀膜而言是无法实现的。由于镀膜设备的不断改进，镀膜过程可以实现连续化，从而地提高产品的产量，而且在生产过程中对环境无污染。由于在真空条件下制膜，所以薄膜的纯度高、密实性好、表面光亮不需要再加工，这就使得薄膜的力学性能和化学性能比电镀膜和化学膜好。真空镀膜是指在真空环境下，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积到材料表面。湛江真空镀膜工艺流程
真空镀膜的方法：溅射镀膜：溅射镀膜有很多种方式。按电极结构、电极相对位置以及溅射的过程,可以分为二极溅射、三极或四极溅射、磁控溅射、对向靶溅射、和ECR溅射。除此之外还根据制作各种薄膜的要求改进的溅射镀膜技术。比较常用的有:在Ar中混入反应气体如O2、N2、CH4、C2H2等,则可制得钛的氧化物、氮化物、碳化物等化合物薄膜的反应溅射。在成膜的基板上施加直到500V的负电压,使离子轰击膜层的同时成膜,由此改善膜层致密性的偏压溅射。商丘真空镀膜工艺流程真空镀膜的操作规程：在离子轰击和蒸发时，应特别注意高压电线接头，不得触动，以防触电。
真空镀膜：离子镀膜法：目前比较常用的组合方式有：射频离子镀(RFIP)。利用电阻或电子束加热使膜材气化；依靠射频等离子体放电使充入的真空Ar及其它惰性气体、反应气体氧气、氮气、乙炔等离化。这种方法的特点是：基板温升小，不纯气体少，成膜好，适合镀化合物膜，但匹配较困难。可应用于镀光学器件、半导体器件、装饰品、汽车零件等。此外，离子镀法还包括有低压等离子体离子镀，感应离子加热镀，集团离子束镀和多弧离子镀等多种方法。
原子层沉积技术凭借其独特的表面化学生长原理、亚纳米膜厚的精确控制性以及适合复杂三维高深宽比表面沉积，自截止生长等特点，特别适合薄层薄膜材料的制备。例如：S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸盐（ODPA）对Cu的选择性吸附，在预先吸附有ODPA分子的衬底表面进行ALD沉积Al2O3，有效避免了Al2O3在Cu表面沉积，从而得到被高k绝缘材料Al2O3所间隔的空间选择性暴露表面Cu的薄膜材料。此外，电镜照片表明该沉积方法的区域选择性得到了有效保证。真空镀膜中离子镀的镀层棱面和凹槽都可均匀镀复，不致形成金属瘤。
磁控溅射是物理沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率，可以在样品表面蒸镀致密的薄膜。真空镀膜是在真空室内把材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。肇庆新型真空镀膜
真空镀膜在钢材、镍、铀、金刚石表面镀钛金属薄膜,提高了钢材、铀、金刚石等材料的耐腐蚀性能。湛江真空镀膜工艺流程
真空镀膜的方法：化学气相沉积：在等离子化学气相沉积法中,等离子体中电子温度高达104K,电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性很高的各种化学基团,产生大量反应活性物种而使整个反应体系却保持较低温度。而普通的CVD法沉积温度高(一般为1100℃),当在钢材表面沉积氮化钛薄膜时,由于温度很高,致使膜层与基体间常有脆性相出现,致使刀具的切削寿命降低。利用直流等离子化学气相沉积法,在硬质台金上沉积TiN膜结构与性能均匀。湛江真空镀膜工艺流程
