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半导体器件加工基本参数
  • 品牌
  • 芯辰实验室,微纳加工
  • 型号
  • 齐全
半导体器件加工企业商机

MEMS制造工艺是下至纳米尺度,上至毫米尺度微结构加工工艺的通称。广义上的MEMS制造工艺,方式十分丰富,几乎涉及了各种现代加工技术。起源于半导体和微电子工艺,以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。微纳加工技术指尺度为亚毫米、微米和纳米量级元件以及由这些元件构成的部件或系统的优化设计、加工、组装、系统集成与应用技术,涉及领域广、多学科交叉融合,其较主要的发展方向是微纳器件与系统(MEMS和NEMS)。微纳器件与系统是在集成电路制作上发展的系列适用技术,研制微型传感器、微型执行器等器件和系统,具有微型化、批量化、成本低的鲜明特点,对现代的生活、生产产生了巨大的促进作用,并催生了一批新兴产业。半导体硅片制造包括硅单晶生长、切割、研磨、抛光、研磨、清洗、热处理、外延、硅片分析等多个环节。北京新型半导体器件加工设备

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半导体硅片生产工艺:首先将多晶硅和掺杂剂放入单晶炉内的石英坩埚中,将温度升高至1420℃以上,得到熔融状态的多晶硅。其中,通过调控放入掺杂剂的种类(B、P、As、Sb)及含量,可以得到不同导电类型及电阻率的硅片。待多晶硅溶液温度稳定之后,将籽晶缓慢下降放入硅熔体中(籽晶在硅融体中也会被熔化),然后将籽晶以一定速度向上提升进行引晶过程。随后通过缩颈操作,将引晶过程中产生的位错消除掉。当缩颈至足够长度后,通过调整拉速和温度使单晶硅直径变大至目标值,然后保持等径生长至目标长度。较后为了防止位错反延,对单晶锭进行收尾操作,得到单晶锭成品,待温度冷却后取出。天津半导体器件加工晶片清洗过程是在不改变或损害晶片表面或基底除去的化学和颗粒杂质。

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随着信息技术、光通信技术的迅猛发展,MEMS发展的又一领域是与光学相结合,即综合微电子、微机械、光电子技术等基础技术,开发新型光器件,称为微光机电系统(MOEMS)。它能把各种MEMS结构件与微光学器件、光波导器件、半导体激光器件、光电检测器件等完整地集成在一起。形成一种全新的功能系统。MOEMS具有体积小、成本低、可批量生产、可精确驱动和控制等特点。较成功的应用科学研究主要集中在两个方面:一是基于MOEMS的新型显示、投影设备,主要研究如何通过反射面的物理运动来进行光的空间调制,典型表示为数字微镜阵列芯片和光栅光阀:二是通信系统,主要研究通过微镜的物理运动来控制光路发生预期的改变,较成功的有光开关调制器、光滤波器及复用器等光通信器件。MOEMS是综合性和学科交叉性很强的高新技术,开展这个领域的科学技术研究,可以带动大量的新概念的功能器件开发。

微纳加工技术是先进制造的重要组成部分,是衡量国家高级制造业水平的标志之一,具有多学科交叉性和制造要素极端性的特点,在推动科技进步、促进产业发展、拉动科技进步、保障**安全等方面都发挥着关键作用。微纳加工技术的基本手段包括微纳加工方法与材料科学方法两种。很显然,微纳加工技术与微电子工艺技术有密切关系。微纳加工大致可以分为“自上而下”和“自下而上”两类。“自上而下”是从宏观对象出发,以光刻工艺为基础,对材料或原料进行加工,较小结果尺寸和精度通常由光刻或刻蚀环节的分辨力决定。“自下而上”技术则是从微观世界出发,通过控制原子、分子和其他纳米对象的相互作用力将各种单元构建在一起,形成微纳结构与器件。晶片的制造和测试被称为前道工序,而芯片的封装、测试和成品入库则是所谓的后道工序。

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蚀刻是芯片生产过程中重要操作,也是芯片工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上,使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩,使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜,以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。然后,曝光的硅将被原子轰击,使得暴露的硅基片局部掺杂,从而改变这些区域的导电状态,以制造出N井或P井,结合上面制造的基片,芯片的门电路就完成了。单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的。天津半导体器件加工

蚀刻是芯片生产过程中重要操作,也是芯片工业中的重头技术。北京新型半导体器件加工设备

二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。北京新型半导体器件加工设备

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