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真空镀膜基本参数
  • 产地
  • 广东
  • 品牌
  • 科学院
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
真空镀膜企业商机

真空镀膜:技术优点:镀层质量好:离子镀的镀层组织致密、无小孔、无气泡、厚度均匀。甚至棱面和凹槽都可均匀镀复,不致形成金属瘤。象螺纹一类的零件也能镀复,有高硬度、高耐磨性(低摩擦系数)、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点,膜层的寿命更长;同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。清洗过程简化:现有镀膜工艺,多数均要求事先对工件进行严格清洗,既复杂又费事。然而,离子镀工艺自身就有一种离子轰击清洗作用,并且这一作用还一直延续于整个镀膜过程。清洗效果极好,能使镀层直接贴近基体,有效地增强了附着力,简化了大量的镀前清洗工作。真空镀膜在真空条件下制备薄膜,环境清洁,薄膜不易受到污染。攀枝花真空镀膜工艺流程

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真空镀膜:技术原理:溅射镀膜基本原理:充氩(Ar)气的真空条件下,使氩气进行辉光放电,这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar),氩离子在电场力的作用下,加速轰击以镀料制作的阴极靶材,靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。溅射镀膜中的入射离子,一般采用辉光放电获得,在l0-2Pa~10Pa范围,所以溅射出来的粒子在飞向基体过程中,易和真空室中的气体分子发生碰撞,使运动方向随机,沉积的膜易于均匀。离子镀基本原理:在真空条件下,采用某种等离子体电离技术,使镀料原子部分电离成离子,同时产生许多高能量的中性原子,在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下,离子沉积于基体表面形成薄膜。来料真空镀膜真空镀膜的镀层质量好。

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ALD是一种薄膜形成方法,其中将多种气相原料(前体)交替暴露于基板表面以形成膜。与CVD不同,不同类型的前驱物不会同时进入反应室,而是作为单独的步骤引入(脉冲)和排出(吹扫)。在每个脉冲中,前体分子在基材表面上以自控方式起作用,并且当表面上不存在可吸附位时,反应结束。因此,一个周期中的产品成膜量由前体分子和基板表面分子如何化学键合来定义。因此,通过控制循环次数,可以在具有任意结构和尺寸的基板上形成高精度且均匀的膜。

磁控溅射技术比蒸发技术的粒子能量更高,膜基结合力更好,“磁控溅射离子镀膜技术”就是在普通磁控溅射技术的基础上,在被镀工件表面加偏压,金属离子在偏压电场的作用力下,沉积在工件表面,膜层质量和膜基结合力又远远好于普通的磁控溅射镀膜技术。根据靶材的形状,磁控溅射靶可分为圆形磁控溅射靶、平面磁控溅射靶和柱状磁控溅射靶。圆形靶主要用于科研和少量的工业应用,平面靶和柱状靶在工业上大量使用,特别是柱状靶,凭借超高的靶材利用率和稳定的工作状态,越来越多的被使用。真空镀膜是一种比较理想的薄膜制备方法。

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真空镀膜的方法很多,计有:真空蒸镀:将需镀膜的基体清洗后放到镀膜室,抽空后将膜料加热到高温,使蒸气达到约13。3Pa而使蒸气分子飞到基体表面,凝结而成薄膜。阴极溅射镀:将需镀膜的基体放在阴极对面,把惰性气体(如氩)通入已抽空的室内,保持压强约1。33~13。3Pa,然后将阴极接上2000V的直流电源,便激发辉光放电,带正电的氩离子撞击阴极,使其射出原子,溅射出的原子通过惰性气氛沉积到基体上形成膜。化学气相沉积:通过热分解所选定的金属化合物或有机化合物,获得沉积薄膜的过程。离子镀:实质上离子镀系真空蒸镀和阴极溅射镀的有机结合,兼有两者的工艺特点。真空镀膜中离子镀简化可以大量的镀前清洗工作。来料真空镀膜

真空镀膜机的优点:可采用屏蔽式进行部分镀铝,以获得任意图案或透明窗口,能看到内装物。攀枝花真空镀膜工艺流程

基片温度对薄膜结构有较大影响,基片温度高,使吸附原子的动能增大,跨越表面势垒的几率增多,容易结晶化,并使薄膜缺陷减少,同时薄膜内应力也会减少,基片温度低,则易形成无定形结构膜。 材料饱和蒸汽压随温度的上升而迅速增大,所以实验时必须控制好蒸发源温度。蒸发镀膜常用的加热方法时电阻大电流加热,采用钨,钼,铂等高熔点的金属。真空镀膜时,飞抵基片的气化原子或分子,一部分被反射,一部分被蒸发离开,剩下的要么结合在一起,再捕获其他原子或分子,使得自己增大;或者单个原子或分子在基片上自由扩散,逐渐生长,覆盖整个基片,形成镀膜。注意的是基片的清洁度和完整性将影响到镀膜的形成速率和质量攀枝花真空镀膜工艺流程

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