电子束蒸发是基于钨丝的蒸发。大约 5 到 10 kV 的电流通过钨丝（位于沉积区域外以避免污染）并将其加热到发生电子热离子发射的点。使用永磁体或电磁体将电子聚焦并导向蒸发材料（放置在坩埚中）。在电子束撞击蒸发丸表面的过程中，其动能转化为热量，释放出高能量（每平方英寸数百万瓦以上）。因此，容纳蒸发材料的炉床必须水冷以避免熔化。电子束蒸发设备结构简单，成本低廉，而且可以蒸发高熔点材料，在蒸镀合金时可以实现快速蒸发，避免合金的分馏，其镀膜质量也可以达到较高水平，可以广泛应用于激光器腔面镀膜以及玻璃等各种光学材料表面镀膜，是一种可易于实现大批量生产的成熟镀膜技术。真空镀膜技术四五十年代开始出现工业应用。茂名PVD真空镀膜
ALD允许在原子层水平上精确控制膜厚度。而且，可以相对容易地形成不同材料的多层结构。由于其高反应活性和精度，它在精细和高效的半导体领域（如微电子和纳米技术）中非常有用。由于ALD通常在相对较低的温度下操作，因此在使用易碎的底物例如生物样品时是有用的，并且在使用易于热解的前体时也是有利的。由于它具有出色的投射能力，因此可以轻松地应用于结构复杂的粉末和形状。 众所周知，ALD工艺非常耗时。例如，氧化铝的膜形成为每个循环0.11nm，并且每小时的标准膜形成量为100至300nm。由于ALD通常用于制造微电子和纳米技术的基材，因此不需要厚膜形成。通常，当需要大约μm的膜厚度时，就膜形成时间而言，ALD工艺是困难的。作为物质限制，前体必须是挥发性的。另外，成膜靶必须能够承受前体分子的化学吸附所必需的热应力。揭阳纳米涂层真空镀膜真空镀膜机镀铝层导电性能好，能消除静电效应。
PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子增强化学气相沉积，等离子体是物质分子热运动加剧，相互间的碰撞会导致气体分子产生电离，物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。使用等离子体增强气相沉积法（PECVD）可在低温（200-350℃）沉积出良好的氧化硅薄膜，已被广泛应用于半导体器件工艺当中。在LED工艺当中，因为PECVD生长出的氧化硅薄膜具有结构致密，介电强度高、硬度大等优点，而且氧化硅薄膜对可见光波段吸收系数很小，所以氧化硅被用于芯片的绝缘层和钝化层。
磁控溅射技术比蒸发技术的粒子能量更高，膜基结合力更好，“磁控溅射离子镀膜技术”就是在普通磁控溅射技术的基础上，在被镀工件表面加偏压，金属离子在偏压电场的作用力下，沉积在工件表面，膜层质量和膜基结合力又远远好于普通的磁控溅射镀膜技术。根据靶材的形状，磁控溅射靶可分为圆形磁控溅射靶、平面磁控溅射靶和柱状磁控溅射靶。圆形靶主要用于科研和少量的工业应用，平面靶和柱状靶在工业上大量使用，特别是柱状靶，凭借超高的靶材利用率和稳定的工作状态，越来越多的被使用。物理的气相沉积技术是真空镀膜技术的一种。
真空镀膜：物理的气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术，物理的气相沉积是主要的表面处理技术之一。PVD(物理的气相沉积)镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。物理的气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜和分子束外延等。相应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。蒸发速率正比于材料的饱和蒸气压，温度变化10%左右，饱和蒸气压就要变化一个数量级左右。清远PVD真空镀膜
薄膜中存在的各种缺陷是产生本征应力的主要原因，这些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的倾向。茂名PVD真空镀膜
真空镀膜：电阻加热蒸发法：电阻加热蒸发法就是采用钨、钼等高熔点金属，做成适当形状的蒸发源，其上装入待蒸发材料，让电流通过，对蒸发材料进行直接加热蒸发，或者把待蒸发材料放入坩锅中进行间接加热蒸发。利用电阻加热器加热蒸发的镀膜设备构造简单、造价便宜、使用可靠，可用于熔点不太高的材料的蒸发镀膜，尤其适用于对膜层质量要求不太高的大批量的生产中。目前在镀铝制品的生产中仍然大量使用着电阻加热蒸发的工艺。电阻加热方式的缺点是：加热所能达到的较高温度有限，加热器的寿命也较短。近年来，为了提高加热器的寿命，国内外已采用寿命较长的氮化硼合成的导电陶瓷材料作为加热器。茂名PVD真空镀膜
