刻蚀技术是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不只是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。普通的刻蚀过程大致如下：先在表面涂敷一层光致抗蚀剂，然后透过掩模对抗蚀剂层进行选择性曝光，由于抗蚀剂层的已曝光部分和未曝光部分在显影液中溶解速度不同，经过显影后在衬底表面留下了抗蚀剂图形，以此为掩模就可对衬底表面进行选择性腐蚀。如果衬底表面存在介质或金属层，则选择腐蚀以后，图形就转移到介质或金属层上。用硅片制造晶片主要是制造晶圆上嵌入电子元件(如电晶体、电容、逻辑闸等)的电路。广州生物芯片半导体器件加工厂商
半导体器件生产工艺流程主要有4个部分，即晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试。晶圆制造是指在硅晶圆上制作电路与电子元件如电晶体、电容体、逻辑闸等，整个流程工艺复杂，主要有晶圆清洗，热氧化，光刻（涂胶、曝光、显影），蚀刻，离子注入，扩散，沉积和机械研磨等步骤，来完成晶圆上电路的加工与制作。晶圆测试是指对加工后的晶圆进行晶片运收测试其电气特性。目的是监控前道工艺良率，降低生产成本。芯片封装是利用陶瓷或者塑料封装晶粒及配线形成集成电路；起到固定，密封和保护电路的作用。封装后测试则是对封装好的芯片进行性能测试，以保证器件封装后的质量和性能。湖南医疗器械半导体器件加工公共服务平台在热处理的过程中，晶圆上没有增加或减去任何物质，另外会有一些污染物和水汽从晶圆上蒸发。
微机电系统是微电路和微机械按功能要求在芯片上的集成，尺寸通常在毫米或微米级，自八十年代中后期崛起以来发展极其迅速，被认为是继微电子之后又一个对国民经济和军务具有重大影响的技术领域，将成为21世纪新的国民经济增长点和提高军务能力的重要技术途径。微机电系统的优点是：体积小、重量轻、功耗低、耐用性好、价格低廉、性能稳定等。微机电系统的出现和发展是科学创新思维的结果，使微观尺度制造技术的演进与**。微机电系统是当前交叉学科的重要研究领域，涉及电子工程、材料工程、机械工程、信息工程等多项科学技术工程，将是未来国民经济和军务科研领域的新增长点。
光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，且在晶圆表面的位置要正确，而且与其他部件的关联也正确。通过光刻过程，在晶圆片上保留特征图形的部分。有时光刻工艺又被称为Photomasking，Masking，Photolithography或Microlithography，是半导体制造工艺中较关键的。在光刻过程中产生的错误可造成图形歪曲或套准不好，然后可转化为对器件的电特性产生影响。在MEMS制程中，刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法。
半导体器件生产工艺说明：①铸锭：首先需要加热砂以分离一氧化碳和硅，重复该过程，直到获得超高纯电子级硅（EG-Si）。高纯度硅熔化成液体，然后凝固成单晶固体形式，称为“锭”，这是半导体制造的第一步。硅锭（硅柱）的制造精度非常高，达到纳米级。②铸锭切割：上一步完成后，需要用金刚石锯将锭的两端切掉，然后切成一定厚度的片。锭片的直径决定了晶片的尺寸。更大更薄的晶圆可以分成更多的单元，这有助于降低生产成本。切割硅锭后，需要在切片上加上“平坦区域”或“缩进”标记，以便在后续步骤中以此为标准来设定加工方向。表面硅MEMS加工技术是在集成电路平面工艺基础上发展起来的一种MEMS工艺技术。广州生物芯片半导体器件加工厂商
MEMS制造是基于半导体制造技术上发展起来的。广州生物芯片半导体器件加工厂商
在MOS场效应管的制作工艺中，多晶硅是作为电极材料（栅极）用的，用多晶硅构成电阻的结构。它的薄层电阻值一般为30~200欧姆/方。当用多晶硅作为大阻值电阻时，可另外再加上一次光刻，用离子注入较小剂量来得到，其阻值可达10千欧/方。MOS管电阻。由于多晶硅下面有厚的氧化层与电路隔离，其寄生电容大幅度减小，但多晶硅电阻的薄层电阻大小，除与离子注入剂量有关外，还与多晶硅的厚度，多晶硅淀积质量等因素有关，因此，用于做精密电阻还是困难的。广州生物芯片半导体器件加工厂商
