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微纳加工基本参数
  • 产地
  • 广东
  • 品牌
  • 科学院
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
微纳加工企业商机

纳秒和飞秒之间,皮秒激光微纳加工应用独具优势!与传统的微纳加工技术相比,激光微纳加工具有如下独特的优点:非接触加工不损坏工具、能量可调、加工方式灵活、可实现柔性加工等。其中全固态皮秒激光具有极窄的脉冲宽度(皮秒)、极高的峰值功率(兆瓦)以及优异的光束质量,被广泛应用于各种金属、非金属材料的精密加工。研究表明,脉冲宽度高于10ps的皮秒激光加工过程中有明显的热效应存在,而且随着激光与材料作用时间的增加,工件表面会产生微裂纹以及再铸层;脉冲宽度低于5ps的皮秒激光与材料作用时会产生非线性效应,这对金属材料的加工非常不利。因此,适合微纳精密加工用的皮秒激光的脉冲宽度在5~10ps之间。为了提高加工效率,重复频率一般设定在十万赫兹量级,而平均功率则根据所加工材料的烧蚀阈值而定。微纳检测主要是表征检测:原子力显微镜、扫描电镜、扫描显微镜、XRD、台阶仪等。重庆电子微纳加工

重庆电子微纳加工,微纳加工

    浅谈表面功能微纳结构及其加工方法:目前可以实现表面微纳结构的加工方法主要有以下几种。(1)光刻技术,利用电子束或激光光束可以得到加工尺寸在几十纳米的微纳结构,该方法优势在于精度高,得到的微纳结构形状可以得到很好的控制;(2)飞秒激光加工技术,由于飞秒激光具有不受衍射极限限制的特点,可以加工出远小于光斑直径的尺寸,研究人员通过试验发现,采用飞秒激光加工出10nm宽的纳米线,在微纳加工领域具有独特优势。另外飞秒激光双分子聚合技术可以实现纳米尺寸结构的加工;(3)自组装工艺,光刻与自组装和刻蚀工艺结合,通过自组装工艺,可以得到6nm左右的纳米孔。(4)等离子刻蚀技术,等离子刻蚀技术是应用广的微纳米加工手段,加工精度高,是集成电路制造中关键的工艺之一。(5)沉积法,主要包括物相沉积和化学气相沉积,该方法主要是利用气相发生的物理化学过程,在工件表面形成功能型或装饰性的金属,可以用来实现微纳米结构涂层的制造。(6)微纳增材制造技术,微纳增材制造技术主要指微纳尺度电喷增材制造和微激光增材制造技术,由于微纳增材技术可以不受形状限制,可多材料协同制造,具有较大的发展前景。除以上几种加工技术外。 重庆电子微纳加工提高微纳加工技术的加工能力和效率是未来微纳结构及器件研究的重点方向。

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光刻是半导体制造中常用的技术之一,是现代光电子器件制造的基础。然而,深紫外和极紫外光刻系统及其相应的光学掩模都是基于低速高成本的电子束光刻(EBL)或者聚焦离子束刻蚀(FIB)技术,导致其价格都相对昂贵。因此,无掩模的高速制备法是微纳结构制备的优先方法。在这些无掩模方法中,直接激光写入(direct laser writing, DLW)是一种重要的、被广采用的微处理技术,能够提供比较低的价格和相对较高的吞吐量。但是,实际应用中存在两个主要挑战:一是与FIB和EBL相比,分辨率还不够高。

微纳加工氧化工艺是在高温下,衬底的硅直接与O2发生反应生成SiO2,后续O2通过SiO2层扩散到Si/SiO2界面,继续与Si发生反应增加SiO2薄膜的厚度,生成1个单位厚度的SiO2薄膜,需要消耗0.445单位厚度的Si衬底;相对CVD工艺而言,氧化工艺可以制作更加致密的SiO2薄膜,有利于与其他材料制作更加牢固可靠的结构层,提高MEMS器件的可靠性。同时致密的SiO2薄膜有利于提高与其它材料的湿法刻蚀选择比,提高刻蚀加工精度,制作更加精密的MEMS器件。同时氧化工艺一般采用传统的炉管设备来制作,成本低,产量大,一次作业100片以上,SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以内。微纳检测主要是表征检测:原子力显微镜、扫描电镜、扫声波扫描显微镜、白光干涉仪、台阶仪等。

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基于掩模板图形传递的光刻工艺可制作宏观尺寸的微细结构,受光学衍射的极限,*适用于微米以上尺度的微细结构制作,部分优化的光刻工艺可能具有亚微米的加工能力。例如,接触式光刻的分辨率可能到达0.5μm,采用深紫外曝光光源可能实现0.1μm。但利用这种光刻技术实现宏观面积的纳米/亚微米图形结构的制作是可欲而不可求的。近年来,国内外比较多学者相继提出了超衍射极限光刻技术、周期减小光刻技术等,力求通过曝光光刻技术实现大面积的亚微米结构制作,但这类新型的光刻技术尚处于实验室研究阶段。微纳加工设备主要有:光刻、刻蚀、镀膜、湿法腐蚀、绝缘层镀膜等。重庆电子微纳加工

微纳制造技术是指尺度为毫米、微米和纳米量级的零件。重庆电子微纳加工

掩模板是根据放大了的原图制备的带有透明窗口的模板。例如,可以用平整的玻璃板,涂覆上金属铬薄膜,通过类似照相制版的方法制备而成。具有微纳图形结构的掩模板通常使用电子束光刻机直接制备,其制作过程就是典型的光刻工艺过程,包括金属各层沉积、涂胶、电子束光刻、显影、铬层腐蚀及去胶等过程。由于模板像素超多,用扫描式光刻机制作掩模板的速度相当慢,造价十分昂贵。曝光光刻是图形形成的中心工艺过程,可分为正胶工艺和负胶工艺,采用相同掩模板制作时,二者可获得互补的图形结构。另外,按照不同工作距离可分为接近式曝光、近贴式曝光(接触曝光)和投射式光学曝光;按照曝光系统的工作光源又可分为紫外线曝光、X射线与及紫外线曝光、电子束与离子束曝光。此外,微纳印刷技术(,如纳米压印技术,在纳米结构及器件制作中也得到了良好的发展,其高效的图形复制特点使之在工业界极具吸引力。卷对卷滚轴压印技术已经被产线普遍采用。重庆电子微纳加工

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