中清航科开放6条全自动切割产线，支持从8英寸化合物半导体到12英寸逻辑晶圆的来料加工。云端订单系统实时追踪进度，平均交货周期48小时，良率承诺99.2%。先进封装RDL层切割易引发铜箔撕裂。中清航科应用超快飞秒激光（脉宽400fs）配合氦气保护，在铜-硅界面形成纳米级熔融区，剥离强度提升5倍。中清航科搭建全球较早切割工艺共享平台，收录3000+材料参数组合。客户输入晶圆类型/厚度/目标良率，自动生成比较好参数包，工艺开发周期缩短90%。中清航科切割机防震平台隔绝0.1Hz振动，保障切割稳定性。上海半导体晶圆切割厂
为提升芯片产出量，中清航科通过刀片动态平衡控制+激光辅助定位，将切割道宽度从50μm压缩至15μm。导槽设计减少材料浪费，使12英寸晶圆有效芯片数增加18%，明显降低单颗芯片制造成本。切割产生的亚微米级粉尘是电路短路的元凶。中清航科集成静电吸附除尘装置，在切割点10mm范围内形成负压场，配合离子风刀清理残留颗粒，洁净度达Class1标准（>0.3μm颗粒<1个/立方英尺）。中清航科设备内置AOI（自动光学检测）模块，采用多光谱成像技术实时识别崩边、微裂纹等缺陷。AI算法在0.5秒内完成芯片级判定，不良品自动标记，避免后续封装资源浪费，每年可为客户节省品质成本超百万。上海sic晶圆切割5G射频芯片切割中清航科特殊工艺，金线偏移量＜0.8μm。
晶圆切割/裂片是芯片制造过程中的重要工序，属于先进封装(advancedpackaging)的后端工艺(back-end)之一，该工序可以将晶圆分割成单个芯片，用于随后的芯片键合。随着技术的不断发展，对高性能和更小型电子器件的需求增加，晶圆切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圆切割的重要性在于它能够在不损坏嵌入其中的精细结构和电路的情况下分离单个芯片，成功与否取决于分离出来的芯片的质量和产量，以及整个过程的效率。为了实现这些目标，目前已经开发了多种切割技术，每种技术都有其独特的优点和缺点。
针对晶圆切割过程中的静电防护问题，中清航科的设备采用全流程防静电设计。从晶圆上料的导电吸盘到切割区域的离子风扇，再到下料区的防静电输送轨道，形成完整的静电防护体系，将设备表面静电电压控制在50V以下，有效避免静电对敏感芯片造成的潜在损伤。中清航科的晶圆切割设备具备强大的数据分析能力，内置数据挖掘模块可对历史切割数据进行深度分析，识别影响切割质量的关键因素，如环境温度波动、晶圆批次差异等，并自动生成工艺优化建议。通过持续的数据积累与分析，帮助客户不断提升切割工艺水平，实现持续改进。复合材料晶圆切割选中清航科多工艺集成设备，兼容激光与刀片。
在碳化硅晶圆切割领域，由于材料硬度高达莫氏9级，传统切割方式面临效率低下的问题。中清航科创新采用超高压水射流与激光复合切割技术，利用水射流的冷却作用抑制激光切割产生的热影响区，同时借助激光的预热作用降低材料强度，使碳化硅晶圆的切割效率提升3倍，热影响区控制在10μm以内。晶圆切割设备的可靠性是大规模生产的基础保障。中清航科对中心部件进行严格的可靠性测试，其中激光振荡器经过10万小时连续运行验证，机械导轨的寿命测试达到200万次往复运动无故障。设备平均无故障时间（MTBF）突破1000小时，远超行业800小时的平均水平，为客户提供稳定可靠的生产保障。切割刀痕深度控制中清航科技术达±0.2μm，减少后续研磨量。上海12英寸半导体晶圆切割
针对碳化硅晶圆，中清航科激光改质切割技术突破硬度限制。上海半导体晶圆切割厂
半导体制造对洁净度要求严苛，晶圆切割环节的微尘污染可能导致芯片失效。中清航科的切割设备采用全封闭防尘结构与高效HEPA过滤系统，工作区域洁净度达到Class1标准，同时配备激光诱导等离子体除尘装置，实时清理切割产生的微米级颗粒，使产品不良率降低至0.1%以下。在成本控制成为半导体企业核心竞争力的现在，中清航科通过技术创新实现切割耗材的大幅节约。其自主研发的金刚石切割刀片，使用寿命较行业平均水平延长50%，且通过刀片磨损实时监测与自动补偿技术，减少频繁更换带来的停机损失，帮助客户降低20%的耗材成本，在激烈的市场竞争中构筑成本优势。上海半导体晶圆切割厂
