MBE外延系统应用领域

小型研发系统与大型工业设备的定位差异。大型工业设备追求的是大批量生产下的优异的均匀性、重复性和产能，其系统复杂、价格昂贵且维护成本高。我们专注于小型研究级系统，其主要目标是“探索”而非“生产”。它以极具竞争力的价格，为大学、研究所和企业研发中心提供了接触前沿薄膜制备技术的可能。用户可以用有限的预算，获得能够制备出发表高水平学术论文所需的高质量薄膜的设备，极大地降低了前沿科研的门槛。

超高真空（UHV）溅射功能与其他沉积技术的互补性。虽然PLD在复杂氧化物上优势明显，但UHV溅射在制备某些金属薄膜、氮化物薄膜以及要求极低缺陷密度的大面积均匀薄膜方面更为成熟。我们的系统平台在设计上考虑了技术的融合与互补。通过选配UHV溅射源，用户可以在同一套超高真空系统中，灵活选择PLD或溅射这两种不同的技术来沉积不同的材料层，实现功能的黄金组合，例如用溅射生长金属电极，用PLD生长氧化物功能层，充分发挥各自的技术优势。 与普通 MBE 系统比，该 PLD 系统性价比更高，适合研究级应用。MBE外延系统应用领域

PLD-MBE与传统热蒸发MBE的对比。传统MBE依赖于将固体源材料在克努森池中加热至蒸发，其蒸发速率相对较低且稳定，非常适合III-V族（如GaAs）和II-VI族（如ZnSe）半导体材料的生长。然而，对于高熔点金属氧化物（如钌酸盐、铱酸盐），热蒸发非常困难。PLD-MBE则利用高能激光轻松烧蚀任何高熔点靶材，突破了源材料的限制，将MBE技术的应用范围极大地扩展至复杂的氧化物家族，实现了“全氧化物分子束外延”。

与金属有机化学气相沉积（MOCVD）的对比。MOCVD是大规模生产III-V族半导体光电器件（如LED、激光器）的主流技术，具有出色的均匀性和大规模生产能力。然而，MOCVD通常涉及高毒性和高反应活性的金属有机前驱体，设备与运营成本高昂，且存在碳污染风险。对于实验室阶段的新材料探索和机理研究，PLD和MBE系统提供了更洁净、更灵活、成本更低的平台，能够实现更高的真空度和更精确的原位监测，非常适合进行基础科学探索和原型验证。 MBE外延系统应用领域启动设备前，需检查超高真空成膜室本底真空度是否达 < 5e-8 pa。

在技术对比与独特价值方面，PLD技术与磁控溅射技术在沉积多元氧化物时的对比。磁控溅射通常使用多个射频或直流电源同时溅射不同组分的靶材，通过控制各电源的功率来调节薄膜成分，控制相对复杂。而PLD技术较大的优势在于其“复制”效应，即使靶材化学成分非常复杂，也能在一次激光脉冲下实现化学计量比的忠实转移，极大地简化了多组分材料（如含有五种以上元素的高熵氧化物）的研发流程。此外，PLD的瞬时高能量沉积过程更易于形成亚稳态的晶体结构。

在新型二维材料与异质结的研究中，PLD系统也展现出巨大的潜力。除了传统的石墨烯、氮化硼外，科研人员正尝试使用PLD技术制备过渡金属硫族化合物（如MoS2）等二维材料薄膜。更重要的是，利用系统多靶位的优势，可以将不同的二维材料、氧化物、金属等一层一层地堆叠起来，构建出范德华异质结。这些人工设计的异质结构能够产生许多其母体材料所不具备的新奇光电特性，为开发新型晶体管、存储器、光电传感器和量子计算元件开辟了全新的道路。石英晶体微天平实时监控沉积速率与薄膜厚度。

多腔室MBE系统的高级功能体现在其模块化与可扩展性上。除了标准的生长腔、进样腔和分析腔，系统还可以根据用户的研究需求，集成额外的功能模块。例如，可以增配一个紫外光电子能谱（UPS）腔室，用于测量材料的功函数和价带结构；或者集成一个低温样品架，使材料在生长和表征过程中始终保持在极低温度，用于研究量子现象。这种模块化设计使得该平台不仅能满足当前的研究需求，还能随着科研方向的演进，通过升级来适应未来的新挑战。测温端子数据偏差时，需重新校准，确保温度监测准确。MBE外延系统应用领域

关闭设备时，先关停激光，再逐步降低基板温度至室温。MBE外延系统应用领域

激光能量波动或等离子体羽辉不稳定的可能原因。激光器本身的能量稳定性是首要因素，需参照激光器手册进行维护。在光路方面，应检查导入真空腔的石英窗口是否因长期使用而被飞溅的靶材物质轻微污染，导致透光率下降和局部受热不均，这种情况需要定期清洁或更换窗口。在靶材方面，如果靶材密度不够或已形成过深的坑穴，会导致烧蚀不均匀，产生不稳定的羽辉。此时应调整靶材的旋转速度或移动靶位，确保激光始终打在平整的靶面上。

基板温度读数异常或不稳定的排查思路。首先，应检查热电偶是否与加热器或基板夹具接触良好，有无松动或断裂。其次，检查所有电流导入端子和测温端子的连接是否牢固，有无氧化现象。如果温度读数漂移，可能是测温热电偶老化所致，需要重新校准或更换。如果加热功率已输出但温度无法上升，应检查铂金加热片是否因长期在高温氧化环境下工作而出现晶粒粗大甚至局部熔断，此时需要通过万用表测量其电阻值进行判断。 MBE外延系统应用领域

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