天津XBM5773赛芯方案公司

XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片、4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能芯纳科技直销赛芯微 ic，ESOP8 封装快充芯片，适配 QC18W、PD22.5W 快充设备。天津XBM5773赛芯方案公司

移动电源成为了我们不可或缺的电子设备。芯纳推出的移动电源SOC更是为我们带来了全新的体验。移动电源SOC（SystemonChip，系统级芯片）是一种高度集成的芯片，用于移动电源中。它集成了多种功能模块，包括同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块等。高集成度：将多个功能模块集成在一个芯片上，减少了外部元器件的使用，简化了移动电源的设计。多协议双向快充：支持多种充电协议，能够实现快速充电和双向充电功能，提高充电效率。电池管理：负责电池的充放电管理，包括过充、过放保护，延长电池寿命。电量计算和显示：准确计算电池电量，并通过显示模块向用户展示电量信息。保护功能：提供输入/输出的过压/欠压保护、NTC过温保护、放电过流保护、输出短路保护等，确保移动电源和连接设备的安全。芯纳科技专注代理电源芯片和电子元器件12年。提供的产品和方案包括：移动电源SOC、多口快充SOC、快充充电管理SOC、电源管理芯片、锂电池充电管理、锂电保护、DC转换器、MOS等。致力于为合作伙伴带来有效增值，为客户的成长与发展竭诚服务，当好供求间之桥梁，谋求产业链的共同发展！北京XBM5770 赛芯现货芯纳科技主营赛芯微 ic，霍尔开关芯片灵敏度高，广泛应用于各类传感场景。

赛芯 XR4981A，在便携式监控设备场景中表现稳定。便携式监控设备如随身摄像头、移动监控终端等，需要可靠的供电系统支持，赛芯 XR4981A 的高输入输出电压特性，能适配内置电池和外接电源。测试表明，该控制器在监控设备待机时功耗降低 30%，在录制 4K 视频时输出功率稳定，画面不会出现卡顿或中断。其小型化封装设计使监控设备体积缩小，便于隐蔽安装。在户外监控场景中，该控制器的防水防潮性能经过验证，在雨天仍能正常工作，确保监控设备的连续运行。合作企业表示，使用该控制器后，监控设备的故障率降低 9%，维护成本减少，为安防监控系统的灵活部署提供了保障。

芯纳科技针对物联网传感器行业的特点，提供定制化的技术服务，比如为客户提供赛芯 XR4981A 与传感器主板的集成方案指导，协助客户进行功耗测试和优化，帮助客户进一步提升传感器设备的续航能力。此外，芯纳科技还为客户提供完善的售后保障，若客户在使用赛芯 XR4981A 过程中出现质量问题，可享受 7 天无理由退换货服务，同时专业售后团队会全程跟进问题解决，确保客户的生产经营不受影响。另外，作为代理商，芯纳科技还能为客户提供更优惠的采购价格，相比非代理渠道，可为客户降低 10%-15% 的采购成本，帮助物联网传感器厂商提升产品竞争力。芯纳科技提供赛芯微 ic 定制适配服务，电源管理 IC 按需选型，满足个性化需求。

XBM3204XBM3214  2串锂电池保护芯片介绍   保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：2串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能5串/NTC/MSOP10多节锂电保护产品——二级保护 XBM4530。天津XBM5244 赛芯原厂

带电池正负极反接保护的充电管理。天津XBM5773赛芯方案公司

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。天津XBM5773赛芯方案公司