高同测能力加速智能驾驶芯片量产进程。智能驾驶芯片往往需要大规模部署于整车厂供应链中,对测试效率和成本控制极为敏感。杭州国磊GT600支持比较高512 Sites的并行测试能力,意味着可在单次测试周期内同时验证数百颗芯片,极大缩短测试时间、降低单位测试成本。这种高同测(High Parallel Test)特性对于满足车规级芯片动辄百万级出货量的需求至关重要。此外,其开放式GTFY软件平台支持工程模式与量产模式无缝切换,便于在研发验证与大规模生产之间灵活调配资源,确保智能驾驶芯片在严格的时间窗口内完成认证与交付。国磊GT600SoC测试机512Sites高并行测试架构,提升集成了HBM的AI/GPU芯片的测试吞吐量。国磊SIR测试系统哪家好

MEMS射频开关与滤波器(RFMEMS)用于5G通信前端模块,具有低插损、高隔离度优势。虽MEMS本体为无源器件,但常集成驱动/控制CMOS电路。杭州国磊(Guolei)支持点:测试驱动IC的开关时序(TMU精度达10ps);验证控制逻辑与使能信号的数字功能;测量驱动电压(可达7V)与静态/动态功耗;虽不直接测S参数,但可确保控制电路可靠性,间接保障RF性能。光学MEMS(如微镜、光开关)应用于激光雷达(LiDAR)、投影显示(DLP替代)、光通信。其驱动ASIC需提供高精度PWM或模拟电压控制微镜偏转角度。杭州国磊(Guolei)支持点:AWG输出多通道模拟控制波形,验证微镜响应一致性;TMU测量开关建立时间与稳定时间;数字通道验证SPI配置寄存器功能;支持多通道同步测试,适配阵列式MEMS微镜模组。 国磊SIR测试系统哪家好操作界面友好,即使新手也能快速上手操作。

可选AWG/TMU/Digitizer:混合信号的“全能工具箱” 杭州国磊GT600支持选配AWG(任意波形发生器)、TMU(时间测量单元)和Digitizer(数字化仪),使其从“数字测试机”升级为“混合信号测试平台”。AWG可生成正弦波、三角波、噪声等任意波形,用于测试手机SoC的ISP图像处理、音频编解码性能,THD低至-122dB,信号纯净度媲美**仪器。TMU具备10ps时间分辨率,可精确测量5G基带信号的抖动与延迟,保障通信质量。Digitizer则能高速采样模拟信号,用于验证传感器接口、电源纹波等。在测试一颗集成了摄像头、麦克风、蓝牙的IoT芯片时,杭州国磊GT600可同时激励数字逻辑、注入模拟信号、采集响应波形,实现全功能闭环验证。这套“工具箱”让杭州国磊GT600能应对日益复杂的混合信号SoC,无需外接多台设备,节省空间与成本。
高性能GPU的功耗管理直接影响系统稳定性与能效比。“风华3号”支持多级电源域与动态频率调节,要求测试平台具备高精度DC参数测量能力。国磊GT600测试机每通道集成PPMU,支持nA级静态电流(IDDQ)测量,可**识别GPU在待机、低功耗模式下的漏电异常。其可选配高精度浮动SMU板卡,支持-2.5V~7V电压范围与1A驱动能力,可用于DVFS电压切换测试、电源上电时序(PowerSequencing)验证及电源抑制比(PSRR)分析。GT-TMUHA04时间测量单元提供10ps分辨率,可精确测量GPU**唤醒延迟、中断响应时间与时钟同步偏差,确保AI训推与实时渲染任务的时序可靠性。国磊GT600SoC测试机通过电源上电时序测试利用SMU监控多电源域的电压建立顺序,防止闩锁效应。

可穿戴设备的“微功耗**” AI眼镜、智能手表等可穿戴设备依赖电池供电,对SoC功耗极其敏感。一颗芯片若待机漏电超标,可能导致设备“一天三充”。杭州国磊GT600的PPMU可精确测量nA级静态电流(Iddq),相当于每秒流过数亿个电子的微小电流,能识别芯片内部的“隐形漏电点”。通过FVMI模式,杭州国磊GT600可在不同电压下测试芯片功耗,验证其电源门控(Power Gating)与休眠唤醒机制是否有效。其高精度测量能力确保只有“省电体质”的芯片进入量产。同时,杭州国磊GT600支持混合信号测试,可验证传感器融合、语音唤醒等低功耗功能。在追求“轻薄长续航”的可穿戴市场,杭州国磊GT600以“微电流级”检测能力,为国产芯片的用户体验提供底层保障。国磊半导体,您值得信赖的测试伙伴。国磊SIR测试系统哪家好
GM8800导电阳极丝测试系统,**检测电路绝缘劣化,支持高达256通道并行测试。国磊SIR测试系统哪家好
GT600每通道集成PPMU,具备nA级电流分辨率。在电源门控测试中,将PPMU连接至被门控模块的电源引脚(VDD)或地引脚(VSS),在门控信号(PG_EN)关闭后,测量该模块的静态电流(IDDQ)。若电流**高于设计预期(如>1μA),则表明存在异常漏电,可能由工艺缺陷或电源开关未完全关断导致。GT600支持多路**SMU/PPMU,可同时监测主电源域与被门控电源域的电流。测试时,保持主逻辑供电,关闭目标模块的电源门控信号,通过对比门控前后该域电流的变化,精确提取**由门控网络控制的漏电成分,排除其他模块干扰。GT600支持电压扫描(VoltageSweeping)和温控联动(通过探针台接口),可在高温(如125°C)和高电压条件下进行测试,放大漏电效应,提升缺陷检出率。例如,在VDD=1.2V、125°C下测量关断电流,可暴露常温下难以发现的微小漏电。通过GTFY软件系统编写C++脚本,可自动化执行:施加正常工作电压;发送指令进入低功耗模式并触发电源门控;延时稳定(如10ms);启动PPMU进行电流采样;重复多次以验证一致性。该流程确保测试可重复,并能捕捉间歇性漏电。国磊SIR测试系统哪家好
高同测能力加速智能驾驶芯片量产进程。智能驾驶芯片往往需要大规模部署于整车厂供应链中,对测试效率和成本控制极为敏感。杭州国磊GT600支持比较高512 Sites的并行测试能力,意味着可在单次测试周期内同时验证数百颗芯片,极大缩短测试时间、降低单位测试成本。这种高同测(High Parallel Test)特性对于满足车规级芯片动辄百万级出货量的需求至关重要。此外,其开放式GTFY软件平台支持工程模式与量产模式无缝切换,便于在研发验证与大规模生产之间灵活调配资源,确保智能驾驶芯片在严格的时间窗口内完成认证与交付。国磊GT600每通道集成PPMU,支持HBM相关I/O引脚的漏电流(Leakage)...