当全球HBM市场由三星、SK海力士主导,当先进封装技术成为“卡脖子”关键,国产测试设备的自主可控显得尤为重要。国磊GT600测试机,正是在这一背景下崛起的国产**ATE**。它不**性能对标国际**设备,更以高性价比、本地化服务与持续创新能力,赢得国内头部AI芯片企业的信赖。GT600成功应用于多款集成了HBM接口的GPU与AI加速器测试,验证了其在**领域的实战能力。选择GT600,不**是选择一台测试机,更是选择一条自主可控的国产化路径。国磊GT600——智测HBM芯时代,赋能中国算力新未来!GT600通过多SMU同步控制与TMU测量,验证各域电压建立时间符合设计时序否。若顺序错,可能闩锁或功能异常。湘潭PCB测试系统研发

可穿戴设备的“微功耗**” AI眼镜、智能手表等可穿戴设备依赖电池供电,对SoC功耗极其敏感。一颗芯片若待机漏电超标,可能导致设备“一天三充”。杭州国磊GT600的PPMU可精确测量nA级静态电流(Iddq),相当于每秒流过数亿个电子的微小电流,能识别芯片内部的“隐形漏电点”。通过FVMI模式,杭州国磊GT600可在不同电压下测试芯片功耗,验证其电源门控(Power Gating)与休眠唤醒机制是否有效。其高精度测量能力确保只有“省电体质”的芯片进入量产。同时,杭州国磊GT600支持混合信号测试,可验证传感器融合、语音唤醒等低功耗功能。在追求“轻薄长续航”的可穿戴市场,杭州国磊GT600以“微电流级”检测能力,为国产芯片的用户体验提供底层保障。扬州导电阳极丝测试系统参考价高达256通道的并行测试能力,GM8800极大提升您的检测效率。

AI大模型芯片的“算力守门人” 在AI大模型驱动算力**的***,国产AI芯片(如寒武纪、壁仞)正加速替代英伟达GPU。然而,这些芯片内部集成了数千个AI**与高速互联总线,其功能复杂度与功耗控制要求极高。杭州国磊GT600 SoC测试机凭借400MHz测试速率与128M向量深度,可完整运行复杂的AI推理算法测试向量,验证NPU在真实负载下的计算精度与吞吐能力。其高精度PPMU能精确测量芯片在待机、轻载、满载等多场景下的动态电流,确保“每瓦特算力”达标。同时,杭州国磊GT600支持512站点并行测试,大幅提升量产效率,降低单颗芯片测试成本,为AI芯片大规模部署数据中心提供坚实支撑。可以说,杭州国磊GT600不仅是AI芯片的“质检员”,更是其从实验室走向万卡集群的“量产加速器”。
高通道密度(512~2048数字通道)——适配复杂AISoC引脚规模,现代AI芯片引脚数常超2000(如集成HBM堆栈、多核NPU、多电源域),传统测试设备通道不足。支持**多2048个数字通道,可一次性完成全引脚并行测试,避免分时复用导致的测试盲区。满足寒武纪、壁仞、华为昇腾等国产AI芯片的高集成度测试需求,助力其快速进入数据中心与边缘计算市场。超大向量深度(**高128M/通道)——实现真实AI负载场景回放,AI推理/训练涉及复杂算法流(如Transformer、CNN),需长时间、高覆盖率的功能验证。128M向量存储深度支持完整运行真实AI工作负载测试向量,捕获边界条件下的功能异常或功耗峰值。不仅验证逻辑功能,更能模拟实际应用场景,提升芯片可靠性,加速客户产品上市周期。 先进节点(如28nm及以下)漏电更敏感,国磊GT600的PPMU可测nA级电流,满足FinFET等工艺的低功耗验证需求。

天玑9000系列的成功,标志着国产手机SoC在AI赛道的**崛起。而其背后,离不开从设计、制造到测试验证的完整产业链支撑。国磊GT600测试机凭借其高通道密度、高并行能力、混合信号支持与开放C++软件架构,已成为**SoC测试的关键基础设施。它不**支持STDF等标准数据格式输出,便于良率分析与AI模型训练反馈,还可通过GPIB/TTL接口与探针台、分选机联动,构建全自动CP/FT测试流程。选择国磊GT600测试机,就是选择一条高效、自主、面向AI时代的SoC测试之路。坚持创新,持续为客户创造价值是我们的价值观。湘潭PCB测试系统研发
国磊GT600支持C++编程与自定义测试流程,便于实现复杂模拟参数的闭环扫描与数据分析。湘潭PCB测试系统研发
灵活的板卡配置适配多样化智能驾驶芯片架构 当前智能驾驶SoC厂商采用异构计算架构,不同厂商在I/O电压、功耗、接口协议等方面存在***差异。杭州国磊GT600提供16个通用插槽,支持数字、模拟及混合信号板卡任意组合,并兼容多种VI浮动电源板卡(如GT-DPSMV08支持-2.5V~7V、1A输出)。这种高度模块化的设计使测试平台能快速适配英伟达Orin、地平线征程、黑芝麻华山等不同架构芯片的测试需求,无需为每款芯片重新开发整套测试硬件,***提升测试系统的复用率与投资回报率。湘潭PCB测试系统研发
高精度模拟测试能力匹配MEMS信号链要求,MEMS传感器输出信号微弱(如微伏级电容变化或纳安级电流),对测试系统的本底噪声和分辨率要求极高。国磊(Guolei)GT600可选配的GT-AWGLP02 AWG板卡具备**-122dB THD**(总谐波失真)和110dB SNR(信噪比),能生成超纯净激励信号;同时其Digitizer支持20~24位采样,可精确捕获微弱响应。这种能力对于测试MEMS麦克风的灵敏度、压力传感器的满量程输出或磁力计的偏置稳定性至关重要。支持低功耗与宽电压范围测试 许多MEMS器件用于可穿戴设备、物联网节点等电池供电场景,对功耗极为敏感。国磊(Guolei)GT600...