深圳XBM5770 赛芯集成MOS 两节锂保

XBM2138QFA两串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM3360 型号现货供应，可快速完成订单交付。深圳XBM5770 赛芯集成MOS 两节锂保

在便携式医疗设备领域，深圳市芯纳科技代理的赛芯 XR4981A 成为众多医疗设备厂商的优先。便携式医疗设备如心电监测仪、血糖仪等，直接关系到患者的健康安全，对充电 IC 的可靠性、精度和安全性要求严苛。赛芯 XR4981A 具备精细的充电电压和电流控制功能，误差可控制在极小范围，能确保医疗设备电池稳定充电，避免因充电异常影响设备正常工作。同时，该 IC 集成过压、过流、过温等多重保护机制，可有效保障医疗设备在充电过程中的安全，符合医疗行业的严格标准。作为代理商，深圳市芯纳科技的优势进一步强化了客户合作信心。扬州DS6066赛芯现货3串 4串锂电池保护 /NTC/MSOP10多节锂电池保护——二级保护 XBM4X30。

集成均衡NTC/Sense保护芯片、XBM7101  10串锂电池保护芯片介绍,功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：10串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能

2 串升降压20W~65W 充电器+移动电源单片SOC  1.概述DS3730是一颗集成了协议和升降压的移动电源和充电器二合一单SOC芯片.集成了同步升降压变换器、支持2节电池串联，支持FB控制AC前端电压。有两种工作模式：一种是AC模式，在给电芯充电的同时，也可实现30~65W的快充输出，实现边充边放;另一种就是移动电源模式：支持20W-35W双向充放，支持CC,CA,CCA接口，支持CC-CV切换，支持PD3.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2DC***PLE2.4A等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。2.应用领域充电宝+充电器二合一产品芯纳科技代理赛芯芯片，XBM5774 现货供应，助力客户优化采购流程。

赛芯 XR4981A，在智能设备供电场景中展现出适配性。智能家居设备种类繁多，供电需求各异，赛芯 XR4981A 的宽输入电压范围使其能适配交流适配器、锂电池等多种电源。例如，在智能门锁中，该控制器能将电池电压稳定升压至驱动电机所需的电压，确保门锁的顺畅开关，测试显示其电机启动成功率达 99.5%。在智能摄像头中，其高效的能量转换能力降低了待机功耗，使设备在电池供电下可连续工作 30 天以上。由于工作频率较低，电磁干扰小，该控制器不会影响智能家居设备之间的无线通信，确保了 WiFi、蓝牙信号的稳定传输。合作企业反馈，使用赛芯 XR4981A 后，智能设备的电源模块故障率降低 12%，维护成本下降，为智能家居系统的稳定运行提供了可靠保障。6串-7串 XBM5773 集成均衡/PWM、/NTC/Sense/SSOP24。苏州XBM4551赛芯集成MOS 两节锂保

7串-10串 多节电池保护芯片 XBM7101 集成均衡/NTC/SSOP24。深圳XBM5770 赛芯集成MOS 两节锂保

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。深圳XBM5770 赛芯集成MOS 两节锂保