南京2e1EAB赛芯内置MOS 两节锂保

芯纳科技还配备专业的技术团队，针对智能穿戴设备的特殊需求，能为客户提供从产品选型到方案优化的全流程技术支持，比如协助客户解决 IC 与设备主板的兼容性问题、优化充电效率参数等。同时，在供货周期上，芯纳科技凭借与原厂的深度合作关系，可实现快速响应，客户下单后 48 小时内即可安排发货，大幅缩短客户的采购周期，帮助客户加快产品上市节奏，在激烈的智能穿戴设备市场竞争中抢占先机。 IC 集成过压、过流、过温等多重保护机制，可有效保障医疗设备在充电过程中的安全，符合医疗行业的严格标准。作为代理商，深圳市芯纳科技的优势进一步强化了客户合作信心。首先，芯纳科技拥有完善的品质管控体系，所有赛芯 XR4981A 均直接从原厂采购，每一批次产品都经过严格的质量检测，确保产品 100% 质量且性能达标，为医疗设备的安全运行筑牢道防线。芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM5244 现货供应，助力客户缩短交货期。南京2e1EAB赛芯内置MOS 两节锂保

小型家电市场竞争激烈，厂商对零部件的性价比、适配性和供货效率要求严苛，深圳市芯纳科技代理的赛芯 XR4981A 在小型家电应用场景中展现出独特优势，同时芯纳科技的代理实力也成为客户合作的重要保障。在小型家电如迷你加湿器、小型榨汁机、便携式风扇等设备中，赛芯 XR4981A 凭借高效的充电效率和稳定的性能，能为设备提供可靠的充电支持，缩短设备充电时间，提升用户使用体验。该 IC 还具备良好的兼容性，可适配不同规格的锂电池，满足不同小型家电的供电需求。作为赛芯 XR4981A 的代理商，深圳市芯纳科技的优势体现在多个方面。首先，芯纳科技拥有丰富的小型家电行业合作经验，熟悉不同类型小型家电的技术需求和生产流程，能为客户提供精细的产品选型建议，帮助客户快速找到适配的赛芯 XR4981A 型号，避免因选型不当导致的研发延误。上海6096J9c赛芯代理2~3串锂电保护 多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM2138/XBM32XX 推挽。

3-4串锂电池的保护芯片，XBM5244   芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16概述锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况

XBM2138QFA两串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM3204DBA 现货供应，助力客户生产顺利。

3或4串电池组的  二级保护芯片   主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。XBM4X30系列产品、6串-7串 XBM5773 集成均衡/PWM、/NTC/Sense/SSOP24。深圳XBM2138赛芯原厂

2串 XBM2138 集成均衡/集成MOS 锂电池保护IC.南京2e1EAB赛芯内置MOS 两节锂保

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。南京2e1EAB赛芯内置MOS 两节锂保