SIR测试系统行价

国磊GT600搭载GTFY软件系统，支持C++编程与VisualStudio开发环境，工程师可编写脚本实现：自动化扫描电压/频率组合（DVFS验证）；循环执行睡眠-唤醒-满载测试序列；实时采集功耗数据并生成STDF/CSV报告；大幅提升测试效率与数据可追溯性，助力AI芯片从设计到量产的闭环优化。AI服务器市场的爆发，本质是算力与功耗的持续博弈。国磊GT600并未追逐“算力测试”的表层热点，而是深入电源管理与功耗验证这一关键底层环节，以nA级漏电检测、多域电源控制、动态功耗分析与高并行量产能力，成为AI芯片可靠性与能效比验证的**测试基础设施。国磊半导体，您值得信赖的测试伙伴。SIR测试系统行价

国磊（Guolei）的SoC测试机（如GT600）虽然主要面向高性能系统级芯片（SoC）的数字、模拟及混合信号测试，但其技术能力与MEMS（微机电系统）领域存在多维度、深层次的联系。尽管MEMS器件本身结构特殊（包含机械微结构、传感器/执行器等），但在实际应用中，绝大多数MEMS芯片都需与**ASIC或SoC集成封装（如惯性测量单元IMU、麦克风、压力传感器等），而这些配套电路的测试正是国磊SoC测试机的**应用场景。MEMS-ASIC协同封装的测试需求，现代MEMS产品极少以“裸传感器”形式存在，通常采用MEMS+ASIC的异质集成方案。例如，加速度计/陀螺仪中的MEMS结构负责感知物理量，而配套的ASIC则完成信号调理、模数转换、温度补偿和数字接口输出。这类ASIC往往具备高精度模拟前端（如低噪声放大器、Σ-Δ ADC）、可编程增益控制和I²C/SPI数字接口，属于典型的混合信号SoC。 国磊GT600配备24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引脚参数测量单元及TMU时间测量功能，可***验证此类MEMS配套ASIC的线性度、噪声性能、时序响应和电源抑制比，确保传感器整体精度与可靠性。国产替代GEN测试系统定制国磊半导体，推动测试技术的进步与创新。

国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡，每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域（如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG）的SoC，GT600可为每个域分配**SMU通道，实现各电源域**上电/断电、不同电压值（如1.8V、1.2V、0.9V）同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电（如先VDD_IO，后VDD_CORE）以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间，精确设置各域电压的上升延迟（精度达ms级），验证SoC在正确与错误时序下的行为，确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗，可用于识别某电源域的异常功耗（如漏电、短路）、分析不同工作模式（运行、睡眠、唤醒）下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压（如±5%波动），测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性，评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源（如高压模拟域），可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块，实现与GT600内部SMU的同步操作，构建完整的多电源域测试系统。

AI眼镜的轻量化设计要求SoC具备极高的功能密度与能效比，其内部状态机复杂，需支持多种低功耗模式（如DeepSleep、Standby）与快速唤醒机制。GT600的GT-TMUHA04时间测量单元提供10ps分辨率与0.1%测量精度，可精确测量SoC从休眠到**的响应延迟，确保用户语音唤醒、手势触发等交互的实时性。其32/64/128M向量存储深度支持复杂状态机序列测试，覆盖AI推理、传感器融合、无线传输等多任务并发场景。国磊GT600测试机支持C++编程与VisualStudio开发环境，便于实现定制化低功耗测试流程，如周期性唤醒、事件驱动中断等典型AI眼镜工作模式的自动化验证。国磊GT600数字通道边沿精度100ps，确保模拟IC控制信号（如Enable、Reset）的建立与保持时间精确验证。

GT600每通道集成PPMU，具备nA级电流分辨率。在电源门控测试中，将PPMU连接至被门控模块的电源引脚（VDD）或地引脚（VSS），在门控信号（PG_EN）关闭后，测量该模块的静态电流（IDDQ）。若电流**高于设计预期（如>1μA），则表明存在异常漏电，可能由工艺缺陷或电源开关未完全关断导致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同时监测主电源域与被门控电源域的电流。测试时，保持主逻辑供电，关闭目标模块的电源门控信号，通过对比门控前后该域电流的变化，精确提取**由门控网络控制的漏电成分，排除其他模块干扰。GT600支持电压扫描（VoltageSweeping）和温控联动（通过探针台接口），可在高温（如125°C）和高电压条件下进行测试，放大漏电效应，提升缺陷检出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下测量关断电流，可暴露常温下难以发现的微小漏电。通过GTFY软件系统编写C++脚本，可自动化执行：施加正常工作电压；发送指令进入低功耗模式并触发电源门控；延时稳定（如10ms）；启动PPMU进行电流采样；重复多次以验证一致性。该流程确保测试可重复，并能捕捉间歇性漏电。国磊GT600的128M向量存储深度，支持长时间采集模拟信号动态行为，适用于锁相环（PLL）、振荡器等测试。国产替代GEN测试系统定制

国磊GT600SoC测试机可以进行低功耗专项测试流程DVFS验证即自动扫描电压与频率组合，评估能效比。SIR测试系统行价

数据中心芯片的“能效裁判” 在“双碳”目标下，数据中心能耗成为焦点，芯片能效比（Performance per Watt）成为**指标。杭州国磊GT600通过PPMU精确测量AI加速芯片、服务器CPU的静态与动态功耗，结合FVMI（强制电压测电流）模式，绘制完整的功耗-性能曲线，帮助设计团队优化电压频率调节（DVFS）策略。其FIMV模式还可检测芯片在高负载下的电压跌落，防止因供电不稳导致死机。杭州国磊GT600支持长时间稳定性测试，模拟数据中心7x24小时运行场景，筛选出“耐力型”芯片。512站点并行测试大幅降低单颗芯片测试时间与成本，适配万片级量产需求。杭州国磊GT600不仅是性能的验证者，更是能效的“精算师”，助力国产芯片在绿色计算时代赢得市场。SIR测试系统行价