针对等离子体刻蚀环境的特殊性,国瑞热控配套加热盘采用蓝宝石覆层与氮化铝基底的复合结构,表面硬度达莫氏 9 级,可耐受等离子体长期轰击而无材料脱落。加热盘内部嵌入钼制加热丝,经后嵌工艺固定,避免高温下电极氧化影响加热性能,工作温度范围覆盖室温至 500℃,控温精度 ±1℃。底部设计环形冷却通道,与加热元件形成热平衡调节系统,快速响应刻蚀过程中的温度波动。设备采用全密封结构,电气强度达 2000V/1min,在氟基、氯基刻蚀气体环境中绝缘性能稳定,适配中微半导体刻蚀机等主流设备,为图形转移工艺提供可靠温控。节能环保设计理念,热损失小效率高,助力绿色生产制造。徐汇区晶圆键合加热盘供应商

面向柔性半导体基板(如聚酰亚胺基板)加工需求,国瑞热控**加热盘以柔性贴合设计适配弯曲基板。采用薄型不锈钢加热片(厚度 0.2mm)与硅胶导热层复合结构,可随柔性基板弯曲(弯曲半径**小 5mm)而无结构损坏,加热面温度均匀性达 ±1.5℃,温度调节范围 50℃-250℃,适配柔性基板镀膜、光刻胶烘烤等工艺。配备真空吸附槽道,可牢固固定柔性基板,避免加热过程中褶皱导致的工艺缺陷。与维信诺、柔宇科技等柔性显示厂商合作,支持柔性 OLED 驱动芯片的制程加工,为柔性电子设备的轻量化、可弯曲特性提供制程保障。杨浦区晶圆级陶瓷加热盘非标定制加热盘及配套一站式,省时省心,长期可信赖供应商。

借鉴空间站 “双波长激光加热” 原理,国瑞热控开发半导体激光加热盘,适配极端高温材料制备。采用氮化铝陶瓷基体嵌入激光吸收层,表面可承受 3000℃以上局部高温,配合半导体激光与二氧化碳激光协同加热,实现 “表面强攻 + 内部渗透” 的加热效果。加热区域直径可在 10mm-200mm 间调节,温度响应时间小于 1 秒,控温精度 ±1℃,支持脉冲式加热模式。设备配备红外测温与激光功率闭环控制系统,在钨合金、铌合金等耐热材料研发中应用,为航空航天等**领域提供极端环境模拟工具。
针对半导体退火工艺中对温度稳定性的高要求,国瑞热控退火**加热盘采用红外加热与电阻加热协同技术,实现均匀且快速的温度传递。加热盘主体选用低热惯性的氮化硅陶瓷材质,热导率达 30W/mK,可在 30 秒内将晶圆温度提升至 900℃,且降温过程平稳可控,避免因温度骤变导致的晶圆晶格损伤。表面喷涂耐高温抗氧化涂层,在长期高温退火环境下无物质挥发,符合半导体洁净生产标准。配备多组温度监测点,实时反馈晶圆不同区域温度数据,通过 PID 闭环控制系统动态调整加热功率,确保温度波动小于 ±1℃。适配离子注入后的退火、金属硅化物形成等工艺环节,与应用材料、东京电子等主流退火设备兼容,为半导体器件性能优化提供关键温控保障。紧凑设计节省空间,输出热量强大均匀,受限环境理想选择。

依托强大的研发与制造能力,国瑞热控提供全流程半导体加热盘定制服务,满足特殊工艺与设备的个性化需求。可根据客户提供的图纸与参数,定制圆形、方形等特殊形状加热盘,尺寸覆盖 4 英寸至 18 英寸晶圆规格。材质可选择铝合金、氮化铝陶瓷、因瓦合金等多种类型,加热方式支持电阻加热、红外加热及复合加热模式,温度范围与控温精度按需设定。通过三维建模与温度场仿真优化设计方案,原型样品交付周期缩短至 15 个工作日,批量生产前提供 2 台样品进行工艺验证。已为长鑫存储、华虹半导体等企业定制**加热盘,适配其自主研发设备,助力国产半导体设备产业链完善。工作温度范围宽泛,满足低温烘烤至高温烧结需求。奉贤区刻蚀晶圆加热盘供应商
接口布线密封精心设计,确保整体性能稳定,延长使用寿命。徐汇区晶圆键合加热盘供应商
面向先进封装 Chiplet 技术需求,国瑞热控**加热盘以高精度温控支撑芯片互联工艺。采用铝合金与陶瓷复合基材,加热面平面度误差小于 0.02mm,确保多芯片堆叠时受热均匀。内部采用微米级加热丝布线,实现 1mm×1mm 精细温控分区,温度调节范围覆盖室温至 300℃,控温精度 ±0.3℃,适配混合键合、倒装焊等工艺环节。配备压力与温度协同控制系统,在键合过程中同步调节温度与压力参数,减少界面缺陷。与长电科技、通富微电等企业适配,支持 2.5D/3D 封装架构,为 AI 服务器等高算力场景提供高密度集成解决方案。徐汇区晶圆键合加热盘供应商
无锡市国瑞热控科技有限公司是一家有着雄厚实力背景、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标,有组织有体系的公司,坚持于带领员工在未来的道路上大放光明,携手共画蓝图,在江苏省等地区的电工电气行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源,也收获了良好的用户口碑,为公司的发展奠定的良好的行业基础,也希望未来公司能成为*****,努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量,我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息,斗志昂扬的的企业精神将**无锡市国瑞热控科技供应和您一起携手步入辉煌,共创佳绩,一直以来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,员工精诚努力,协同奋取,以品质、服务来赢得市场,我们一直在路上!
无锡国瑞热控PVD工艺**加热盘,专为物***相沉积环节的严苛温控需求设计!作为晶圆加工的**载体与射频回路下电极,其采用陶瓷与高纯金属复合基材,经精密研磨确保加热面平面度误差小于0.02mm,为薄膜均匀生长提供稳定基底!内部螺旋状加热元件与均温层协同作用,使晶圆表面温度均匀性控制在±1℃以内,适配6英寸至12英寸不同规格晶圆!设备整体采用无挥发洁净工艺处理,在高真空环境下无杂质释放,搭配快速升温技术(升温速率达30℃/分钟),完美契合PVD工艺中对温度稳定性与生产效率的双重要求,为半导体薄膜制备提供可靠温控支撑!多种规格尺寸可选,支持个性化定制,满足不同行业的特殊应用需求。广东半导体晶圆加热...