企业商机
测试系统基本参数
  • 品牌
  • 国磊
  • 型号
  • 齐全
测试系统企业商机

GT600每通道集成PPMU,具备nA级电流分辨率。在电源门控测试中,将PPMU连接至被门控模块的电源引脚(VDD)或地引脚(VSS),在门控信号(PG_EN)关闭后,测量该模块的静态电流(IDDQ)。若电流**高于设计预期(如>1μA),则表明存在异常漏电,可能由工艺缺陷或电源开关未完全关断导致。GT600支持多路**SMU/PPMU,可同时监测主电源域与被门控电源域的电流。测试时,保持主逻辑供电,关闭目标模块的电源门控信号,通过对比门控前后该域电流的变化,精确提取**由门控网络控制的漏电成分,排除其他模块干扰。GT600支持电压扫描(VoltageSweeping)和温控联动(通过探针台接口),可在高温(如125°C)和高电压条件下进行测试,放大漏电效应,提升缺陷检出率。例如,在VDD=1.2V、125°C下测量关断电流,可暴露常温下难以发现的微小漏电。通过GTFY软件系统编写C++脚本,可自动化执行:施加正常工作电压;发送指令进入低功耗模式并触发电源门控;延时稳定(如10ms);启动PPMU进行电流采样;重复多次以验证一致性。该流程确保测试可重复,并能捕捉间歇性漏电。国磊GT600凭高精度参数测量、多域电源控制与可编程软件平台,支持从90nm到7nm主流工艺节点电源门控测试。福州PCB测试系统批发

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可穿戴设备的“微功耗**” AI眼镜、智能手表等可穿戴设备依赖电池供电,对SoC功耗极其敏感。一颗芯片若待机漏电超标,可能导致设备“一天三充”。杭州国磊GT600的PPMU可精确测量nA级静态电流(Iddq),相当于每秒流过数亿个电子的微小电流,能识别芯片内部的“隐形漏电点”。通过FVMI模式,杭州国磊GT600可在不同电压下测试芯片功耗,验证其电源门控(Power Gating)与休眠唤醒机制是否有效。其高精度测量能力确保只有“省电体质”的芯片进入量产。同时,杭州国磊GT600支持混合信号测试,可验证传感器融合、语音唤醒等低功耗功能。在追求“轻薄长续航”的可穿戴市场,杭州国磊GT600以“微电流级”检测能力,为国产芯片的用户体验提供底层保障。绍兴PCB测试系统现货直发国磊GT600尤其适用于对漏电控制要求严苛的低功耗SoC,是国产高ji芯片研发与量产验证的重要支撑工具。

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国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡,每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域(如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG)的SoC,GT600可为每个域分配**SMU通道,实现各电源域**上电/断电、不同电压值(如1.8V、1.2V、0.9V)同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电(如先VDD_IO,后VDD_CORE)以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间,精确设置各域电压的上升延迟(精度达ms级),验证SoC在正确与错误时序下的行为,确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗,可用于识别某电源域的异常功耗(如漏电、短路)、分析不同工作模式(运行、睡眠、唤醒)下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压(如±5%波动),测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性,评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源(如高压模拟域),可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块,实现与GT600内部SMU的同步操作,构建完整的多电源域测试系统。

    国产手机自研芯片体系——包括手机SoC(如麒麟系列)、服务器芯片(如鲲鹏)、AI加速芯片(如昇腾Ascend)——不仅是产品竞争力的**,更是中国半导体自主可控的战略支点。这些芯片高度集成、性能***、功耗敏感,对测试设备的全面性、精度、效率和灵活性提出前所未有的挑战。国磊GT600SoC测试机,正是为这类**国产芯片量身打造的“全能考官”。国磊GT600不仅能验证手机SoC的CPU/GPU的基础逻辑功能,更能通过可选配的AWG(任意波形发生器),模拟真实世界的模拟信号,精细测试ISP图像处理单元对摄像头输入信号的响应质量,确保拍照清晰、色彩准确;通过高精度TMU(时间测量单元,精度达10ps),验证5G基带芯片的信号时序与抖动,保障通信稳定低延迟;通过每通道PPMU,检测NPU在待机与高负载下的微小漏电流,确保AI算力强劲的同时功耗可控。 国磊GT600SoC测试机ALPG功能可生成地址/数据模式,用于HBM存储控制器的功能验证。

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每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引脚级”测量能力,让杭州国磊GT600成为芯片可靠性的“***守门人”。国磊GT600支持20/24bit高分辨率AWG与Digitizer板卡,可用于高精度ADC/DAC的INL、DNL、SNR、THD等参数测试。广州GEN3测试系统厂家

国磊GT600在400MHz速率下测试SerDes、GPIO、I2C、SPI、UART等接口的通信功能完成高速接口功能验证。福州PCB测试系统批发

高性能GPU的功耗管理直接影响系统稳定性与能效比。“风华3号”支持多级电源域与动态频率调节,要求测试平台具备高精度DC参数测量能力。国磊GT600测试机每通道集成PPMU,支持nA级静态电流(IDDQ)测量,可**识别GPU在待机、低功耗模式下的漏电异常。其可选配高精度浮动SMU板卡,支持-2.5V~7V电压范围与1A驱动能力,可用于DVFS电压切换测试、电源上电时序(PowerSequencing)验证及电源抑制比(PSRR)分析。GT-TMUHA04时间测量单元提供10ps分辨率,可精确测量GPU**唤醒延迟、中断响应时间与时钟同步偏差,确保AI训推与实时渲染任务的时序可靠性。福州PCB测试系统批发

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高精度模拟测试能力匹配MEMS信号链要求,MEMS传感器输出信号微弱(如微伏级电容变化或纳安级电流),对测试系统的本底噪声和分辨率要求极高。国磊(Guolei)GT600可选配的GT-AWGLP02 AWG板卡具备**-122dB THD**(总谐波失真)和110dB SNR(信噪比),能生成超纯净激励信号;同时其Digitizer支持20~24位采样,可精确捕获微弱响应。这种能力对于测试MEMS麦克风的灵敏度、压力传感器的满量程输出或磁力计的偏置稳定性至关重要。支持低功耗与宽电压范围测试 许多MEMS器件用于可穿戴设备、物联网节点等电池供电场景,对功耗极为敏感。国磊(Guolei)GT600...

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