中国台湾加热盘定制

针对化学气相沉积工艺的复杂反应环境，国瑞热控 CVD 电控加热盘以多维技术创新**温控难题。加热盘内置多区域**温控模块，可根据反应腔不同区域需求实现差异化控温，温度调节范围覆盖室温至 600℃，满足各类 CVD 反应的温度窗口要求。采用特种绝缘材料与密封结构设计，能耐受反应腔内部腐蚀性气体侵蚀，同时具备 1500V/1min 的电气强度，无击穿闪络风险。搭配高精度铂电阻传感器，实时测温精度达 ±0.5℃，通过 PID 闭环控制确保温度波动小于 ±1℃，为晶圆表面材料的均匀沉积与性能稳定提供关键保障，适配集成电路制造的规模化生产需求。特殊尺寸功率定制，快速响应需求，量身打造方案。中国台湾加热盘定制

针对等离子体刻蚀环境的特殊性，国瑞热控配套加热盘采用蓝宝石覆层与氮化铝基底的复合结构，表面硬度达莫氏 9 级，可耐受等离子体长期轰击而无材料脱落。加热盘内部嵌入钼制加热丝，经后嵌工艺固定，避免高温下电极氧化影响加热性能，工作温度范围覆盖室温至 500℃，控温精度 ±1℃。底部设计环形冷却通道，与加热元件形成热平衡调节系统，快速响应刻蚀过程中的温度波动。设备采用全密封结构，电气强度达 2000V/1min，在氟基、氯基刻蚀气体环境中绝缘性能稳定，适配中微半导体刻蚀机等主流设备，为图形转移工艺提供可靠温控。中国台湾加热盘定制高效稳定耐用三大优势，国瑞加热盘经得起时间考验。

面向柔性半导体基板（如聚酰亚胺基板）加工需求，国瑞热控**加热盘以柔性贴合设计适配弯曲基板。采用薄型不锈钢加热片（厚度 0.2mm）与硅胶导热层复合结构，可随柔性基板弯曲（弯曲半径**小 5mm）而无结构损坏，加热面温度均匀性达 ±1.5℃，温度调节范围 50℃-250℃，适配柔性基板镀膜、光刻胶烘烤等工艺。配备真空吸附槽道，可牢固固定柔性基板，避免加热过程中褶皱导致的工艺缺陷。与维信诺、柔宇科技等柔性显示厂商合作，支持柔性 OLED 驱动芯片的制程加工，为柔性电子设备的轻量化、可弯曲特性提供制程保障。

电控晶圆加热盘：半导体工艺的准确温控重点。无锡国瑞热控的电控晶圆加热盘，以创新结构设计解释半导体制造的温控难题。其底盘内置螺旋状发热电缆与均温膜，通过热量传导路径优化，使加热面均温性达到行业高标准，确保晶圆表面温度分布均匀，为光刻胶涂布等关键工艺提供稳定环境。搭配高精度温度传感器与限温开关，温度波动可控制在极小范围，适配 6 英寸至 12 英寸不同规格晶圆需求。设备采用卡接组件连接上盘与底盘，通过转盘驱动齿轮结构实现快速拆装，大幅降低检修维护的停机时间，完美契合半导体量产线的高效运维需求。专业定制加热盘，快速升温寿命长，满足半导体医疗科研需求。

借鉴空间站 “双波长激光加热” 原理，国瑞热控开发半导体激光加热盘，适配极端高温材料制备。采用氮化铝陶瓷基体嵌入激光吸收层，表面可承受 3000℃以上局部高温，配合半导体激光与二氧化碳激光协同加热，实现 “表面强攻 + 内部渗透” 的加热效果。加热区域直径可在 10mm-200mm 间调节，温度响应时间小于 1 秒，控温精度 ±1℃，支持脉冲式加热模式。设备配备红外测温与激光功率闭环控制系统，在钨合金、铌合金等耐热材料研发中应用，为航空航天等**领域提供极端环境模拟工具。精密实验理想热源，控温精度高热分布均匀，确保实验结果准确可靠。宝山区半导体加热盘厂家

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针对 12 英寸及以上大尺寸晶圆的制造需求，国瑞热控大尺寸半导体加热盘以创新结构设计实现高效温控。产品采用多模块拼接式结构，单模块加热面积可达 1500cm²，通过标准化接口可灵活组合成更大尺寸加热系统，适配不同产能的生产线需求。每个模块配备**温控单元，通过**控制系统协同工作，确保整个加热面温度均匀性控制在 ±1.5℃以内。采用轻量化**度基材，在保证结构稳定性的同时降低设备重量，便于安装与维护。表面经精密加工确保平整度，与大尺寸晶圆完美贴合，减少热传导损耗，为先进制程中大规模晶圆的均匀加热提供可靠解决方案。中国台湾加热盘定制

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