GEN高阻测试设备研发中心

国磊GT600支持400MHz高速测试与128M超大向量深度，足以运行手机芯片内部复杂的AI推理算法、多任务调度协议等长周期测试程序，避免传统设备因内存不足导致的“中断加载”，大幅提升测试覆盖率和效率。其512站点并行测试能力，更可满足手机芯片大规模量产需求，***降低测试成本。更重要的是，国磊GT600采用开放式GTFY系统，支持C++自主编程，工程师可深度定制测试流程，无缝对接内部研发与生产体系，实现从实验室到工厂的快速转化。在外部供应链受限的背景下，国磊GT600作为国产**测试设备，可以为国产手机芯片的持续迭代与稳定量产，提供坚实、安全、可控的底层保障。离子迁移试验是确保电子产品长期可靠性的关键。GEN高阻测试设备研发中心

杭州国磊半导体设备有限公司GM8800导电阳极丝（CAF）测试系统是国产CAF测试装备的重大成就，其性能指标直接对标国际**水平。该系统支持高达256个**通道的同步测试，电阻测量范围横跨10^4~10^14Ω，精度控制在±3%~±10%之间，能够满足**苛刻的绝缘材料与PCB板的CAF效应评估需求。GM8800提供极其灵活和精确的电压施加能力，内置0V~±100V精密源，外接偏置电压可达3000V，电压控制精度***，步进调节细腻，电压建立速度快，并允许用户设置1~600秒的稳定时间以确保测试条件的一致性。系统集成 comprehensive 数据采集功能，同步监测记录所有相关参数（时间、电阻、电流、电压、温湿度），并通过专业软件进行自动化处理、分析和存储，支持远程访问与控制。其设计高度重视安全性与可靠性，内置低阻、过压、温湿度越限、AC断电、系统死机等多重报警机制，并可连接UPS提供长达120分钟的断电保护。与价格昂贵的英国GEN3系统相比，GM8800在**功能与性能上实现***超越对标，更在系统总拥有成本、通道扩展性、定制化能力以及本土技术服务响应效率上具备压倒性优势，已成为国内众多**制造企业与研究机构替代进口、实现供应链自主的优先方案。湖州SIR测试系统定制国磊GT600SoC测试机可通过GPIB/TTL接口同步探针台与分选机，实现HBM集成芯片的CP/FT自动化测试流程。

杭州国磊半导体设备有限公司GM8800多通道绝缘电阻测试系统是专为苛刻的可靠性测试环境而设计的精密仪器。该系统以16通道为模块，可灵活堆叠至256通道，实现大规模、高效率的绝缘电阻监测，其测量范围宽广（10^4~10^14Ω），精度在不同阻值区间均得到严格控制，能够满足从普通电子元件到特种绝缘材料的高阻测试需求。GM8800提供精确且稳定的电压激励源，内置0V~±100V，外接高达3000V，电压输出精度高，步进调节细腻，并具备快速的电压建立能力，确保测试应力施加的准确性和一致性。系统支持用户自定义测试间隔（1~600分钟）和总测试时间（1~9999小时），并集成实时环境监测与多维度安全报警功能（包括低阻、测试中断、温湿度异常、电压超限、AC电源故障、软件异常等），可选配UPS提供断电保护。其智能软件系统集控制、采集、分析、远程监控于一体，操作直观，功能***。相较于传统的进口设备如英国GEN3，GM8800在提供同等前列测量性能的同时，***降低了设备的综合拥有成本，并且凭借本地化的研发与支持团队，能够提供更快速、更贴近用户实际应用需求的技术服务与解决方案，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、通信设备、航空航天等领域的绝缘可靠性验证与质量保证活动。

在现代手机SoC中，高速接口如LPDDR5内存、PCIe4.0存储、USB3.2/4.0数据传输等，已成为性能瓶颈的关键环节，其协议复杂、时序严苛，对测试设备的速率和深度提出极高要求。国磊GT600支持400MHz测试速率，可精细模拟高速信号边沿与时钟同步，确保接口在极限频率下稳定工作；其128M超大向量深度，足以容纳完整的AI大模型推理流程、多任务并发调度等长周期测试用例，避免传统设备因内存不足频繁加载数据导致的测试中断或覆盖不全，真正实现“一次加载，全程跑完”，保障功能验证的完整性与可靠性。国磊GT600测试系统只需通过“配置升级”和“方案打包”，就能快速适配Chiplet的复杂测试需求。

GT600每通道集成PPMU，具备nA级电流分辨率。在电源门控测试中，将PPMU连接至被门控模块的电源引脚（VDD）或地引脚（VSS），在门控信号（PG_EN）关闭后，测量该模块的静态电流（IDDQ）。若电流**高于设计预期（如>1μA），则表明存在异常漏电，可能由工艺缺陷或电源开关未完全关断导致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同时监测主电源域与被门控电源域的电流。测试时，保持主逻辑供电，关闭目标模块的电源门控信号，通过对比门控前后该域电流的变化，精确提取**由门控网络控制的漏电成分，排除其他模块干扰。GT600支持电压扫描（VoltageSweeping）和温控联动（通过探针台接口），可在高温（如125°C）和高电压条件下进行测试，放大漏电效应，提升缺陷检出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下测量关断电流，可暴露常温下难以发现的微小漏电。通过GTFY软件系统编写C++脚本，可自动化执行：施加正常工作电压；发送指令进入低功耗模式并触发电源门控；延时稳定（如10ms）；启动PPMU进行电流采样；重复多次以验证一致性。该流程确保测试可重复，并能捕捉间歇性漏电。国磊GT600的SMU覆盖从高压IO（3.3V）到低电压he心（0.6V~1.2V）的多种电源域，适配不同节点供电要求。南通CAF测试系统研发

我们的系统能有效评估绝缘材料在电场下的性能变化。GEN高阻测试设备研发中心

HBM的集成不****是带宽提升，更带来了复杂的混合信号测试挑战。SoC与HBM之间的信号完整性、电源噪声、时序对齐（Skew）等问题，直接影响芯片性能与稳定性。国磊GT600测试机凭借其模块化设计，支持AWG、TMU、SMU、Digitizer等高精度模拟板卡，实现“数字+模拟”一体化测试。例如，通过GT-TMUHA04（10ps分辨率）精确测量HBM接口时序偏差，利用GT-AWGLP02（-122dBTHD）生成纯净激励信号，**验证高速SerDes性能。GT600将复杂问题系统化解决，为HBM集成芯片提供从DC参数到高频信号的**测试保障，确保每一颗芯片都经得起AI时代的严苛考验。GEN高阻测试设备研发中心