企业商机
赛芯基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,PLCC,SMD,BGA,TQFP,PQFP,QFP,CSP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM,SDIP
赛芯企业商机

公司成立于2023年,总部设立在深圳,同时在成都设有研发中心。研发团队来自国内外前列半导体公司,拥有多位海归大厂技术骨干,都拥有着10年以上的芯片开发经验,拥有强大的研发创新能力。创立之初便推出了多款移动电源SOC,帮助客户实现产品升级,受到客户的高度认可。移动电源SOC具有高集成、多协议双向快充,集成了同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能,支持1-6节电池。芯纳科技代理赛芯芯片,XBM4451 型号现货在售,货源稳定,支持批量采购。佛山2m1EAB赛芯内置MOS 两节锂保

佛山2m1EAB赛芯内置MOS 两节锂保,赛芯

小家电,电工工具等2-6串电池包充电管理,DS3056B是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC,集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计,I2C通信等功能模块,支持2-6串电芯,比较大100W充电功率,支持CC-CV切换,支持PD3.0,QC2.0、Apple 2.4A, BC1.2 DCP快充充电协议;输出5V/3A。 具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路,即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。上海DS3056赛芯集成MOS 两节锂保芯纳科技代理赛芯芯片,XBM2138 型号现货充足,支持客户紧急生产需求。

佛山2m1EAB赛芯内置MOS 两节锂保,赛芯

XBM4X30系列产品、3或4串电池组的二级保护芯片主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路,是一款用于可充电电池组的二级保护芯片,通过检测电池包中每一节电芯的电压,为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能:过充电检测电压-(步进50mV),精度±25mV;过充电电压0-(步进50mV),精度±50mV;过放电检测电压-(步进100mV),精度±80mV;过放电电压0V-(步进100mV),精度±100mV1。保护延时内置可选:可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能(可选):增加了电池使用的安全性1。输出方式可选:有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选:动态输出H、动态输出。

电源管理芯片广泛应用于各个领域。在消费电子领域,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,它们确保设备在不同的使用场景下(如待机、运行大型程序等)都能实现理想的电源效率,延长电池续航时间。在工业自动化领域,为各种传感器、控制器和执行器提供稳定的电源,保证工业系统的可靠运行。在汽车电子方面,电源管理芯片用于汽车的引擎控制、车载娱乐系统、照明系统等,适应汽车复杂的电源环境和严格的可靠性要求。在医疗设备中,也起着关键作用,保障设备的精确运行和患者的安全。芯纳科技专注赛芯芯片代理,XBM5244 型号现货充足,助力客户优化采购流程。

佛山2m1EAB赛芯内置MOS 两节锂保,赛芯

在供货能力上,芯纳科技在深圳设有大型仓储中心,常备大量赛芯 XR4981A 库存,客户下单后可实现快速发货,对于紧急订单,甚至可当天安排物流配送,大幅缩短客户的采购周期,帮助小型家电厂商加快产品上市速度。此外,芯纳科技还为客户提供增值服务,比如提供赛芯 XR4981A 的技术文档和应用案例,协助客户进行产品测试和调试,同时针对小型家电厂商的批量采购需求,提供灵活的付款方式和批量采购优惠政策,进一步降低客户的采购成本和资金压力。另外,芯纳科技的售后团队会定期回访客户,了解赛芯 XR4981A 的使用情况,及时解决客户在生产过程中遇到的问题,确保合作长期稳定。芯纳科技提供赛芯芯片代理服务,XBM3214DBA 型号现货在售,货源稳定可靠。佛山XBM2138赛芯方案公司

芯纳科技代理赛芯芯片,XBM3212JFG 型号现货供应,支持客户紧急采购需求。佛山2m1EAB赛芯内置MOS 两节锂保

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联,实现几乎是直接翻倍的带载能力,降低内阻,提高效率,但布板清注意:①两个芯片尽量对称,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地,减小布线内阻和加强散热。③,每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻,并且布的离VDD近些,尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些,也无需多粗,但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小,PCB板上,封装焊盘略大一些,避免虚焊。②,走线经过电阻后,先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND,使整个电容环路**小。④芯片的GND(B-)到VM建议预留一个C2()电容位置,C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD,建议连接芯片的GND(B-)或者悬空。佛山2m1EAB赛芯内置MOS 两节锂保

与赛芯相关的文章
广州XBM3215DGB赛芯厂家 2026-01-01

集成均衡NTC/Sense保护芯片、XBM7101 10串锂电池保护芯片介绍,功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节:10串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定,如果觉得该阈值较小,可以将多个开关MOS管进行并联操作,以增大过流电流,将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能高压降压电源芯片用于便携式设备、移动设备、车载设备的电源变换。广州XB...

与赛芯相关的问题
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责