企业商机
加热盘基本参数
  • 品牌
  • 无锡国瑞热控
  • 型号
  • 非标定制
  • 类型
  • 元素半导体材料,化合物半导体材料
  • 材质
  • 6061-T6,陶瓷,金属等
  • 产品名称
  • 晶圆加热盘
  • 产地
  • 江苏无锡
  • 厂家
  • 无锡国瑞热控
加热盘企业商机

在半导体离子注入工艺中,国瑞热控配套加热盘以稳定温控助力掺杂浓度精细控制。其采用耐高温合金基材,经真空退火处理消除内部应力,可在 400℃高温下长期稳定运行而不变形。加热盘表面喷涂绝缘耐离子轰击涂层,避免电荷积累对注入精度的干扰,同时具备优良的导热性能,能快速将晶圆预热至设定温度并保持恒定。设备配备双路温度监测系统,分别监控加热元件与晶圆表面温度,当出现偏差时自动启动调节机制,温度控制精度达 ±1℃。适配不同型号离子注入机,通过标准化接口实现快速安装,为半导体掺杂工艺的稳定性与重复性提供有力支持。研发团队持续探索,新材料新工艺,效能不断提升。杨浦区加热盘非标定制

杨浦区加热盘非标定制,加热盘

国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求,开发**加热盘适配 “固 - 液 - 固” 相变生长工艺。采用高纯不锈钢基体加工密封腔体,内置铟原子蒸发温控模块,可精细控制铟蒸汽分压,确保硒与铟原子比稳定在 1:1。加热面温度均匀性控制在 ±0.5℃,升温速率可低至 0.5℃/ 分钟,为非晶薄膜向高质量晶体转化提供稳定热环境。设备支持 5 厘米直径晶圆级制备,配合惰性气体保护系统,避免材料氧化,与北京大学等科研团队合作验证,助力高性能晶体管阵列构建,其电学性能指标可达 3 纳米硅基芯片的 3 倍。浦东新区刻蚀晶圆加热盘定制快速交付承诺,标准产品现货供应,定制产品周期短响应快。

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面向先进封装 Chiplet 技术需求,国瑞热控**加热盘以高精度温控支撑芯片互联工艺。采用铝合金与陶瓷复合基材,加热面平面度误差小于 0.02mm,确保多芯片堆叠时受热均匀。内部采用微米级加热丝布线,实现 1mm×1mm 精细温控分区,温度调节范围覆盖室温至 300℃,控温精度 ±0.3℃,适配混合键合、倒装焊等工艺环节。配备压力与温度协同控制系统,在键合过程中同步调节温度与压力参数,减少界面缺陷。与长电科技、通富微电等企业适配,支持 2.5D/3D 封装架构,为 AI 服务器等高算力场景提供高密度集成解决方案。

借鉴晶圆键合工艺的技术需求,国瑞热控键合**加热盘创新采用真空吸附与弹簧压块复合结构,通过弹簧压力限制加热平台受热膨胀,高温下表面平整度误差控制在 0.02mm 以内。加热盘主体采用因瓦合金与氮化铝复合基材,兼具低热膨胀系数与高导热性,温度均匀性达 ±1.5℃,适配室温至 450℃的键合温度需求。底部设计双层隔热结构,***层阻隔热量向下传导,第二层快速散热避免设备腔体温升过高。配备精细压力控制模块,可根据键合类型调整吸附力,在硅 - 硅直接键合、金属键合等工艺中确保界面贴合紧密,提升键合良率。严格质量管理体系,ISO认证工厂生产,品质有保障。

杨浦区加热盘非标定制,加热盘

国瑞热控氮化铝陶瓷加热盘以 99.5% 高纯氮化铝为基材,通过干压成型与 1800℃高温烧结工艺制成,完美适配半导体高温工艺需求。其热导率可达 220W/mK,热膨胀系数* 4.03×10⁻⁶/℃,与硅晶圆热特性高度匹配,有效避免高温下因热应力导致的晶圆翘曲。内部嵌入钨制加热元件,经共烧工艺实现紧密结合,加热面温度均匀性控制在 ±1℃以内,工作温度上限提升至 800℃,远超传统铝合金加热盘的 450℃极限。表面经精密研磨抛光处理,平面度误差小于 0.01mm,可耐受等离子体长期轰击无损伤,在晶圆退火、氧化等高温工艺中表现稳定,为国产替代提供高性能材质解决方案。模块化设计便于维护更换,减少停机时间,提升产能。高精度均温加热盘非标定制

接口布线密封精心设计,确保整体性能稳定,延长使用寿命。杨浦区加热盘非标定制

国瑞热控薄膜沉积**加热盘以精细温控助力半导体涂层质量提升,采用铝合金基体与陶瓷覆层复合结构,表面粗糙度 Ra 控制在 0.08μm 以内,减少薄膜沉积过程中的界面缺陷。加热元件采用螺旋状分布设计,配合均温层优化,使加热面温度均匀性达 ±0.5℃,确保薄膜厚度偏差小于 5%。设备支持温度阶梯式调节功能,可根据沉积材料特性设定多段温度曲线,适配氧化硅、氮化硅等不同薄膜的生长需求。工作温度范围覆盖 100℃至 500℃,升温速率 12℃/ 分钟,且具备快速冷却通道,缩短工艺间隔时间。通过与拓荆科技、北方华创等设备厂商的联合调试,已实现与国产薄膜沉积设备的完美适配,为半导体器件的绝缘层、钝化层制备提供稳定加热环境。杨浦区加热盘非标定制

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