石墨烯可与多种传统半导体材料形成异质结,如硅[64][65][66],锗[67],氧化锌[68],硫化镉[69]、二硫化钼[70]等。其中,石墨烯/硅异质结器件是目前研究**为***、光电转换效率比较高(AM1.5)的一类光电器件。基于硅-石墨烯异质结光电探测器(SGPD),获得了极高的光伏响应[71]。相比于光电流响应,它不会因产生焦耳热而产生损耗。基于化学气象沉积法(CVD)生长的石墨烯光电探测器有很多其独特的优点。首先有极高的光伏响应,其次有极小的等效噪声功率可以探测极微弱的信号,常见的硅-石墨烯异质结光电探测器结构如图9.8所示。调控反应过程中氧化条件,减少面内大面积反应,减少缺陷,提升还原效率。附近氧化石墨资料

随着材料领域的扩张,人们对于材料的功能性需求更为严苛,迫切需要在交通运输、建筑材料、能量存储与转化等领域应用性质更加优良的材料出现,石墨烯以优异的声、光、热、电、力等性质成为各新型材料领域追求的目标,作为前驱体的GO以其灵活的物理化学性质、可规模化制备的特点更成为应用基础研究的热电。虽然GO具有诸多特性,但是由于范德华作用以及π-π作用等强相互作用力,使GO之间很容易在不同体系中发生团聚,其在纳米尺度上表现的优异性能随着GO片层的聚集***的降低直至消失,极大地阻碍了GO的进一步应用。单层氧化石墨生产氧化石墨中存在大量亲水基团(如羧基与羟基),在水溶液中容易分散。

氧化石墨烯表面含有-OH和-COOH等丰富的官能团,在水中可发生去质子化等反应带有负电荷,由于静电作用将金属阳离子吸附至表面;相反的,如果水中pH等环境因素发生变化,氧化石墨烯表面也可携带正电荷,则与金属离子产生静电斥力,二者之间的吸附作用**减弱。而静电作用的强弱与氧化石墨烯表面官能团产生的负电荷相关,其受环境pH值的影响较明显。Wang44等人的研究证明,在pH>pHpzc时(pHpzc=3.8),GO表面的官能团可发生去质子化反应而带负电,可有效吸附铀离子U(VI),其吸附量可达到1330mg/g。
氧化石墨烯/还原氧化石墨烯在光电传感领域的应用,其基本依据是本章前面部分所涉及到的各种光学性质。氧化石墨烯因含氧官能团的存在具备了丰富的光学特性,在还原为还原氧化石墨烯的过程中,不同的还原程度又具备了不同的性质,从结构方面而言,是其SP2碳域与SP3碳域相互分割、相互影响、相互转化带来了如此丰富的特性。也正是这些官能团的存在,使得氧化石墨烯可以方便的采用各种基于溶液的方法适应多种场合的需要,克服了CVD和机械剥离石墨烯在转移和大面积应用时存在的缺点,也正是这些官能团的存在,使其便于实现功能化修饰,为其在不同场景的应用提供了一个广阔的平台。氧化石墨烯(GO)的厚度只有几纳米,具有两亲性。

当前社会的快速发展造成了严重的重金属离子污染,重金属离子毒性大、分布广、难降解,一旦进入生态环境,严重威胁人类的生命健康。目前,含重金属离子废水的处理方法主要有化学沉淀法、膜分离法、离子交换法、吸附法等等。而使用纳米材料吸附重金属离子成为当前科研人员的研究热点。相对活性炭、碳纳米管等碳基吸附材料,氧化石墨烯的比表面积更大,表面官能团(如羧基、环氧基、羟基等)更为丰富,具有很好的亲水性,可以与金属离子作用富集分离水相中的金属离子;同时,氧化石墨烯片层可交联极性小分子或聚合物制备出氧化石墨烯纳米复合材料,吸附特性更加优异。氧化石墨烯(GO)是印刷电子、催化、储能、分离膜、生物医学和复合材料的理想材料。单层氧化石墨生产
石墨烯以优异的声、光、热、电、力等性质成为各新型材料领域追求的目标。附近氧化石墨资料
还原氧化石墨烯(RGO)在边缘处和面内缺陷处具有丰富的分子结合位点,使其成为一种很有希望的电化学传感器材料。结合原位还原技术,有很多研究使用诸如喷涂、旋涂等基于溶液的技术手段,利用氧化石墨烯(GO)在不同基底上制造出具备石墨烯相关性质的器件,以期在一些场合替代CVD制备的石墨烯。结构决定性质。氧化石墨烯(GO)的能级结构由sp3杂化和sp2杂化的相对比例决定[6],调节含氧基团相对含量可以实现氧化石墨烯(GO)从绝缘体到半导体再到半金属性质的转换附近氧化石墨资料