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测试系统基本参数
  • 品牌
  • 国磊
  • 型号
  • 齐全
测试系统企业商机

杭州国磊半导体设备有限公司推出的GM8800导电阳极丝(CAF)测试系统是实现**绝缘材料与PCB可靠性评价国产化的关键设备。该系统具备强大的多通道并发测试能力,**多可支持256个测试点同步施加偏置电压并监测其绝缘电阻变化,电阻测量范围覆盖10^6Ω至10^14Ω,能够精细捕捉因离子迁移导致的微小漏电流与电阻劣化趋势。GM8800提供从1.0V到3000V的宽范围测试电压,内置电源精度高达±0.05V,并支持外接高压源以满足更严苛的测试条件,其电压上升速率快至100V/2ms,且测试电压稳定时间可在1~600秒间灵活设置,确保测试条件的准确性与重复性。系统集成温湿度监测模块,并结合低阻、电压超限、断电、软件异常等多重报警机制,***保障测试过程的安全与数据的有效性。相较于英国GEN3设备,GM8800不仅在**性能参数上实现对标,更在通道数量、数据采集速度以及本土化定制服务方面展现出明显优势,其极具竞争力的价格策略使其成为国内集成电路封装、新能源汽车电控单元、光伏逆变器以及**通信设备制造商进行绝缘可靠性验证与质量控制的理想选择,有力推动了国内**测试仪器的自主可控进程。国磊GT600支持多Site并行测试,提升电源管理芯片、运放等高量产型号的测试效率与产能。国磊高阻测试系统研发

国磊高阻测试系统研发,测试系统

低功耗SoC在先进工艺下表现出更复杂的漏电行为、更敏感的电源完整性需求、更精细的时序窗口,以及混合信号模块(如PLL、ADC、LDO)的高精度验证要求。传统测试设备往往难以满足这些需求,尤其是在静态电流(IDDQ)、电压裕量测试、动态功耗曲线、唤醒延迟、电源序列控制等关键参数的测量上。此时,国磊GT600测试机的价值凸显。GT600支持每通道PPMU(ParametricPinMonitorUnit),可实现nA级静态电流测量,**捕捉先进工艺下SoC的漏电异常,确保低功耗模式(Sleep/DeepSleep)的有效性。其可选配的高精度浮动SMU板卡支持-2.5V~7V宽电压范围与1A驱动能力,可用于DVFS电压切换测试与电源域上电时序验证。国产替代高阻测试系统国磊GT600SoC测试机可以进行电源门控测试即验证PowerGating开关的漏电控制效果。

国磊高阻测试系统研发,测试系统

高性能GPU的功耗管理直接影响系统稳定性与能效比。“风华3号”支持多级电源域与动态频率调节,要求测试平台具备高精度DC参数测量能力。国磊GT600测试机每通道集成PPMU,支持nA级静态电流(IDDQ)测量,可**识别GPU在待机、低功耗模式下的漏电异常。其可选配高精度浮动SMU板卡,支持-2.5V~7V电压范围与1A驱动能力,可用于DVFS电压切换测试、电源上电时序(PowerSequencing)验证及电源抑制比(PSRR)分析。GT-TMUHA04时间测量单元提供10ps分辨率,可精确测量GPU**唤醒延迟、中断响应时间与时钟同步偏差,确保AI训推与实时渲染任务的时序可靠性。

杭州国磊半导体设备有限公司推出的GM8800导电阳极丝(CAF)测试系统,是一款专为高精度绝缘电阻与电化学迁移测试设计的**国产设备。该系统支持16至256通道灵活配置,可同时对多达256个分立测量点进行实时监测,电阻测量范围覆盖10^6Ω至10^14Ω,测量精度在10^10Ω以下可达±3%,展现出优异的测试一致性。GM8800具备1.0V至3000V的宽电压测试能力,内置0V~±100V电源,外接偏置电压可达3000V,支持步进电压精细调节,电压精度在100VDC内达±0.05V,超出100VDC则为±0.5V,电压上升速率高达100V/2ms,系统还集成多类报警功能,包括低阻、温湿度异常、电压超限、AC断电及软件异常等,保障测试过程的安全与稳定。相比进口品牌如英国GEN3,GM8800在通道扩展性、电压范围和成本控制方面表现更优,尤其适合PCB、绝缘材料、焊接工艺及新能源汽车电子等领域的高阻测试需求,是国内厂商实现国产替代的理想选择。快速的数据采集速度,8秒内完成256通道扫描+数据分析!

国磊高阻测试系统研发,测试系统

国磊半导体推出的GM8800多通道绝缘电阻测试系统,是践行“为半导体产业发展尽绵薄之力”使命的具体体现。该系统具备业界**的256通道测试能力,电阻测量范围覆盖10^4~10^14Ω,测量精度高,能够精细表征各类绝缘材料、电子元件、PCB板在直流偏压和环境应力下的绝缘性能退化行为,特别是对导电阳极丝(CAF)现象进行有效监测与预警。GM8800提供从1.0V到3000V的宽范围、高精度测试电压,内置电源稳定可靠,外接高压扩展方便,电压控制精度优异,上升速度快,且测试电压稳定时间可调(1~600秒),为用户提供了高度灵活的测试条件模拟能力。系统集成实时电流检测和温湿度监控功能,数据采集***,并通过完全屏蔽的线缆系统保证测量准确性。其智能软件平台提供从测试设置、自动执行到数据分析、报告生成的全流程服务,并支持远程监控。在系统保护方面,多重报警机制和UPS选项确保了长时间测试的无忧进行。相较于进口设备,GM8800在实现技术性能对标的同时,***降低了用户的购置与运维成本,并且能够提供更快速、更贴身的本地化技术支持与定制服务,完美契合国内新能源汽车、储能、通信、医疗电子等行业对**可靠性测试设备的迫切需求,是推动国产化替代战略落地的坚实力量。强大的数据分析功能,助您快速定位问题。SIR测试系统哪家好

选择GM8800,就是选择了一款多功能的测试平台。国磊高阻测试系统研发

    AI加速芯片(如思元系列)专为云端推理与边缘计算设计,**诉求是“高算力密度、***能效比、毫秒级稳定响应”。这类芯片往往集成数千个AI**与高速互联总线,测试复杂度高、功耗敏感、量产规模大,传统测试设备难以兼顾效率与精度。国磊GT600凭借512站点并行测试能力,可同时对512颗芯片进行功能与参数验证,极大缩短测试周期,摊薄单颗芯片成本——这对动辄数万片出货的数据中心级芯片而言,意味着数千万级成本优化。在功耗控制上,国磊GT600的PPMU单元可精确测量芯片在待机、轻载、满载等多场景下的静态与动态电流,结合FVMI(强制电压测电流)模式,验证芯片在不同电压域下的功耗表现,确保其在7x24小时运行的数据中心中实现“每瓦特算力比较大化”。同时,其高精度TMU(时间测量单元,10ps分辨率)可检测AI**间数据同步的时序抖动,避免因时钟偏移导致的推理错误或延迟波动,保障AI服务的稳定低时延。 国磊高阻测试系统研发

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高同测能力加速智能驾驶芯片量产进程。智能驾驶芯片往往需要大规模部署于整车厂供应链中,对测试效率和成本控制极为敏感。杭州国磊GT600支持比较高512 Sites的并行测试能力,意味着可在单次测试周期内同时验证数百颗芯片,极大缩短测试时间、降低单位测试成本。这种高同测(High Parallel Test)特性对于满足车规级芯片动辄百万级出货量的需求至关重要。此外,其开放式GTFY软件平台支持工程模式与量产模式无缝切换,便于在研发验证与大规模生产之间灵活调配资源,确保智能驾驶芯片在严格的时间窗口内完成认证与交付。国磊GT600每通道集成PPMU,支持HBM相关I/O引脚的漏电流(Leakage)...

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