现代手机SoC普遍集成ADC、DAC、PLL、LDO等模拟模块,用于传感器融合、音频处理和电源管理。GT600支持GT-AWGLP02(THD-122dB)和高分辨率Digitizer板卡,可用于AI驱动的语音识别、图像信号处理链路的动态性能测试。其20/24bit分辨率支持INL、DNL、SNR等关键指标的精确测量,确保端侧AI感知系统的信号完整性。国磊GT600测试机的16插槽模块化架构允许数字、AWG、TMU、SMU板卡混插,实现从CPU到NPU再到模拟前端的一站式测试,避免多设备切换带来的效率损失与数据割裂。
国磊GT600每通道集成PPMU,支持nA级电流分辨率,可精确测量SoC在睡眠、深度睡眠(或关断模式下静态漏电流。高阻测试系统工艺

国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡,每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域(如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG)的SoC,GT600可为每个域分配**SMU通道,实现各电源域**上电/断电、不同电压值(如1.8V、1.2V、0.9V)同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电(如先VDD_IO,后VDD_CORE)以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间,精确设置各域电压的上升延迟(精度达ms级),验证SoC在正确与错误时序下的行为,确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗,可用于识别某电源域的异常功耗(如漏电、短路)、分析不同工作模式(运行、睡眠、唤醒)下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压(如±5%波动),测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性,评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源(如高压模拟域),可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块,实现与GT600内部SMU的同步操作,构建完整的多电源域测试系统。高性能GEN测试系统行价国磊GT600SoC测试机支持GT-AWGLP02任意波形发生器板卡,THD达-122dB,适用于HBMSerDes接收端灵敏度测试。

杭州国磊半导体设备有限公司推出的GM8800导电阳极丝(CAF)测试系统是实现**绝缘材料与PCB可靠性评价国产化的关键设备。该系统具备强大的多通道并发测试能力,**多可支持256个测试点同步施加偏置电压并监测其绝缘电阻变化,电阻测量范围覆盖10^6Ω至10^14Ω,能够精细捕捉因离子迁移导致的微小漏电流与电阻劣化趋势。GM8800提供从1.0V到3000V的宽范围测试电压,内置电源精度高达±0.05V,并支持外接高压源以满足更严苛的测试条件,其电压上升速率快至100V/2ms,且测试电压稳定时间可在1~600秒间灵活设置,确保测试条件的准确性与重复性。系统集成温湿度监测模块,并结合低阻、电压超限、断电、软件异常等多重报警机制,***保障测试过程的安全与数据的有效性。相较于英国GEN3设备,GM8800不仅在**性能参数上实现对标,更在通道数量、数据采集速度以及本土化定制服务方面展现出明显优势,其极具竞争力的价格策略使其成为国内集成电路封装、新能源汽车电控单元、光伏逆变器以及**通信设备制造商进行绝缘可靠性验证与质量控制的理想选择,有力推动了国内**测试仪器的自主可控进程。
国磊半导体GM8800导电阳极丝(CAF)测试系统是国产**测试仪器实现创新突破的**产品。该系统以其可扩展至256通道的强大并行处理能力、高达10^14Ω的超宽电阻测量范围和优异的精度(±3%~±10%),为绝缘材料的可靠性评估设立了新的**。GM8800提供精确且稳定的电压应力源,内置0V~±100V,外接高达3000V,电压输出精度高,调节步进小,建立速度快,并可自定义1~600秒的测试电压稳定时间,确保各种测试条件都能被精确复现。系统具备***的实时监测功能,同步采集电阻、电流、电压、温度、湿度数据,并通过专业软件进行高效管理与深度分析,用户还可通过网络实现远程操作与实时监控。其坚固的硬件平台辅以多层次的安全保护设计,包括多种故障报警和断电续航能力,保障系统能够稳定运行长达9999小时的持续测试任务。与传统的进口设备如英国GEN3相比,GM8800在提供同等前列测量性能的同时,在采购成本、使用灵活性、维护便利性以及技术服务响应速度上展现出***优势,正广泛应用于国内PCB制造、IC封装、汽车电子、航空航天等领域,成为客户提升产品质量、进行可靠性验证和实现进口替代的**装备。国磊GT600GPIB/TTL接口支持与外部源表、LCR表、温控台联动,构建高精度模拟参数测试系统。

国产手机自研芯片体系——包括手机SoC(如麒麟系列)、服务器芯片(如鲲鹏)、AI加速芯片(如昇腾Ascend)——不仅是产品竞争力的**,更是中国半导体自主可控的战略支点。这些芯片高度集成、性能***、功耗敏感,对测试设备的全面性、精度、效率和灵活性提出前所未有的挑战。国磊GT600SoC测试机,正是为这类**国产芯片量身打造的“全能考官”。国磊GT600不仅能验证手机SoC的CPU/GPU的基础逻辑功能,更能通过可选配的AWG(任意波形发生器),模拟真实世界的模拟信号,精细测试ISP图像处理单元对摄像头输入信号的响应质量,确保拍照清晰、色彩准确;通过高精度TMU(时间测量单元,精度达10ps),验证5G基带芯片的信号时序与抖动,保障通信稳定低延迟;通过每通道PPMU,检测NPU在待机与高负载下的微小漏电流,确保AI算力强劲的同时功耗可控。 国磊半导体致力于为全球客户提供高性能的测试解决方案。PCB测试系统价格
操作界面友好,即使新手也能快速上手操作。高阻测试系统工艺
低功耗SoC在先进工艺下表现出更复杂的漏电行为、更敏感的电源完整性需求、更精细的时序窗口,以及混合信号模块(如PLL、ADC、LDO)的高精度验证要求。传统测试设备往往难以满足这些需求,尤其是在静态电流(IDDQ)、电压裕量测试、动态功耗曲线、唤醒延迟、电源序列控制等关键参数的测量上。此时,国磊GT600测试机的价值凸显。GT600支持每通道PPMU(ParametricPinMonitorUnit),可实现nA级静态电流测量,**捕捉先进工艺下SoC的漏电异常,确保低功耗模式(Sleep/DeepSleep)的有效性。其可选配的高精度浮动SMU板卡支持-2.5V~7V宽电压范围与1A驱动能力,可用于DVFS电压切换测试与电源域上电时序验证。高阻测试系统工艺
高同测能力加速智能驾驶芯片量产进程。智能驾驶芯片往往需要大规模部署于整车厂供应链中,对测试效率和成本控制极为敏感。杭州国磊GT600支持比较高512 Sites的并行测试能力,意味着可在单次测试周期内同时验证数百颗芯片,极大缩短测试时间、降低单位测试成本。这种高同测(High Parallel Test)特性对于满足车规级芯片动辄百万级出货量的需求至关重要。此外,其开放式GTFY软件平台支持工程模式与量产模式无缝切换,便于在研发验证与大规模生产之间灵活调配资源,确保智能驾驶芯片在严格的时间窗口内完成认证与交付。国磊GT600每通道集成PPMU,支持HBM相关I/O引脚的漏电流(Leakage)...