惠山区智能电动车充电桩按需定制

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这种拓扑通常使用带直流-直流转换器、基于Vienna整流器的功率因数校正(PFC)方法(图1)。这种交流-直流转换方法充分利用了电网三相电源中三个互不相同的电平，能够以高效率、高密度、低物料消耗的方式实现所需输出功率。图1：采用ViennaPFC转换器拓扑的纯电动车三级充电桩(来源：安森美)采用Vienna拓扑有着诸多优势，但也会带来不小的挑战，因为采用该拓扑需要实现大功率高频转换开关操作，此举还会产生开关损耗，加之转换损耗所产生的热量也需要得到处理。这些挑战以及充电设备的位置所带来的空间限制，驱使着电源设计工程师不断寻求超越当今硅基二极管和MOSFET特性的半导体制程技术。宽禁带器件与传统硅技术相比，宽禁带半导体制程技术［例如碳化硅(SiC)］的开关速度更高，因而能够使用更小的电感器和电容器，从而降低物料成本，缩小所需的电路板空间(图2)。碳化硅MOSFET的RDS(ON)较低，因而开关损耗也较低，通常比硅MOSFET低100倍。总体而言，由于碳化硅器件的导电禁带较宽，其击穿电压也较高，通常可达硅器件介电强度的10倍。碳化硅还能在更高的温度下维持导电性，从而使设备能够运行在更高温的环境中。总之，将碳化硅二极管和MOSFET用于三级充电桩可以带来诸多优势。惠山区智能电动车充电桩按需定制