锂电池保护芯片

DS5136B是点思针对单节移动电源磁吸无线充市场推出的一颗移动电源SOC。DS5136B单串移动电源+无线充方案：单串电池，C口输出22.5W功率，无线充15W（苹果7.5W），支持至多3口+W输出方式，单击按键开机并显示电量，双击按键关机进入休眠，长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换，支持PD3.1/PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。点思DS5136无线充15W带载效率高达80%。边充边放（无线充放电、适配器给移动电源充电）由电源输入功率决定，优先提供无线充15W，剩余部分提供给电池。移动电源和无线充供电共用一路升降压节约成本。我们的产品优势：效率高，温度底；可实现双C输入输出；无线充边充边放为快充；性价比高，成本优；支持在线烧录；无需外加升压芯片，可直接升压至18V。集成高压输出的同步开关转换器系统，支持 3V~12V 宽电压范围输出。锂电池保护芯片

锂电保护的选型：电池充满电压 + 充、放电电流（不同于分离式锂电保护） 辅助信息：电池容量，产品应用 。 电池安全，首先要有保护，再有选型要正确锂电保护在保护电池安全上是二次保护，如：过充保护时，一级保护是充电管理，过放保护的一级保护是主芯片等。所以在选型时，要考虑到锂电保护是二次保护的特性，锂电保护的过充电压要高于充电管理的过充电压的值（不能有重合区间），锂电保护的过放电压要低于主芯片的过放电压的值等。锂电保护的选型：电池充满电压 + 充、放电电流（不同于分离式锂电保护）。电源管理ICXC3101A电池电源管理芯片，经济实惠之选。

型号：XA2320B关键字：无电感升压2节AA电池升压为3.3V白光LED驱动器印字：N1IF功能概述：该XA2320B是一款低噪声，恒定频率（1.2MHz的）开关电容电压倍增器。它产生一个稳定的输出电压从一个1.8V至5V的输入高达150mA的输出电流。低外部元件数（一个飞电容器和两个小型旁路在VIN和VOUT）电容使XA2320B非常适合小电池供电的应用。一种新的电荷泵架构保持恒定开关频率至零负荷，降低了输出和输入纹波。该并且可以从生存连续短路VOUT到GND。内置软启动电路防止在浪涌电流过大启动。高开关频率允许使用小型的陶瓷电容器。低电流关机功能断开负载从VIN和静态电流降低到<1uA的。该XA2320B可在6引脚SOT23-6应用2节AA电池为3.3V的USBOn-The-Go的设备白光LED驱动器手持设备

4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 5、过流保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当负载突然减小，IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 6、短路保护：在P+与P-上接上空负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)； IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。高PSRR-LDO完全没凸波40V耐压LDO。

DS5036B集成涓流、恒流、恒压锂电池充电管理系统，当电池电压小于VTRKL时，采用涓流电流充电；当电池电压大于VTRKL时，进入输入恒流充电；当电池电压接近设定的电池电压时，进入恒压充电；当电池端充电电流小于停充电流ISTOP且电池电压接近恒压电压时，停止充电。充电完成后，若电池电压低于(VTRGT–0.1)V，重新开启电池充电。DS5036B采用开关充电技术，充电效率高达到96%，能缩短3/4的充电时间。DS5036B支持边充边放功能，在边充边放时，输入输出均为5V。点思DS5136边充边放：无线充放电、适配器给移动电源充电。XB4092M2电源管理IC供应商

点思DS2730多口协议产品全线上市，65-100W C+CA，带直通模式。锂电池保护芯片

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。锂电池保护芯片