XBM3215MDA电源管理IC赛芯微xysemi

在锂电池保护领域，芯纳科技 xinnasemi 作为行业内的重要力量，携手赛芯代理，为众多应用提供高质量的锂电池保护 IC 和二合一锂电保护 IC。例如，在某消费电子品牌的新型智能手机中，芯纳科技的锂电池保护 IC 精细监测电池状态，有效防止过充、过放等异常情况，保障了电池的安全和稳定性，从而为用户带来更持久可靠的使用体验。

芯纳科技XINNASEMI 凭借其的技术实力，与上海如韵展开深度合作。在一款新兴的智能穿戴设备中，其提供的二合一锂电保护 IC 发挥了关键作用。通过对电池电压、电流的精确控制，成功避免了电池在复杂使用环境下的潜在风险，确保设备在长时间运行过程中电池始终处于安全稳定状态，使得该智能穿戴设备在市场上赢得了良好的口碑。 电池电源管理芯片，双贴片电感，满足多样需求。XBM3215MDA电源管理IC赛芯微xysemi

DS3056B 是一款面向小家电/电动工具充电的快充管理 SOC，集成了微处理器、同步开关电压变换器、快充协议控制器、 电池充放电管理、电池电量计，I2C 通信等功能模块及显示驱动、安全保护等功能单元，支持 2-6 串电芯，上限 100W 的充电功率，支持 CC-CV 切换，支持 PD3.1，PD3.0，QC3.0、AFC、BC1.2、DCP 等主流快充协议，并提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等完备的保护功能。搭载极简的周围线路，即可组成小家电和电动工具的快充充电方案。XB8783AHM电源管理IC芯纳科技DS6066专门针对空调服，发热服，电热坐垫，电热手套，电热毯，电热腰带等市场应用的智能SOC！

锂电池充电管理XA4246：丝印：2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印：55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058；丝印：58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057；丝印：57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059；丝印：59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017：丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056丝印：5056 、XA4217丝印：HXN-WL

DS5136B 是一款单串 22.5W 到 27W 双向快充移动电源 SOC，集成了同步开关升压变换器、支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充，支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充，支持 CC-CV 切换，支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议，支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。集成高压输出的同步开关转换器系统，支持 3V~12V 宽电压范围输出。

磷酸铁锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了锂电池充电管理芯片。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命，通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。 磷酸铁锂电池充电管理芯片介绍 磷酸铁锂电池特性较为活泼，对电压电流要求较高，所以需要锂电池管理芯片。磷酸铁锂电池管理芯片就是设计用于保护电池的电路，可以保护电池过放电，过压，过充，过温，可以有效保护锂电池寿命和使用者的安全。 锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了磷酸铁锂电池充电管理芯片，它会根据磷酸铁锂电池的特性自动进行预充、恒流充电、恒压充电。 磷酸铁锂电池充电管理芯片的类型。移动电源 SOC高度集成多种功能模块。XB8702I电源管理IC赛芯微xysemi

集成了输出线补功能，从而保障了即使在重载条件下仍然可以实现稳定的电压输出。XBM3215MDA电源管理IC赛芯微xysemi

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BXBM3215MDA电源管理IC赛芯微xysemi