并利用水滴的表面张力现象防止水滴由该复数个宣泄孔121落下造成该基板20的蚀刻不均等异常现象,确实达到保有原始挡液板的挡液效果,以及增加透气性以破除真空以减少因真空吸板而导致该基板20刮伤或破片风险等主要优势。该蚀刻设备1可进一步设置有一喷洒装置50,该喷洒装置50设置于该挡液板结构10的一端部,且该基板20设置于该挡液板结构10的下方约8毫米至15毫米之间,其中该喷洒装置50用以喷洒一药液51至该基板20上,以对该基板20进行一湿式蚀刻制程;由上述的说明,挡液板结构10的设置即是为了避免喷洒装置50的药液51继续对已经完成蚀刻步骤的基板20再进行蚀刻制程,故仍旧会有少量的药液51喷洒在挡液板结构10上而留下该药液51的水滴,而该药液51的水滴亦不能落入该基板20上,以避免该基板20的蚀刻不均的现象产生。该输送装置30设置于该基板20的下方,该输送装置30包括有至少一滚轮31,其中该滚轮31与该基板20接触以运行该基板20;在本实用新型其一较佳实施例中,该输送装置30用以承载并运送至少一该基板20于该湿式蚀刻机内运行,并接受湿式蚀刻的喷洒装置50的制程运作,故该输送装置30具有一驱动机构(图式未标示)以驱动该滚轮31转动,例如:顺时针旋转。苏州哪家公司可以做蚀刻液;安徽哪家蚀刻液蚀刻液销售价格
本发明涉及一种用来在铜的存在下选择性地蚀刻钛的蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法。背景技术:以往,在蚀刻钛时一直使用含有氢氟酸或过氧化氢的蚀刻液。例如专利文献1中提出了一种钛的蚀刻液,该钛的蚀刻液是用来在铜或铝的存在下蚀刻钛,并且该蚀刻液的特征在于:利用由10重量%至40重量%的过氧化氢、%至5重量%的磷酸、%至%的膦酸系化合物及氨所构成的水溶液将pH值调整为7至9。但是,含有氢氟酸的蚀刻液存在毒性高的问题,含有过氧化氢的蚀刻液存在缺乏保存稳定性的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特许第4471094号说明书。技术实现要素:发明所要解决的问题本发明是鉴于所述实际情况而成,其目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法,所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛,而且毒性低,保存稳定性优异。解决问题的技术手段本发明的蚀刻液是为了在铜的存在下选择性地蚀刻钛而使用,并且含有:选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸;以及选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物。所述硫酮系化合物推荐为选自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。安徽哪家蚀刻液蚀刻液销售价格BOE蚀刻液欢迎咨询苏州博洋化学股份。
本发明涉及蚀刻液组合物及选择添加于该蚀刻液组合物的硅烷系偶联剂的方法。背景技术:参照图1,可以确认3dnand闪存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand闪存可以通过在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)来制造。在不损伤氧化物膜的同时将氮化物膜完全去除是这样的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技术之一。一般而言,氮化物膜去除工序中所使用的蚀刻液组合物利用具有防蚀能力的添加剂以获得在不损伤氧化物膜的同时*将氮化物膜完全去除的效果。但是,想要在不损伤氧化物膜的范围内将氮化物膜完全去除时,会使用防蚀能力强的添加剂,由此可能发生氮化物膜没有被完全去除的工序不良(参照图2)。此外,想要将氮化物膜完全去除时,会使用防蚀能力弱的添加剂,由此虽然氮化物膜被完全去除,但是可能发生对氧化物膜也造成损伤(damage)的工序不良(参照图3)。以往,为了在包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中*将氮化物膜选择性完全去除而选择具有适当水平的防蚀能力的添加剂时,按照添加剂的种类和浓度通过实验进行确认。没有这样的实验确认就选择添加剂实际上是不可能的。
从蚀刻速度及安全性的观点来看,推荐为40℃至70℃,更推荐为45℃至55℃。处理时间视对象物的表面状态及形状等而变化,通常为30秒至120秒左右。实施例然后,对本发明的实施例与比较例一起进行说明。此外,本发明并非限定于下述实施例而解释。制备表1及表2所示的组成的各蚀刻液,在下述条件下进行蚀刻试验及蚀刻液的稳定性试验。此外,表1及表2所示的组成的各蚀刻液中,剩余部分为离子交换水。另外,表1及表2所示的盐酸的浓度为以氯化氢计的浓度。(蚀刻试验)通过溅镀法在树脂上形成50nm的钛膜,然后成膜200nm的铜膜,进而通过电镀铜在该铜膜上形成图案,将所得的基板用作试样。使用铜的蚀刻液,将试样的溅镀铜膜溶解而使钛膜露出。然后,将试样浸渍在实施例1至实施例12及比较例1至比较例3的蚀刻液中进行蚀刻实验。将实验结果示于表1。[表1]像表1所示那样,本发明的蚀刻液可在不蚀刻铜的情况下选择性地蚀刻钛。(蚀刻液的稳定性试验)将实施例1、实施例7、实施例12及比较例4的蚀刻液在室温下放置2天后,进行所述蚀刻试验,比较放置前后的蚀刻速度。将比较结果示于表2。[表2]像表2所示那样,本发明的蚀刻液的保存稳定性优异,即便在长期保存的情况下也可稳定地选择性地蚀刻钛。BOE蚀刻液推荐苏州博洋化学股份有限公司。
本实用涉及蚀刻设备技术领域,具体为一种ito蚀刻液制备装置。背景技术:蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻,其中,湿蚀刻是采用化学试剂,经由化学反应达到蚀刻的目的,薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft~lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在进行制备时会发***热反应,使得装置外壳稳定较高,工作人员直接接触有烫伤风险,热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应,溅出容易伤害工作人员,保护性不足,盐酸硝酸具有较强的腐蚀性,常规的搅拌装置容易被腐蚀,影响蚀刻液的质量,用防腐蚀的聚四氟乙烯搅拌浆进行搅拌,成本过高,且混合的效果不好。所以,如何设计一种ito蚀刻液制备装置,成为当前要解决的问题。技术实现要素:本实用新型的目的在于提供一种ito蚀刻液制备装置,以解决上述背景技术中提出的ito蚀刻液制备装置保护性不足、不具备很好的防腐蚀性和混合的效果不好的问题。为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种ito蚀刻液制备装置,包括制备装置主体、高效搅拌装置和过滤除杂装置。蚀刻液蚀刻后如何判断好坏 ?安徽哪家蚀刻液蚀刻液销售价格
什么制程中需要使用蚀刻液。安徽哪家蚀刻液蚀刻液销售价格
所述装置主体的内部底部中间部位固定连接有常闭式密封电磁阀,所述连接构件的内侧固定连接有过滤部件,所述装置主体的内部底端另一侧固定连接有收集仓,所述收集仓的另一侧底部固定连接有密封阀门,所述过滤部件的顶端两侧活动连接有滑动盖,所述过滤部件的内部中间两侧固定连接有收缩弹簧管,所述连接构件的内侧两端嵌入连接有螺纹管,所述连接构件的内部中间两侧活动连接有活动轴,所述连接构件的内侧中间两侧嵌入连接有密封软胶层。推荐的,所述硝酸钾储罐的顶部嵌入连接有密封环。推荐的,所述连接构件的两侧嵌入连接有海绵层。推荐的,所述支撑腿的底端嵌入连接有防滑纹。推荐的,所述过滤部件的内部两侧嵌入连接有过滤板。推荐的,所述过滤部件设置有一个,所述过滤部件设置在连接构件的内侧,所述过滤部件与连接构件固定连接。推荐的,所述连接构件设置有十四个,所述连接构件设置在搅拌仓的底部,所述连接构件与搅拌仓固定连接。与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:1.高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置,过滤部件,过滤部件设置在连接构件的内侧,过滤部件与连接构件固定连接,过滤部件能将制备出的蚀刻液进行过滤。安徽哪家蚀刻液蚀刻液销售价格