企业商机
赛芯基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,PLCC,SMD,BGA,TQFP,PQFP,QFP,CSP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM,SDIP
赛芯企业商机

    多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护,包括保护IC和MOSFET,它能够实时监测电池的电压和充放电电流,并在必要时MOSFET的导通或关断,以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的,能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态,阻止电流流动,从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时,PTC或MHP会呈现高阻状态,阻碍电池的充放电,从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护,它是一种被动组件保护,通常作为一级保护电路(IC/Mosfet)的补充。 4-7串锂电池保护 XBM5774 级联功能/集成均衡/NTC/Sense/SSOP24。天津XBM3214赛芯代理

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XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片  、6--7串锂电池保护芯片介绍,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节:6-7串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定,如果觉得该阈值较小,可以将多个开关MOS管进行并联操作,以增大过流电流,将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能韶关3e1EAB赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保移动电源SOCDS6036B+MPP无线充 (QI2.0) 30W 2串移动电源+无线充.

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    小家电/电动工具应用领域:电动牙刷充电:电动牙刷通常需要定期充电,且使用频率较高。DS3056B快充充电管理SOC可支持其充电,提高使用便利性。例如,用户在早上发现电动牙刷电量不足时,利用其快充功能,能在短时间内完成充电,不影响正常使用。手持吸尘器充电:手持吸尘器在使用后电量消耗较大,需要补充电量以便下次使用。该SOC可以为手持吸尘器设计快充方案,使其充电时间大幅缩短,提高清洁效率。电钻充电:在建筑装修或家居维修场景中,电钻使用频繁,电量消耗快。DS3056B能满足电钻的快充需求,减少充电等待时间,提高工作效率。电锯充电:电锯在木材加工等行业应用,其工作强度大,电量消耗迅速。该SOC可为电锯提供充电管理,确保电锯能够工作状态。芯纳科技专注代理电源芯片和电子元器件13年。提供的产品和方案包括:移动电源SOC、多口快充SOC、快充充电管理SOC、电源管理芯片、锂电池充电管理、锂电保护、DC转换器、MOS等。为客户的成长与发展竭诚服务,当好供求间之桥梁,谋求产业链的共同发展!

XBM3214  用于2串锂电池的保护芯片,芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路,支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能,具备25mV过充电检测精度,采用SOT23 - 6封装 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点,在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言,过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常,影响电池使用寿命。因此,多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池,避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点锂电充电管理、DC降压 0.5-1A电流 +OVP过压保护 。

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 6--7串锂电池保护芯片介绍,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节:6-7串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定,如果觉得该阈值较小,可以将多个开关MOS管进行并联操作,以增大过流电流,将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能在输入端的NTC热敏电阻,是靠充电器的输入电流来加热,降低电阻。苏州DS3056赛芯现货

多节锂电池保护电路, XBM2138 XBM32XX XBM325X XBM3360。天津XBM3214赛芯代理

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联,实现几乎是直接翻倍的带载能力,降低内阻,提高效率,但布板清注意:①两个芯片尽量对称,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地,减小布线内阻和加强散热。③,每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻,并且布的离VDD近些,尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些,也无需多粗,但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小,PCB板上,封装焊盘略大一些,避免虚焊。②,走线经过电阻后,先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND,使整个电容环路**小。④芯片的GND(B-)到VM建议预留一个C2()电容位置,C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD,建议连接芯片的GND(B-)或者悬空。 天津XBM3214赛芯代理

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