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在上述的二极管、引脚铜板、连接铜板以及连接导线的周围充满了作为绝缘、导热的骨架填充物质--环氧树脂。然而，环氧树脂的导热系数是比较低的(一般为℃W/m，高为℃W/m)，因此整流桥的结--壳热阻一般都比较大(通常为℃/W)。通常情况下，在元器件的相关参数表里，生产厂家都会提供该器件在自然冷却情况下的结-环境的热阻(Rja)和当元器件自带一散热器，通过散热器进行器件冷却的结--壳热阻(Rjc)。折叠自然冷却一般而言，对于损耗比较小(<)的元器件都可以采用自然冷却的方式来解决元器件的散热问题。当整流桥的损耗不大时，可采用自然冷却方式来处理。此时，整流桥的散热途径主要有以下两个方面:整流桥的壳体(包括前后两个比较大的散热面和上下与左右散热面)和整流桥的四个引脚。通常情况下，整流桥的上下和左右的壳体表面积相对于前后面积都比较小，因此在分析时都不考虑通过这四个面(上下与左右表面)的散热。在这两个主要的散热途径中，由于自然冷却散热的换热系数一般都比较小(<10W/m2C)，并且整流桥前后散热面的面积也比较小，因此实际上通过该途径的散热量也是十分有限的;由于引脚铜板是直接与发热元器件(二级管)相连接的，并且其材料为铜，导热性能很好。桥内的四个主要发热元器件——二极管被分成两组分别放置在直流输出的引脚铜板上。中国香港整流桥模块货源充足

这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线，而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点，FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极)，并利用DBC基板的刻蚀图形，使焊接简化。同时，所有主电极的引出端子都焊在DBC基板上，这样使连线减少，模块可靠性提高。4、外壳：壳体采用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的，并加有40％玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料组成，它能很好地解决与铜底板、主电极之间的热胀冷缩的匹配问题，通过环氧树脂的浇注固化工艺或环氧板的间隔，实现上下壳体的结构连接，以达到较高的防护强度和气闭密封，并为主电极引出提供支撑。中国香港整流桥模块商家利用半导体材料将其制作在一起成为整流桥元件。

这主要是由于覆盖在二极管表面的是导热性能较差的FR4(其导热系数小于.℃)，因此它对整流桥壳体正表面上的温度均匀化效果很差。同时，这也验证了为什么我们在采用整流桥壳体正表面温度作为计算的壳温时，对测温热电偶位置的放置不同，得到的结果其离散性很差这一原因。图8是整流桥内部热源中间截面的温度分布。由该图也可以进一步说明，在整流桥内部由于器封装材料是导热性能较差的FR4，所以其内部的温度分布极不均匀。我们以后在测量或分析整流桥或相关的其它功率元器件温度分布时，应着重注意该现象，力图避免该影响对测量或测试结果产生的影响。折叠结论通过前面对整流桥三种不同形式散热的分析并结合对一整流桥详细的仿真模型的分析结果，我们可以得出如下结论:1、在计算整流桥的结温时，其生产厂家所提供的Rjc(强迫风冷时)是指整流桥的结与散热器相接触的整流桥壳体表面间的热阻;2、器件参数中所提供的Rja是指该器件在自然冷却是结温与周围环境间的热阻;3、对带有散热器的整流桥且为强迫风冷散热地壳温测量时，应该采用与整流桥壳体相接触的散热器表面温度作为计算的壳温，必要时可以考虑整流桥与散热器间的接触热阻。不应该采用整流桥壳体正面上的温度作为计算的壳温。

因此我们可以用散热器的基板温度的数值来代替整流桥的壳温，这样不在测量上易于实现，还不会给终的计算带来不可容忍的误差。折叠仿真分析整流桥在强迫风冷时的仿真分析前面本文从不同情形下的传热途径着手，用理论的方法分析了整流桥在三种不同冷却方式下的传热过程，在此本文通过仿真软件详细的整流桥模型来对带有散热器、强迫风冷下的整流桥散热问题进行进一步的阐述。图5、仿真计算模型如上图是仿真计算的模型外型图。在该模型中，通过解剖一整流桥后得到的相关尺寸参数来进行仿真分析模型的建立。其仿真分析结果如下所示:图6、整流桥散热器基板温度分布有上图可以看出，整流桥散热器的基板温度分布相对而言还是比较均匀的，约70℃左右。即使在四个二极管正下方的温度与整流桥壳体背面与散热器相接触的外边缘，也只有5℃左右的温差。这主要是由于散热器基板是一有一定厚度且导热性能较好的铝板，它能够有效地把整流桥背面的不均匀温度进行均匀化。整流桥壳体正面表面的温度分布。从上图可以看出，整流桥壳体正面的温度分布是极不均匀的，在热源(二极管)的正上方其表面温度达到109℃，然而在整流桥的中间位置，远离热源处却只有75℃，其表面的温差可达到34℃左右。常用的国产全桥有佑风YF系列，进口全桥有ST、IR等。

高压端口hv通过金属引线连接所述高压供电基岛13，进而实现与所述高压供电管脚hv的连接，接地端口gnd通过金属引线连接所述信号地基岛14，进而实现与所述信号地管脚gnd的连接。需要说明的是，所述逻辑电路122可根据设计需要设置在不同的基岛上，与所述控制芯片12的设置方式类似，在此不一一赘述作为本实施例的一种实现方式，所述漏极管脚drain的宽度大于，进一步设置为～1mm，以加强散热，达到封装热阻的作用。本实施例的合封整流桥的封装结构采用三基岛架构，将整流桥、功率开关管、逻辑电路及高压续流二极管集成在一个引线框架内，由此降低封装成本。如图4所示，本实施例还提供一种电源模组，所述电源模组包括：本实施例的合封整流桥的封装结构1，第二电容c2，第三电容c3，一电感l1，负载及第二采样电阻rcs2。如图4所示，所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线，零线管脚n连接零线，信号地管脚gnd接地。如图4所示，所述第二电容c2的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端接地。如图4所示，所述第三电容c3的一端连接所述1高压供电管脚hv，另一端经由所述一电感l1连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。如图4所示。限制蓄电池电流倒转回发动机，保护交流发动机不被烧坏。中国香港整流桥模块货源充足

对于单相桥式全波整流器，在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作。中国香港整流桥模块货源充足

如上所述，本实用新型的合封整流桥的封装结构及电源模组，具有以下有益效果：本实用新型的合封整流桥的封装结构及电源模组将整流桥、功率开关管、逻辑电路通过一个引线框架封装在同一个塑封体中，以此减小封装成本。附图说明图1显示为本实用新型的合封整流桥的封装结构的一种实现方式。图2显示为本实用新型的电源模组的一种实现方式。图3显示为本实用新型的合封整流桥的封装结构的另一种实现方式。图4显示为本实用新型的电源模组的另一种实现方式。图5显示为本实用新型的合封整流桥的封装结构的又一种实现方式。图6显示为本实用新型的电源模组的又一种实现方式。图7显示为本实用新型的电源模组的再一种实现方式。元件标号说明1合封整流桥的封装结构11塑封体12控制芯片121功率开关管122逻辑电路13高压供电基岛14信号地基岛15漏极基岛16火线基岛17零线基岛18采样基岛具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。中国香港整流桥模块货源充足