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这主要是由于覆盖在二极管表面的是导热性能较差的FR4(其导热系数小于.℃)，因此它对整流桥壳体正表面上的温度均匀化效果很差。同时，这也验证了为什么我们在采用整流桥壳体正表面温度作为计算的壳温时，对测温热电偶位置的放置不同，得到的结果其离散性很差这一原因。图8是整流桥内部热源中间截面的温度分布。由该图也可以进一步说明，在整流桥内部由于器封装材料是导热性能较差的FR4，所以其内部的温度分布极不均匀。我们以后在测量或分析整流桥或相关的其它功率元器件温度分布时，应着重注意该现象，力图避免该影响对测量或测试结果产生的影响。折叠结论通过前面对整流桥三种不同形式散热的分析并结合对一整流桥详细的仿真模型的分析结果，我们可以得出如下结论:1、在计算整流桥的结温时，其生产厂家所提供的Rjc(强迫风冷时)是指整流桥的结与散热器相接触的整流桥壳体表面间的热阻;2、器件参数中所提供的Rja是指该器件在自然冷却是结温与周围环境间的热阻;3、对带有散热器的整流桥且为强迫风冷散热地壳温测量时，应该采用与整流桥壳体相接触的散热器表面温度作为计算的壳温，必要时可以考虑整流桥与散热器间的接触热阻。不应该采用整流桥壳体正面上的温度作为计算的壳温。如果你要使用整流桥，选择的时候留点余量，例如要做12伏2安培输出的整流电源，就可以选择25伏5安培的桥。贵州整流桥模块供应商家

金属引线的一端设置在与管脚连接的导电部件上)，能实现电连接即可，不限于本实施例。需要说明的是，所述整流桥可基于不同类型的器件选择不同的基岛实现，不限于本实施例，任意可实现整流桥连接关系的设置方式均可，在此不一一赘述。如图1所示，在本实施例中，所述功率开关管及所述逻辑电路集成于控制芯片12内。具体地，所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d，源极连接所述逻辑电路的采样端口，栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号)；所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs，高压端口连接所述功率开关管的漏极，接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd，漏极端口d连接所述漏极管脚drain，采样端口cs连接所述采样管脚cs。在本实施例中，所述控制芯片12的底面为衬底，通过导电胶或锡膏粘接于所述信号地基岛14上，所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原则，通过金属引线连接所述信号地基岛14，进而实现与所述信号地管脚gnd的连接；漏极端口d通过金属引线连接所述漏极管脚drain；采样端口cs通过金属引线连接所述采样管脚cs。贵州整流桥模块供应商家整流桥作为一种功率元器件，非常广。应用于各种电源设备。

所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地，所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。需要说明的是，本实施例增加所述电源地管脚bgnd实现整流桥的接地端与所述逻辑电路122的接地端分开，通过外置电感实现emi滤波，减小电磁干扰。同样适用于实施例一及实施例三的电源模组，不限于本实施例。需要说明的是，所述整流桥的设置方式、所述功率开关管与所述逻辑电路的设置方式，以及各种器件的组合可根据需要进行设置，不以本实用新型列举的几种实施例为限。另外，由于应用的多样性，本实用新型主要针对led驱动领域的三种使用整流桥的拓扑进行了示例，类似的结构同样适用于充电器/适配器等ac-dc电源领域等，尤其是功率小于25w的中小功率段应用，本领域的技术人员很容易将其推广到其他使用了整流桥的应用领域。本实用新型的拓扑涵盖led驱动的高压线性、高压buck、flyback三个应用，并可以推广到ac-dc充电器/适配器领域；同时，涵盖了分立高压mos与控制器合封、高压mos与控制器一体单晶的两种常规应用。

这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线，而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点，FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极)，并利用DBC基板的刻蚀图形，使焊接简化。同时，所有主电极的引出端子都焊在DBC基板上，这样使连线减少，模块可靠性提高。4、外壳：壳体采用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的，并加有40％玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料组成，它能很好地解决与铜底板、主电极之间的热胀冷缩的匹配问题，通过环氧树脂的浇注固化工艺或环氧板的间隔，实现上下壳体的结构连接，以达到较高的防护强度和气闭密封，并为主电极引出提供支撑。特点是方便小巧。不占地方。

本实用新型涉及半导体器件领域，特别是涉及一种合封整流桥的封装结构及电源模组。背景技术：目前照明领域led驱动照明正在大规模代替节能灯的应用，由于用量十分巨大，对于成本的要求比较高。随着系统成本的一再降低，主流的拓扑架构基本已经定型，很难再从外圈节省某个元器件，同时芯片工艺的提升对于高压模拟电路来说成本节省有限，基本也压缩到了。目前的主流的小功率交流led驱动电源方案一般由整流桥、芯片(含功率mos器件)、高压续流二极管、电感、输入输出电容等元件组成，系统中至少有三个不同封装的芯片，导致芯片的封装成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何节省封装成本，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种合封整流桥的封装结构及电源模组，用于解决现有技术中芯片封装成本高的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种合封整流桥的封装结构，所述合封整流桥的封装结构至少包括：塑封体，设置于所述塑封体边缘的火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚、漏极管脚、采样管脚。常用的国产全桥有佑风YF系列，进口全桥有ST、IR等。贵州整流桥模块供应商家

应用整流桥到电路中，主要考虑它的最大工作电流和比较大反向电压。贵州整流桥模块供应商家

一插片、第二插片之间通过线圈架隔开，可以明显增大爬电距离，从而提高了电气性能和可靠性，提升了产品质量；而且整流桥堆放置在线圈架绕线的不同侧，减少了线圈发热引起整流桥堆损伤或整个绕组的二次损伤。附图说明图1为本实用新型的结构示意图。图2为本实用新型的图。图3为本实用新型线圈架的结构示意图。图4为本实用新型整流桥堆的构示意图。具体实施方式为了使本技术领域的人员更好的理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。如图1-4所示，一种电磁阀的带整流桥绕组塑封机构，包线圈架1、绕组、插片组件及塑封壳，其中所述线圈架1为一塑料架，该线圈架1包括架体10、设在架体10上部的一限位凸部101及设在所述架体10下部的第二限位凸部102，所述一限位凸部101为与所述架体10一体成型的环片，所述第二限位凸部102与所述架体10一体成型的环片；在所述架体10上绕有的铜丝以形成所述绕组；在所述线圈架1上套入有塑封壳，所述塑封壳为常规的塑料外壳，该塑封壳与所述架体10相连以包着绕组。进一步的，所述插接片组件包括一插片21和两个第二插片22，所述一插片21为铜金属片，该一插片21为两个。贵州整流桥模块供应商家