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DS6036B集成涓流、恒流、恒压锂电池充电管理系统：当电池电压小于VTRKL时，采用涓流电流充电；当电池电压大于VTRKL时，进入输入恒流充电，电池端上限充电电流8A；当电池电压接近设定的电池电压时，进入恒压充电；当电池端充电电流小于停充电流ISTOP且电池电压接近恒压电压时，停止充电。充电完成后，若电池电压低于(VTRGT–N*0.1)V，重新开启电池充电。DS6036B采用开关充电技术，充电效率上限达到96%，能缩短3/4的充电时间。支持边充边放功能，在边充边放时，输入输出均为5V。当涓流充电使得电池电压＞涓流截止电压时，进入恒流充电。XB7608AJ4a1

DS5136B是点思针对单节移动电源市场推出的一颗移动电源SOC。DS5136B-1S-22.5W串移动电源方案：单串电池，支持22.5-27W功率选择，支持CCAA、CC线L线A、CLinAA等输出方式，单击按键开机并显示电量，双击按键关机进入休眠，长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换，支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/BC1.2DCP及APPLE2.4A等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。我们的产品优势：效率高，温度底；可实现双C输入输出；支持在线烧录。XB7608AJ4a1支持设置电池的初始化容量，利用电池端电流和时间的积分来管理电池的剩余容量。

保护板对单一电芯保护时，保护板设计会相对简单，技术性较高的地方在于，比如对动力电池保护板设计需要注意的电压平台问题，动力电池在使用中往往被要求很大的平台电压，所以设计保护板时尽量使保护板不影响电芯放电的电压，这样对控制IC，精密电阻等元件的要求就会很高，一般国产IC能满足大多数产品要求，特殊可以采用进口产品，电流采样电阻则需要使用JEPSUN捷比信电阻，以满足高精密度，低温度系数，无感等要求。对多电芯保护板设计，则有更高的技术要求，按照不同的需要，设计复杂程度各不相同的产品。 主要技术功能: 1、过充保护 2、过放保护 3、过流、短路保护 手机电池启动保护后的解决方法(来源于网络): 1、用原配的直冲在手机上直接充电，会把电池保护板的保护电路自动冲开。 2、把电池的正负极瞬间短路，看到电极片上有火花就行了，多试几次，然后再用直充充电。 3、找个5V的直流电，用正负极轻触电池的正负极，多试几次，再用原充电器充。

XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。为了补偿因负载电流在线缆上产生的线压降。

DS6036B 无按键动作的情况下，只有连接用电设备的输出口才会开启；未连接设备的输出口保持关闭。 USB-A1、USB-A2、USB-C 均支持输出快充协议。但由于该方案是单电感方案，只能支持一个电压输出，所以只有一个输出口开启的情况下才能支持快充输出。同时使用两个或者三个输出口时，会自动关闭快充功能。 按照“典型应用原理图”所示连接，任何一个输出口已经进入快充输出模式时，当其他输出口插入用电设备，会先关闭所有输出口，关闭高压快充功能，再开启有设备存在的输出口。此时所有输出口只支持 Apple、BC1.2 模式充电。当处于多口输出模式时，任一输出口的输出电流小于约 80mA（MOS Rds_ON@15mohm）时，持续 15s 后会自动关闭该口。从多个用电设备减少到只有一个用电设备时，持续约 15s 后会先关闭所有输出口，开启高压快充功能，再开启末尾一个用电设备存在的输出口，以此方式来重新使能设备请求快充。当只有一个输出口开启的情况下，总的输出功率小于 350mW 持续约 32s 时，会关闭输出口和放电功能，进入待机状态。DS5136B单串移动电源+MPP无线充方案（QI2.0）优势：效率高，温度底；可实现双C输入输出。XB6042I2S电源管理IC厂家

放电过程中，实时检测 VBUS 的电压和放电电流。XB7608AJ4a1

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB7608AJ4a1