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IGBT模块基本参数
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  • IXYS 艾赛斯,SEMIKRON赛,英飞凌,三菱
  • 型号
  • 全型号
  • 是否定制
IGBT模块企业商机

    二极管算是半导体家族中的元老了,早在***次世界大战末期就已出现晶体检波器,从1930年开始,半导体整流器开始投入市场。二极管模块分为:快恢复二极管模块,肖特基二极管模块,整流二极管模块、光伏防反二极管模块等。而二极管和二极管模块主要区别是功率、速度和封装不同。二级管一般指电流、电压、功率比较小的单管,一般电流在几个安培以内,电压比较高1000多V,但是反向恢复素很快,只有几个ns至几十个ns,用在小功率开关电源做输出整流,或需要频繁开关的场合,其封装一般是塑封、玻璃封装、陶瓷封装等。二极管模块指封装成模块的二极管,功率较大,几十、几百安培,主要用于整流,在大功率设备上使用,如电焊机等,反向恢复时间很快,但比二极管慢,一般在几十个ns至几百个ns之间。那二极管模块应如何选型呢?1、快恢复二极管模块快恢复二极管是一种能快速从通态转变到关态的特殊晶体器件。导通时相当于开关闭合(电路接通),截止时相当于开关打开(电路切断)。特性是开关速度快,快恢复二极管能够在导通和截止之间快速转化提高器件的使用频率和改善波形。快恢复二极管模块分400V快恢复二极管模块,600V快恢复二极管模块,1200V快恢复二极管模块等。 5STM–新IGBT功率模块可为高达30kW的负载提供性能。安徽质量IGBT模块销售厂

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    还有一个小问题:因为8010内建死区**小为300NS,不能到0死区,所以,还原的馒头波,可能会有150NS的收缩,造成合成的正弦波在过0点有一点交越失真,如果8010能做到有一档是0死区,我这个问题就能完美解决了。经和屹晶的许工联系,他说可以做成0死区的,看来是第二版可以做得更完美了。驱动板做好了,但我这里没有大功率的高压电源进行带功率的测试,只得寄给神八兄,让他对这块驱动板进行一番***的测试,现在,这块板还在路上。神八兄测试的过程和结果,可以跟在这个贴子上,经享众朋友。在母线电压392的情况下,做短路试验,试了十多次,均可靠保护,没有烧任何东西,带载短路也试了几次,保护灵敏可靠,他现在用的是150A的IGBT模块。能轻松启动10根1000W的小太阳灯管,神八兄**好测一下,你这种1000W的灯管,冷阻是多少欧,我这里有几根,冷阻只有4R。还请神八兄再试一下启动感性负载,如果能启动常用的感性负载,如空调什么的,我觉得也差不多了,基本上达到了我们预先的设计目标。这是试机现场照片:测试情况:1.功率已加载到12KW,开风扇,模块温度不高。现在已把驱动板上的功率限止电路调到10KW。2.在母线电压350V时,顺利启动了11根1000W的小太阳灯管。 安徽质量IGBT模块销售厂作为与动力电池电芯齐名的“双芯”之一,IGBT占整车成本约为7-10%,是除电池外成本的元件。

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    这要由具体的应用和所使用的功率管决定。比较大栅极充电电流是±15A,充电电流由外接的栅极电阻限定。如果将25脚G通过电阻直接与IGBT:G相连,IGBT的驱动波形上升沿较大,但IGBT导通后上升较快,如图2所示;图2IGD515EI输出端不加MOS管时IGBT的驱动波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)如果在25脚与IGBT:G中间串入一只MOS管,进行电流放大,可有效地减小IGBT驱动波形的上升沿,缩短IGBT的导通过程,减小IGBT离散性造成的导通不一致性,减小动态均压电路的压力,但IGBT导通后上升较慢,其波形如图3所示。图3IGD515EI输出端加MOS管时IGBT的驱动波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)(1)响应时间电容和中断时间电容选择功率管,特别是IGBT的导通需要几个微秒,因此功率管导通后要延迟一段时间才能对其管压降进行监测,以确定IGBT是否过流,这个延迟即为“响应时间”。响应时间电容CME的作用是和内部Ω上拉电阻构成数微秒级的延时ta,CME的计算方法如下:在IGBT导通以后,通过IGD515EI内部的检测电路对19脚的检测电压(IGBT的导通压降)进行检测。若导通压降高于设定的门限,则认为IGBT处于过流工作状态,由IGD515EI的35脚送出IGBT过流故障信号,经光纤送给控制电路,将驱动信号***一小段时间。这段时间为截止时间tb。

    下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1.判定GTO的电极将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,*当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。2.检查触发能力如图2(a)所示,首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大;然后用黑表笔尖也同时接触G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通;**后脱开G极,只要GTO维持通态,就说明被测管具有触发能力。3.检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力,如图2(b)所示,表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置,证明GTO具有关断能力。4.估测关断增益βoff进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表Ⅱ强迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。**后根据读取电流法按下式估算关断增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数;K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是。 二极管模块是一种常用的电子元件,具有整流、稳压、保护等功能。

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    4.晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。晶体闸流管工作过程编辑晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下。 主电路用螺丝拧紧,控制极g要用插件,尽可能不用焊接方式。四川出口IGBT模块批发厂家

IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)构成的功率模块。安徽质量IGBT模块销售厂

    它具有很强的抗干扰能力、良好的高压绝缘性能和较高的瞬时过电压承受能力,因而被应用于高压直流输电(HVDC)、静止无功功率补偿(SVC)等领域。其研制水平大约为8000V/3600A。逆变晶闸因具有较短的关断时间(10~15s)而主要用于中频感应加热。在逆变电路中,它已让位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范围之内。5非对称晶闸是一种正、反向电压耐量不对称的晶闸管。而逆导晶闸管不过是非对称晶闸管的一种特例,是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。与普通晶闸管相比,它具有关断时间短、正向压降小、额定结温高、高温特性好等优点,主要用于逆变器和整流器中。目前,国内有厂家生产3000V/900A的非对称晶闸管。 安徽质量IGBT模块销售厂

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