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如图3所示,所述温控装置包括温控管40,所述温控管40连接位于外腔体10外的恒温控制器41。温控管40的引入口及引出口与外部的恒温控制器41连接,恒温控制器41可用于恒温制冷也可用于恒温加热,保证内反应腔20中的温度可以持续恒定,从而使工艺反应区域内的工艺环境温度更稳定。经过在真空镀膜设备上的实际应用验证,该真空腔体对于工艺成膜质量及镀膜均匀性均有十分有效的改善和提升。其中,温控管40包括加热管和/或冷却管。一般情况下,在工艺反应过程中,通常需要升温以完成相关的工艺反应,因此,温控管40包括必要的加热管,而冷却管可以根据实际的工艺需要选选择性地添加即可。例如,若在工艺反应过程中,需要进行快速降温,此时可以设置冷却管。所述加热管非限制性地例如可以为电加热管、水加热管或油加热管。冷却管例如可以为水冷却管或油冷却管。为了增加温控效果,第二侧壁22和第二底板21处均设有温控管40。其中,所述温控管40缠绕于所述第二侧壁22的外部,且所述温控管40铺设于所述第二底板21的底部。除上述缠绕方式外,还可以用埋设的方式铺设加热管,例如,所述第二底板21内和所述第二侧壁22内均设有用于穿设温控管40的通道,所述温控管40埋设于所述通道内。
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物相沉积(PVD):物理过程主导的薄膜沉积PVD 是通过物理手段(如加热、高能轰击)使镀膜材料从固态转化为气态粒子,再沉积到基材表面的过程,不发生化学反应。主流技术包括蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀,原理各有侧重: 蒸发镀膜:加热蒸发→气相迁移→冷却沉积 这是基础的 PVD 技术,是通过加热使镀膜材料(金属、合金、氧化物等)蒸发为气态原子 / 分子,再在低温基材表面凝结成膜。 具体流程: 蒸发源加热:镀膜材料(如铝、金、二氧化硅)置于蒸发源中,通过电阻加热(低熔点材料)、电子束加热(高熔点材料,如陶瓷)或激光加热,使其升温至蒸发温度(原子/分子获得足够能量脱离固态表面)...