行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,在150度的HTRB时,表现仍然很出色;而OJ工艺的产品能够承受100度左右的HTRB。常州市国润电子有限公司是一家专业提供快恢复二极管 的公司,欢迎您的来电哦!TO263封装的快恢复二极管MUR2040CS
选择快恢复二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。快恢复二极管的反向恢复时间为电流通过零点由正向转换成反向,再由反向转换到规定低值的时间间隔,实际上是释放快恢复二极管在正向导通期间向PN结的扩散电容中储存的电荷。反向恢复时间决定了快恢复二极管能在多高频率的连续脉冲下做开关使用,如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短,则快恢复二极管在正向、反向均可导通就起不到开关的作用。PN结中储存的电荷量与反向电压共同决定了反向恢复时间,而在高频脉冲下不但会使其损耗加重,也会引起较大的电磁干扰。所以知道快恢复二极管的反向恢复时间正确选择快恢复二极管和合理设计电路是必要的,选择快恢复二极管时应尽量选择PN结电容小、反向恢复时间短的,但大多数厂家都不提供该参数数据。天津快恢复二极管MURF1660常州市国润电子有限公司是一家专业提供快恢复二极管 的公司,有想法可以来我司咨询!
在实际应用时,用到30V时,则trr约为35ns,而用到350V时,trr》35ns,trr还随着结湿上升而增加,Tj=125℃时的trr,约为25℃时的2倍左右。同时,trr还随着流过正向峰值电流IFM的増加而增加。IRM和Qrr主要是用来计算FRED的功耗和RC电路,但他们亦随结温的升高而増大。125℃结温时的Qrr是25℃时的约、而125℃结温时的Qrr是25℃时的近3倍以上。因此,在选用FRED时必须充分虑这些参数的测试条件、以便作必要的调整。因此,trr短,IRM小和S大的FRED模块是逆变电路中的二极管,而trr短和Qrr小的FRED,使逆变电路中的开关器件和二极管的损耗减少。FRED150A~1200V的外型尺寸见图4。图4FRED的外型尺寸4.快恢复二极管模块应用随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展,FRED作为一种高频器件也得到蓬勃发展,现已用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内,起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用,这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置以及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材。
FRED的其主要反向关断属性参数为:反向回复时trr=ta+tb(ta一少数载流子在存储时间,tb一少数载流子复合时间);反向回复峰值电流IRM;反向回复电荷Qrr=l/2trr×IRM以及表示器件反向回复曲线软度的软度因子S=tb/ta。而FRED的正向导通主要参数有:正向平均电流IF(AV);正向峰值电压UFM;正向均方根电流IF(RMS)以及正向(不反复)浪涌电流IFSM。FRED的反向阴断属性参数为:反向反复峰值电压URRM和反向反复峰值电流IRRM。须要指出:反向回复时间trr随着结温Tj的升高,所加反向电压URRM的增高以及流过的正向电流IF(AV)的增大而增长,而主要用来测算FRED的功耗和RC保护电路的反向回复峰值电流IRM和反向回复电荷Qrr亦随结温Tj的升高而增大。因此,在选用由FRED构成的“三相FRED整流桥开关模块”时,须要充分考虑这些参数的测试条件,以便作必需的调整。这里值得提出的是:目前FRED的价钱比一般而言整流二极管高,但由于用到FRED使变频器的噪声大幅度减低(减低达15dB),这将直接影响到变频器内EMI滤波电路的电容器和电感器的设计,使它们的尺码缩小和价钱大幅度下滑,并使变频器更能相符EMI规格的要求。此外,在变频器中,对充电限流电阻展开短接的开关,目前一般都使用机器接触器。常州市国润电子有限公司是一家专业提供快恢复二极管 的公司。
这种铜底板尚存在一定弧度的焊成品,当模块压装在散热器上时,能保证它们之间的充分接触,有利于热传导,从而使模块的接触热阻降低,有利于模块的出力和可靠性。(3)由于FRED模块工作于高频(20kHZ以上),因此,必须在结构设计要充分考虑消除寄生电感等问题,为此,在电磁等原理基础上,充分考虑三个主电极形状、布局和走向,同时对键合铝丝长短和走向也作了合适安排。以减少模块内部的分布电感,确保二单元的分布电感一致,从而解决模块的噪音和发热问题,提高装置效率。3.主要技术参数图3是FRED模块导通和关断期间的电流和电压波形图,它显示了FRED器件从正向导通到反向恢复的全过程。其主要关断特性参数为:反向恢复时间trr=ta+tb(ta为少数载流子存储时间,tb为少数载流子复合时间);软度因子S=(表示器件反向恢复曲线的软度);反向恢复峰值电流:;反向恢复电荷。而导通参数为:反向重复峰值电压URRM.;正向平均电流IF(AV);正向峰值电压UFM;正向均方根电流IF(RMS)和正向浪涌电流IFSM等。图2(a)预弯后的铜底板(b)铜底板与DBC基板焊接后的合格品图3FRED导通和关断期间的电流和电压波形图这里需要注意的是:trr随所加反向电压UR的增加而增加,例如600V的FRED。快恢复二极管 ,就选常州市国润电子有限公司,有需要可以联系我司哦!湖南快恢复二极管MUR3040CT
常州市国润电子有限公司是一家专业提供快恢复二极管 的公司,欢迎新老客户来电!TO263封装的快恢复二极管MUR2040CS
继电器并联快恢复二极管电路形式见图1,其作用主要是为了保护晶体管等驱动元器件。流经线圈的电流变化时,线圈会产生自激电压来抑制电流的变化,当线圈中的电流变化越快时,所产生的电压越高。在继电器开通到关断的瞬间,由于线圈有电感的性质,所以瞬间会在继电器的线圈的低电压端产生一个瞬间电压尖峰,通常能高达数十倍的线圈额定工作电压。当图中晶体管VT由导通变为截止时,流经继电器线圈的电流将迅速减小,这时线圈会产生很高的自感电动势与电源电压叠加后加在VT的c、e两极间,会使晶体管击穿,并联上快恢复二极管后,即可将线圈的自感电动势钳位于快恢复二极管的正向导通电压,此值硅管约,锗管约,从而避免击穿晶体管等驱动元器件。并联快恢复二极管时一定要注意快恢复二极管的极性不可接反,否则容易损坏晶体管等驱动元器件。继电器线圈断电瞬间,线圈上可产生高于线圈额定工作电压值30倍以上的反峰电压,对电子线路有极大的危害,通常采用并联瞬态抑制(又叫削峰)快恢复二极管或电阻的方法加以抑制,使反峰电压不超过50V,但并联快恢复二极管会延长继电器的释放时间3~5倍。TO263封装的快恢复二极管MUR2040CS