XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压,并且可使用可外扩MOS型,使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端,可控制变换器的工作状态,可使它处于关断省电状态,功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率:87%l低纹波,低噪声。丝印:E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D E36L DGHG DGHG 7KFG 7KFD E50H E50A E50G b6w 70JC DHJB D4JD D4JF DFJG L30H DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100B采用开关充电技术,充电效率极限达到 96%,能缩短 3/4 的充电时间。点思DS3056B

保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。XBL6015J2SSM电源管理IC赛芯微代理正极保护IC、的锂电池保护方案。

DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源,但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性,使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容,这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题,进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法,为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值,半导体工艺变得极为复杂,使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法,因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积,不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件,而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案,要么需要CSP(芯片尺寸级封装)型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程,使得制作工程复杂,带来了产生成本上升的课题。
DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。
过压/欠压保护:放电过程中,DS2730实时监测输入/输出电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭放电通路。
过流保护:放电过程中,利用内部的高精度ADC,实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,首先降低输出功率;如果降低功率后仍然持续过流,则触发过流保护,芯片自动关闭放电通路。
过温保护:放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTC,实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度(例如,MOS管)。当温度超出预设的保护门限时,降低放电功率。
短路保护:放电过程中,实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUS输出短路时,自动关闭放电通路。 内置的同步降压变换器,允许 5V~30V 的输入和 3.3V~20V 的输出,输出效率极限 98%。

ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。40V耐压、高PSRR,LDO,完全没凸波。XB6091J2SV电源管理IC芯纳科技
变更连接在 CNSEL 管脚的下拉电阻的阻值,可以配置应用方案为 2-6串电池的充电管理。点思DS3056B
DS6036B 集成高压输出的同步开关转换器系统,支持 3V~21V 宽电压范围输出。同步开关升降压系统可提供上限 100W的 输出能力。DS6036B 内置软启动功能,防止在启动时冲击电流过大引起故障。DS6036B 集成输出过流、短路、过压、过温等保护功能,确保系统稳定可靠的工作。USBC1 口或者 USBC2 插入充电电源,可直接启动充电。如果 USB-C 上插入 USB-C UFP 设备或者 USB-A 上插入用电设备,可自动开启放电功能。 如果有按键动作,USB-A1、USB-A2 上有负载连接时才会开启,否则会保持关闭状态。USBC1 口或者 USBC2 有电源插入,优先启动充电。在单充电的模式下,支持自动识别电源的快充模式,匹配合适的充电电压和充电电流。点思DS3056B
芯纳科技电源管理 IC:工业级稳定性能,适配复杂工业场景 面向工业生产对电源系统的严苛要求,芯纳科技电源管理 IC 具备工业级的稳定性能与抗干扰能力,成为工业电源方案的可靠选择。该系列产品能够耐受复杂工业环境中的电压波动、电磁干扰等问题,确保工业控制设备、自动化生产线、化工监测终端等关键设备的持续稳定运行。在参数设计上,其宽电压输入范围可适配不同工业电源供应标准,过流、过温保护机制进一步提升了设备运行的安全性与可靠性。同时,芯片采用高耐久性封装工艺,能够适应工业场景中的高低温、湿度变化等恶劣条件,延长设备使用寿命。芯纳科技通过整合行业资源,为工业客户提供从产品选型、方案设计到技术支持...