这种铜底板尚存在一定弧度的焊成品,当模块压装在散热器上时,能保证它们之间的充分接触,有利于热传导,从而使模块的接触热阻降低,有利于模块的出力和可靠性。(3)由于FRED模块工作于高频(20kHZ以上),因此,必须在结构设计要充分考虑消除寄生电感等问题,为此,在电磁等原理基础上,充分考虑三个主电极形状、布局和走向,同时对键合铝丝长短和走向也作了合适安排。以减少模块内部的分布电感,确保二单元的分布电感一致,从而解决模块的噪音和发热问题,提高装置效率。3.主要技术参数图3是FRED模块导通和关断期间的电流和电压波形图,它显示了FRED器件从正向导通到反向恢复的全过程。其主要关断特性参数为:反向恢复时间trr=ta+tb(ta为少数载流子存储时间,tb为少数载流子复合时间);软度因子S=(表示器件反向恢复曲线的软度);反向恢复峰值电流:;反向恢复电荷。而导通参数为:反向重复峰值电压URRM.;正向平均电流IF(AV);正向峰值电压UFM;正向均方根电流IF(RMS)和正向浪涌电流IFSM等。图2(a)预弯后的铜底板(b)铜底板与DBC基板焊接后的合格品图3FRED导通和关断期间的电流和电压波形图这里需要注意的是:trr随所加反向电压UR的增加而增加,例如600V的FRED。MURF2040CT是什么类型的管子?江苏快恢复二极管MUR1660CA
选择快恢复二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。在快恢复二极管两端加反向电压时,其内部电场区域变宽,有较少的漂移电流通过PN结,形成我们所说的漏电流。漏电流也是评估快恢复二极管性能的重要参数,快恢复二极管漏电流过大不仅使其自身温升高,对于功率电路来说也会影响其效率,不同反向电压下的漏电流是不同的,关系如图4所示:反向电压愈大,漏电流越大,在常温下肖特基管的漏电流可忽略。其实对快恢复二极管漏电流影响的还是环境温度,下图5是在额定反压下测试的关系曲线,从中可以看出:温度越高,漏电流越大。在75℃后成直线上升,该点的漏电流是导致快恢复二极管外壳在额定电流下达到125℃的两大因素之一,只有通过降额反向电压和正向导通电流才能降低快恢复二极管的工作温度。江苏快恢复二极管MUR1660CAMUR3040CT是快恢复二极管吗?
适用于高频率的电路场合,低频如工频50HZ以下用普通的整流二极管就好。快恢复二极管做整流二极管常用在在频率较高的逆变电路中。但是由于整流电路由于频率很低,故只对耐压有要求,只要耐压能满足,肯定是可以代用的,且快恢复二极管也有用于整流的情况,就是在开关电源次级整流部份,由于频率较高,只能使用快恢复二极管整流,否则由于二极管损耗太大会造成电源整体效率降低,严重时会烧毁二极管。另外快恢复二极管的价格较整流二极管贵很多,耐压越高越贵,所以一般是不会拿快恢复二代管使用的。之所以称其为快速恢复二极管,这是因为普通整流二极管一般工作于低频(如市电频率为50Hz),其工作频率低于3kHz,当工作频率在几十至几百kHz时,正反向电压变化的时间慢于恢复时间,普通整流二极管就不能正常实现单向导通了,这时就要用快速恢复整流二极管。快速恢复二极管的特点就是它的恢复时间很短,这一特点使其适合高频整流。快恢复二极管有一个决定其性能的重要参数——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是,二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态,从输出脉冲下降到零线开始。Trr越小的快速恢复二极管的工作频率越高。
电力电子器件的缓冲电路(snubbercircuit)又称吸收电路,它是电力电子器件的一种重要的保护电路,不仅用于半控型器件的保护,而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。晶闸管开通时,为了防止过大的电流上升率而烧坏器件,往往在主电路中串入一个扼流电感,以限制过大的di/dt,串联电感及其配件组成了开通缓冲电路,或称串联缓冲电路。晶闸管关断时,电源电压突加在管子上,为了抑制瞬时过电压和过大的电压上升率,以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误触发,需要在晶闸管的两端并联一个RC网络,构成关断缓冲电路,或称并联缓冲电路。IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制,这是由于IGBT的工作频率可以高达30~50kHz;因此很小的电路电感就可能引起颇大的LdiC/dt,从而产生过电压,危及IGBT的安全。PWM逆变器中IGBT在关断和开通中的uCE和iC波形。在iC下降过程中IGBT上出现了过电压,其值为电源电压UCC和LdiC/dt两者的叠加。IGBT缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管,电容必须是高频、损耗小,频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果超快恢复二极管可以使用在汽车音响上。
20世纪80年代初,绝缘栅双极晶体管(IGBT)和功率M0S场效应管(P0WERM0SFET)的研制成功,并得到急剧发展和商业化,这不仅对电力电子逆变器向高频化发展提供了坚实的器件基础,同时,为用电设备高频化(20kHz以上)和高频设备固态化,为高效、节电、节材,实现机电体化,小型轻量化和智能化提供了重要的技术基础。与此同时,给IGBT,功率MOSFET等高频逆变装置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的发展。因为,随着装置工作开关频率的提高,若没有FRED给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离输出整流器和输入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等开关器件就不能发挥它们的功能和独特作用,这是由于FRED的关断特性参数(反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr,反向峰值电流IRM)的作用所致,合适参数的FRED与高频开关器件的协调工作。使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰,高频干扰电压以及EMI降低,使开关器件的功能得到充分发挥,FRED模块现已批量在大功率开关电源、高频逆变电焊机、高频逆变开关型电镀电源、高频快速充电器以及高频调速装置等场合使用,结果非常令人满意。本文将简要介绍该FRED模块的工艺结构,技术参数。MURF1620CT是什么类型的管子?江苏快恢复二极管MUR1660CA
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其型号为MFST),由于这种模块与使用3~5平常整流二极管相比之下具反向回复时间(trr)短,反向回复峰值电流(IRM)小和反向回复电荷(Qrr)低的FRED,因而使变频的噪声减低,从而使变频器的EMI滤波电路内的电感和电容大小减少,价位下滑,使变频器更易合乎国内外抗电磁干扰(EMI)规范。1模块的构造及特征FRED整流桥开关模块是由六个超快恢复二极管芯片和一个大功率高压晶闸管芯片按一定电路连成后联合封装在一个PPS(加有40%玻璃纤维)外壳内制成,模块内部的电联接方法如图1所示。图中VD1~VD6为六个FRED芯片,互相联成三相整流桥、晶闸管T串接在电桥的正输出端上。图2示出了模块外形构造示意图,现将图中的主要结构件的机能分述如下:1)铜基导热底板:其机能为陶瓷覆铜板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道,并作为整个模块的构造基石。因此,它须要具备高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板开展高温焊接,又因它们之间热线性膨胀系数(铜为16.7×10-6/℃,DBC约不5.6×10-6/℃)相距较大,为此,除需使用掺磷、镁的铜银合金外,并在焊接前对铜底板要展开一定弧度的预弯,这种存在s一定弧度的焊制品,能在模块设备到散热器上时,使它们之间有充分的接触,从而下降模块的接触热阻。江苏快恢复二极管MUR1660CA